公开(公告)号：US08906600B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13561540

申请日：2012-07-30

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Michihiro Shibata

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Michihiro Shibata

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G03F1/68 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F8/14 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/405 ,  Y10T428/24802 ,  C08F212/14

摘要： A resist pattern forming method includes: in the following order, (1) a step of forming a film on a substrate by using a positive resist composition; (2) a step of exposing the film; and (4) a step of performing development by using an alkali developer after the exposing, wherein the positive resist composition contains (A) a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I) as defined in the specification, a thickness of the film formed in the step (1) is from 15 to 40 nm, and an alkali component concentration in the alkali developer is from 0.5 to 1.1 mass %.

摘要翻译： 抗蚀剂图形形成方法包括：按以下顺序，（1）通过使用正性抗蚀剂组合物在基板上形成膜的步骤; （2）曝光胶片的步骤; （4）通过使用曝光后的碱性显影剂进行显影的工序，其中正型抗蚀剂组合物含有（A）具有如本说明书中定义的下式（I）表示的重复单元的高分子化合物，其厚度 的步骤（1）中形成的膜为15〜40nm，碱显影剂中的碱成分浓度为0.5〜1.1质量％。

公开(公告)号：US20140030640A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US14035484

申请日：2013-09-24

申请人： Toru TSUCHIHASHI ,  Tadateru YATSUO ,  Koutarou TAKAHASHI ,  Tomotaka TSUCHIMURA

发明人： Toru TSUCHIHASHI ,  Tadateru YATSUO ,  Koutarou TAKAHASHI ,  Tomotaka TSUCHIMURA

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/50 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/20 ,  C08F8/14 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08J3/24 ,  C08J2325/18 ,  G03F1/50 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/143 ,  C08F212/32

摘要： A resist pattern forming method contains: in the following order, (1) forming a resist film by using a negative chemical amplification resist composition containing (A) a polymer compound having a repeating unit represented by formula (1) as defined in the specification, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and (C) a crosslinking agent capable of crosslinking the polymer compound (A) by an action of an acid; (2) exposing the resist film, so as to form an exposed resist film; and (4) developing the exposed resist film by using a developer containing an organic solvent.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括：（1）通过使用含有（A）具有如说明书中定义的由式（1）表示的重复单元的高分子化合物的负性化学增幅抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜， （B）能够通过光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物和（C）能够通过酸的作用使高分子化合物（A）交联的交联剂; （2）使抗蚀剂膜曝光，形成曝光的抗蚀剂膜; 和（4）通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：US20130052568A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13561540

申请日：2012-07-30

申请人： Toru TSUCHIHASHI ,  Michihiro SHIBATA

发明人： Toru TSUCHIHASHI ,  Michihiro SHIBATA

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  B32B3/10 ,  B29C59/02 ,  C08F257/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G03F1/68 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F8/14 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/405 ,  Y10T428/24802 ,  C08F212/14

摘要： A resist pattern forming method includes: in the following order, (1) a step of forming a film on a substrate by using a positive resist composition; (2) a step of exposing the film; and (4) a step of performing development by using an alkali developer after the exposing, wherein the positive resist composition contains (A) a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I) as defined in the specification, a thickness of the film formed in the step (1) is from 15 to 40 nm, and an alkali component concentration in the alkali developer is from 0.5 to 1.1 mass %.

摘要翻译： 抗蚀剂图形形成方法包括：按以下顺序，（1）通过使用正性抗蚀剂组合物在基板上形成膜的步骤; （2）曝光胶片的步骤; （4）通过使用曝光后的碱性显影剂进行显影的工序，其中正型抗蚀剂组合物含有（A）具有如本说明书中定义的下式（I）表示的重复单元的高分子化合物，其厚度 的步骤（1）中形成的膜为15〜40nm，碱显影剂中的碱成分浓度为0.5〜1.1质量％。

公开(公告)号：US20120321855A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13580921

申请日：2011-02-24

申请人： Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato ,  Yuichiro Enomoto ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Kana Fujii

发明人： Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato ,  Yuichiro Enomoto ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Kana Fujii

IPC分类号： G03F7/027 ,  B32B3/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C08F224/00

CPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  Y10T428/24479

摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent sensitivity, limiting resolving power, roughness characteristic, exposure latitude (EL), dependence on post-exposure bake (PEB) temperature and focus latitude (depth of focus DOF), and a resist composition for use in the method. The method comprises (A) forming a film from a resist composition comprising a resin containing a repeating unit containing a group that is decomposed when acted on by an acid to thereby produce an alcoholic hydroxyl group, which resin thus when acted on by an acid decreases its solubility in a developer containing an organic solvent, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent.

摘要翻译： 提供了形成图案的方法，确保优异的灵敏度，限制分辨率，粗糙度特性，曝光宽容度（EL），对曝光后烘烤（PEB）温度和聚焦宽度（焦深DOF）的依赖性以及抗蚀剂组合物 用于该方法。 该方法包括（A）由抗蚀剂组合物形成膜，所述抗蚀剂组合物含有含有重复单元的树脂，所述树脂含有当被酸作用时分解的基团，从而产生醇羟基，所述树脂当被酸作用时降低 其在含有有机溶剂的显影剂中的溶解度，（B）将膜曝光，和（C）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜。

公开(公告)号：US20110081612A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12895504

申请日：2010-09-30

申请人： Kana FUJII ,  Takamitsu Tomiga ,  Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama ,  Shuji Hirano ,  Toru Fujimori

发明人： Kana FUJII ,  Takamitsu Tomiga ,  Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama ,  Shuji Hirano ,  Toru Fujimori

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F214/18 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/32 ,  C08F2220/282 ,  C08K5/375 ,  C08K5/42 ,  C08L33/068 ,  C08L51/04 ,  C08L67/02 ,  C09D125/14 ,  C09D125/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  C08F212/14 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/185 ,  C08F220/14

摘要： According to one embodiment, an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes (A) a resin containing the repeating units of formulae (I), (II) and (III) that when acted on by an acid, becomes soluble in an alkali developer, and (B) a compound that when irradiated with actinic rays or radiation, generates a fluorine-containing acid, wherein each of R1 independently represents a hydrogen atom or an optionally substituted methyl group, R2 represents a halogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, an optionally substituted aryl group or an optionally substituted aralkyl group, and n is an integer of 0 to 5, provided that when n is 2 or greater, multiple R2s may be identical to or different from each other.

摘要翻译： 根据一个实施方案，光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含（A）含有式（I），（II）和（III）的重复单元的树脂，当被酸作用时，其变得易溶于 碱显影剂和（B）当用光化射线或辐射照射时产生含氟酸的化合物，其中R 1各自独立地表示氢原子或任选取代的甲基，R 2表示卤素原子，任选地 取代的烷基，任选取代的环烷基，任选取代的芳基或任选取代的芳烷基，n为0至5的整数，条件是当n为2或更大时，多个R 2可以相同或不同 彼此。

公开(公告)号：US07625690B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US11717618

申请日：2007-03-14

申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Kaoru Iwato ,  Kunihiko Kodama ,  Masaomi Makino ,  Toru Tsuchihashi

发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Kaoru Iwato ,  Kunihiko Kodama ,  Masaomi Makino ,  Toru Tsuchihashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A resist composition, which comprises: (A) a resin containing a repeating unit represented by formula (I); and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation: wherein AR represents an aryl group; Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group; and A represents an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group and an alkyloxycarbonyl group, and a pattern forming method using the resist composition.

摘要翻译： 一种抗蚀剂组合物，其包含：（A）含有由式（I）表示的重复单元的树脂; 和（B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物：其中AR表示芳基; Rn表示烷基，环烷基或芳基; A表示选自氢原子，烷基，卤素原子，氰基和烷氧基羰基的原子或基团，以及使用该抗蚀剂组合物的图案形成方法。

公开(公告)号：US08900791B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13071153

申请日：2011-03-24

申请人： Tomotaka Tsuchimura ,  Koji Shirakawa ,  Toru Tsuchihashi ,  Hideaki Tsubaki

发明人： Tomotaka Tsuchimura ,  Koji Shirakawa ,  Toru Tsuchihashi ,  Hideaki Tsubaki

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  C07C309/25 ,  C07C309/28 ,  C07C309/42 ,  C07C309/29 ,  C07C309/35 ,  C07C309/38 ,  C07C309/39 ,  C07C309/44 ,  C07C309/59 ,  C07C323/66 ,  C07C381/12 ,  C07D209/82 ,  C07D339/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： C07C309/42 ,  C07C309/25 ,  C07C309/29 ,  C07C309/35 ,  C07C309/38 ,  C07C309/39 ,  C07C309/44 ,  C07C309/59 ,  C07C323/66 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/02 ,  C07C2601/04 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2601/18 ,  C07C2602/28 ,  C07C2602/42 ,  C07C2602/44 ,  C07C2603/24 ,  C07C2603/28 ,  C07C2603/74 ,  C07D209/82 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/122

摘要： An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes any of the compounds of general formula (I) below; wherein: Ar represents an aromatic ring that may have a substituent other than the -(A-B) groups; n is an integer of 1 or greater; A represents any one, or a combination of two or more members selected from a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —C(═O)—, —S(═O)—, —S(═O)2— and —OS(═O)2—, provided that —C(═O)O— is excluded; B represents a group containing a hydrocarbon group having 4 or more carbon atoms wherein either a tertiary or a quaternary carbon atom is contained, when n is 2 or greater, the two or more -(A-B) groups may be identical to or different from each other; and M+ represents an organic onium ion.

摘要翻译： 光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含下列通式（I）的任何化合物; 其中：Ar表示可以具有除 - （A-B）基团以外的取代基的芳香环; n是1或更大的整数; A表示选自单键，亚烷基，-O - ， - S - ， - C（= O） - ， - S（= O） - ， - S（ ≡O）2-和-OS（ΟO）2-，条件是不包括-C（= O）O-; B表示含有具有4个以上碳原子的烃基，其中含有叔或季碳原子的基团，当n为2以上时，两个以上（AB）基可以相同或不同， 其他; M +表示有机鎓离子。

公开(公告)号：US20130045440A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13586245

申请日：2012-08-15

申请人： Toru TSUCHIHASHI ,  Michihiro SHIBATA

发明人： Toru TSUCHIHASHI ,  Michihiro SHIBATA

IPC分类号： G03F7/027 ,  B29C59/02 ,  B32B3/10 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/68 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/325 ,  Y10T428/24802 ,  C08F212/32

摘要： A resist pattern forming method contains, in order: (1) a step of forming a resist film by using a negative chemical-amplification resist composition containing: (A) polymer compound having a repeating unit represented by the specific formula, (B) a phenolic compound being capable of crosslinking the polymer compound (A) by the action of an acid and having two or more benzene rings and four or more alkoxymethyl groups, and (C) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (2) a step of exposing the film, and (4) a step of, after exposure, developing the film by using a developer containing an ester-based solvent having a carbon number of 7 or 8.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法按顺序包含：（1）通过使用负极化学放大抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜的步骤，该组合物包含：（A）具有由具体式表示的重复单元的高分子化合物，（B）a 酚类化合物能够通过酸的作用使高分子化合物（A）交联并具有两个或更多个苯环和四个或多个烷氧基甲基，和（C）能够在用光化射线照射时产生酸的化合物或 辐射，（2）暴露薄膜的步骤，以及（4）曝光后通过使用含有碳数为7或8的酯系溶剂的显影剂显影薄膜的步骤。

公开(公告)号：US20110287234A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13146976

申请日：2010-01-29

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Tadateru Yatsuo ,  Koji Shirakawa ,  Hideaki Tsubaki ,  Akira Asano

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Tadateru Yatsuo ,  Koji Shirakawa ,  Hideaki Tsubaki ,  Akira Asano

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  B32B3/14 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/325

摘要： A resist pattern forming method including in the following order, (1) a step of forming a film by using a negative chemical-amplification resist composition capable of undergoing negative conversion by a crosslinking reaction, (2) a step of exposing the film, and (4) a step of developing the exposed film by using a developer containing an organic solvent; a developer and a negative chemical-amplification resist composition used therefor; and a resist pattern formed by the pattern forming method.

摘要翻译： 一种抗蚀剂图案形成方法，包括以下顺序：（1）通过使用能够通过交联反应进行负转化的负性化学增幅抗蚀剂组合物形成膜的步骤，（2）曝光所述膜的步骤，以及 （4）通过使用含有有机溶剂的显影剂使曝光的膜显影的步骤; 用于此的显影剂和负化学放大抗蚀剂组合物; 以及通过图案形成方法形成的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07923196B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12672329

申请日：2008-08-01

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/146 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/14

摘要： A positive resist composition comprising (A) a resin which contains all of the repeating units represented by formulae (I) to (III), and becomes soluble in an alkali developer by the action of an acid, and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; and a pattern forming method using the composition. A represents a group capable of decomposing and leaving by the action of an acid, each R1 independently represents hydrogen or a methyl group, R2 represents a phenyl group or a cyclohexyl group, m represents 1 or 2, and n represents an integer of 0 to 2. By virtue of this construction, a resist composition ensuring high resolution, good pattern profile, sufficient depth of focus, little defects after development, and sufficiently high plasma etching resistance is provided.

摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含（A）含有由式（I）至（III）表示的所有重复单元的树脂，并且通过酸的作用变得可溶于碱性显影剂，和（B）能够 在用光化射线或辐射照射时产生酸; 以及使用该组合物的图案形成方法。 A表示能够通过酸的分解和离去的基团，每个R 1独立地表示氢或甲基，R 2表示苯基或环己基，m表示1或2，n表示0〜 通过这种结构，提供了确保高分辨率，良好的图案轮廓，足够的焦深，显影后的小缺陷以及足够高的耐等离子体耐蚀刻性的抗蚀剂组合物。