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    Boron diffusion barrier by nitrogen incorporation in spacer dielectrics
    2.
    发明授权
    Boron diffusion barrier by nitrogen incorporation in spacer dielectrics 失效
    通过在间隔电介质中掺入氮的硼扩散势垒

    公开(公告)号：US07132353B1

    公开(公告)日：2006-11-07

    申请号：US11195398

    申请日：2005-08-02

    申请人： Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Troy Kim ,  Vladamir Zubkov ,  Ritwik Bhatia

    发明人： Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Troy Kim ,  Vladamir Zubkov ,  Ritwik Bhatia

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A method of forming a sidewall spacer on a gate electrode is described. The method includes generating a first plasma from a silicon containing precursor and oxide precursor, and forming a silicon oxy-nitride layer on the sidewall of the gate electrode. The method also includes generating a second plasma from the silicon containing precursor and a nitrogen precursor, and forming a nitride layer on the silicon oxy-nitride layer. The silicon containing precursor can flow continuously between the generation of the first and the second plasmas. Also, a method of forming a sidewall spacer on the side of a gate electrode on a substrate. The method includes forming an oxy-nitride layer on the sidewall, and forming a nitride layer on the oxy-nitride layer, where the substrate wafer is not exposed to air between the formation of the layers.

    摘要翻译： 描述了在栅极上形成侧壁间隔物的方法。 该方法包括从含硅前体和氧化物前体产生第一等离子体，并在栅电极的侧壁上形成氮氧化硅层。 该方法还包括从含硅前体和氮前体产生第二等离子体，并在氮氧化硅层上形成氮化物层。 含硅前体可以在第一和第二等离子体的产生之间连续流动。 另外，在基板上的栅电极侧形成侧墙的方法。 该方法包括在侧壁上形成氮氧化物层，并且在氧化氮化物层上形成氮化物层，其中衬底晶片在层的形成之间不暴露于空气。