公开(公告)号：US08450754B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13269669

申请日：2011-10-10

申请人： Michael R. Krames ,  John E. Epler ,  Daniel A. Steigerwald ,  Tal Margalith

发明人： Michael R. Krames ,  John E. Epler ,  Daniel A. Steigerwald ,  Tal Margalith

IPC分类号： H01L29/18

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/2654 ,  H01L27/153

摘要： LED layers are grown over a sapphire substrate. Individual flip chip LEDs are formed by trenching or masked ion implantation. Modules containing a plurality of LEDs are diced and mounted on a submount wafer. A submount metal pattern or a metal pattern formed on the LEDs connects the LEDs in a module in series. The growth substrate is then removed, such as by laser lift-off. A semi-insulating layer is formed, prior to or after mounting, that mechanically connects the LEDs together. The semi-insulating layer may be formed by ion implantation of a layer between the substrate and the LED layers. PEC etching of the semi-insulating layer, exposed after substrate removal, may be performed by biasing the semi-insulating layer. The submount is then diced to create LED modules containing series-connected LEDs.

摘要翻译： LED层生长在蓝宝石衬底上。 单个倒装芯片LED通过挖沟或掩模离子注入形成。 包含多个LED的模块被切割并安装在底座晶片上。 在LED上形成的基座金属图案或金属图案将模块中的LED串联连接。 然后去除生长衬底，例如通过激光剥离。 在安装之前或之后形成半绝缘层，将LED机械连接在一起。 半绝缘层可以通过在衬底和LED层之间离子注入层来形成。 可以通过偏置半绝缘层来执行衬底去除后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。 然后将底座切成块，以创建包含串联LED的LED模块。

公开(公告)号：US08188458B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US13099834

申请日：2011-05-03

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11 20) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1 102) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11 20) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 使用MOCVD在非平面（1120）蓝宝石衬底上生长非极性（11 20）a面GaN层。 这些非极性（11 20）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20120025231A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13269669

申请日：2011-10-10

申请人： Michael R. Krames ,  John E. Epler ,  Daniel A. Steigerwald ,  Tal Margalith

发明人： Michael R. Krames ,  John E. Epler ,  Daniel A. Steigerwald ,  Tal Margalith

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/2654 ,  H01L27/153

摘要： LED layers are grown over a sapphire substrate. Individual flip chip LEDs are formed by trenching or masked ion implantation. Modules containing a plurality of LEDs are diced and mounted on a submount wafer. A submount metal pattern or a metal pattern formed on the LEDs connects the LEDs in a module in series. The growth substrate is then removed, such as by laser lift-off. A semi-insulating layer is formed, prior to or after mounting, that mechanically connects the LEDs together. The semi-insulating layer may be formed by ion implantation of a layer between the substrate and the LED layers. PEC etching of the semi-insulating layer, exposed after substrate removal, may be performed by biasing the semi-insulating layer. The submount is then diced to create LED modules containing series-connected LEDs.

摘要翻译： LED层生长在蓝宝石衬底上。 单个倒装芯片LED通过挖沟或掩模离子注入形成。 包含多个LED的模块被切割并安装在底座晶片上。 在LED上形成的基座金属图案或金属图案将模块中的LED串联连接。 然后去除生长衬底，例如通过激光剥离。 在安装之前或之后形成半绝缘层，将LED机械连接在一起。 半绝缘层可以通过在衬底和LED层之间离子注入层来形成。 可以通过偏置半绝缘层来执行衬底去除后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。 然后将底座切成块，以创建包含串联LED的LED模块。

公开(公告)号：US07982208B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11472033

申请日：2006-06-21

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11 20) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1 102) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11 20) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 使用MOCVD在非平面（1120）蓝宝石衬底上生长非极性（11 20）a面GaN层。 这些非极性（11 20）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20100109030A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12266162

申请日：2008-11-06

申请人： Michael R. KRAMES ,  John E. EPLER ,  Daniel A. STEIGERWALD ,  Tal MARGALITH

发明人： Michael R. KRAMES ,  John E. EPLER ,  Daniel A. STEIGERWALD ,  Tal MARGALITH

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/2654 ,  H01L27/153

摘要： LED layers are grown over a sapphire substrate. Individual flip chip LEDs are formed by trenching or masked ion implantation. Modules containing a plurality of LEDs are diced and mounted on a submount wafer. A submount metal pattern or a metal pattern formed on the LEDs connects the LEDs in a module in series. The growth substrate is then removed, such as by laser lift-off. A semi-insulating layer is formed, prior to or after mounting, that mechanically connects the LEDs together. The semi-insulating layer may be formed by ion implantation of a layer between the substrate and the LED layers. PEC etching of the semi-insulating layer, exposed after substrate removal, may be performed by biasing the semi-insulating layer. The submount is then diced to create LED modules containing series-connected LEDs.

摘要翻译： LED层生长在蓝宝石衬底上。 单个倒装芯片LED通过挖沟或掩模离子注入形成。 包含多个LED的模块被切割并安装在底座晶片上。 在LED上形成的基座金属图案或金属图案将模块中的LED串联连接。 然后去除生长衬底，例如通过激光剥离。 在安装之前或之后形成半绝缘层，将LED机械连接在一起。 半绝缘层可以通过在衬底和LED层之间离子注入层来形成。 可以通过偏置半绝缘层来执行衬底去除后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。 然后将底座切成块，以创建包含串联LED的LED模块。

公开(公告)号：US08911518B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13491483

申请日：2012-06-07

申请人： Arpan Chakraborty ,  Michael R. Krames ,  Tal Margalith ,  Rafael Aldaz

发明人： Arpan Chakraborty ,  Michael R. Krames ,  Tal Margalith ,  Rafael Aldaz

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： The present disclosure relates generally to semiconductor techniques. More specifically, embodiments of the present disclosure provide methods for efficiently dicing substrates containing gallium and nitrogen material. Additionally, the present disclosure provides techniques resulting in an optical device comprising a substrate having a dislocation bundle center being used as a conductive region for a contact.

摘要翻译： 本公开一般涉及半导体技术。 更具体地，本公开的实施例提供了用于有效地切割含有镓和氮材料的衬底的方法。 另外，本公开提供了一种技术，其导致包括具有位错束中心的基板的光学装置用作接触的导电区域。

公开(公告)号：US08062916B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12266162

申请日：2008-11-06

申请人： Michael R. Krames ,  John E. Epler ,  Daniel A. Steigerwald ,  Tal Margalith

发明人： Michael R. Krames ,  John E. Epler ,  Daniel A. Steigerwald ,  Tal Margalith

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/2654 ,  H01L27/153

摘要： LED layers are grown over a sapphire substrate. Individual flip chip LEDs are formed by trenching or masked ion implantation. Modules containing a plurality of LEDs are diced and mounted on a submount wafer. A submount metal pattern or a metal pattern formed on the LEDs connects the LEDs in a module in series. The growth substrate is then removed, such as by laser lift-off. A semi-insulating layer is formed, prior to or after mounting, that mechanically connects the LEDs together. The semi-insulating layer may be formed by ion implantation of a layer between the substrate and the LED layers. PEC etching of the semi-insulating layer, exposed after substrate removal, may be performed by biasing the semi-insulating layer. The submount is then diced to create LED modules containing series-connected LEDs.

摘要翻译： LED层生长在蓝宝石衬底上。 单个倒装芯片LED通过挖沟或掩模离子注入形成。 包含多个LED的模块被切割并安装在底座晶片上。 在LED上形成的基座金属图案或金属图案将模块中的LED串联连接。 然后去除生长衬底，例如通过激光剥离。 在安装之前或之后形成半绝缘层，将LED机械连接在一起。 半绝缘层可以通过在衬底和LED层之间离子注入层来形成。 可以通过偏置半绝缘层来执行衬底去除后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。 然后将底座切成块，以创建包含串联LED的LED模块。

公开(公告)号：US07977132B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12436442

申请日：2009-05-06

申请人： Tal Margalith ,  Stefano Schiaffino ,  Henry Kwong-Hin Choy

发明人： Tal Margalith ,  Stefano Schiaffino ,  Henry Kwong-Hin Choy

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/385 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Light emitting diode (LED) dies are fabricated by forming LED layers including a first conductivity type layer, a light-emitting layer, and a second conductivity type layer. Trenches are formed in the LED layers that reach at least partially into the first conductivity type layer. Electrically insulation regions are formed in or next to at least portions of the first conductivity type layer along the die edges. A first conductivity bond pad layer is formed to electrically contact the first conductivity type layer and extend over the singulation streets between the LED dies. A second conductivity bond pad layer is formed to electrically contact the second conductivity type layer, and extend over the singulation streets between the LED dies and the electrically insulated portions of the first conductivity type layer. The LED dies are mounted to submounts and the LED dies are singulated along the singulation streets between the LED dies.

摘要翻译： 通过形成包括第一导电型层，发光层和第二导电型层的LED层来制造发光二极管（LED）管芯。 在LED层中形成沟槽，其至少部分地到达第一导电类型层。 电绝缘区域沿着模头边缘形成在第一导电类型层的至少部分中或其旁边。 第一导电接合焊盘层形成为与第一导电类型层电接触并且在LED管芯之间的分隔街道上延伸。 第二导电接合焊盘层形成为与第二导电类型层电接触，并且延伸在LED管芯与第一导电类型层的电绝缘部分之间的分隔街道上。 LED管芯安装到基座上，LED管芯沿着LED管芯之间的单线路划分。

公开(公告)号：US20110018013A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12506774

申请日：2009-07-21

申请人： Tal MARGALITH ,  Henry Kwong-Hin CHOY ,  John E. EPLER ,  Stefano SCHIAFFINO

发明人： Tal MARGALITH ,  Henry Kwong-Hin CHOY ,  John E. EPLER ,  Stefano SCHIAFFINO

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382

摘要： A light-emitting diode (LED) is fabricated by forming the LED segments with bond pads covering greater than 85% of a mounting surface of the LED segments and isolation trenches that electrically isolate the LED segments, mounting the LED segments on a submount with a bond pad that couples two or more bond pads from the LED segments, and applying a laser lift-off to remove the growth substrate from the LED layer.

摘要翻译： 发光二极管（LED）通过形成具有接合焊盘的接合焊盘来形成，该焊盘覆盖LED段的安装表面的85％以上和隔离沟槽，隔离沟槽将LED段电隔离，将LED段安装在底座上 接合焊盘，其耦合来自LED段的两个或更多个接合焊盘，以及施加激光剥离以从LED层移除生长衬底。

公开(公告)号：US07091514B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10413690

申请日：2003-04-15

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11（超（20））a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（10 2））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11（超核（2O） 平面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。