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    Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory
    5.
    发明授权
    Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory 有权
    形成半导体存储器多级单元的方法

    公开(公告)号：US08187918B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12587772

    申请日：2009-10-13

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Hyeung-Geun An ,  Soon-Oh Park ,  Dong-Ho Ahn ,  Young-Lim Park

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Hyeung-Geun An ,  Soon-Oh Park ,  Dong-Ho Ahn ,  Young-Lim Park

    IPC分类号： H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/141 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided is a method of forming a semiconductor memory cell in which in order to store two bits or more data in a memory cell, three or more bottom electrode contacts (BECs) and phase-change materials (GST) have a parallel structure on a single contact plug (CP) and set resistances are changed depending on thicknesses (S), lengths (L) or resistivities (ρ) of the three or more bottom electrode contacts, so that a reset resistance and three different set resistances enable data other than in set and reset states to be stored. Also, a method of forming a memory cell in which three or more phase-change materials (GST) have a parallel structure on a single bottom electrode contact, and the phase-change materials have different set resistances depending on composition ratio or type, so that four or more different resistances can be implemented is provided.

    摘要翻译： 提供了一种形成半导体存储单元的方法，其中为了在存储单元中存储两个或更多个数据，三个或更多个底部电极触点（BEC）和相变材料（GST）在单个存储单元上具有并联结构 接触插头（CP）和设定电阻根据三个或更多个底部电极触点的厚度（S），长度（L）或电阻率（＆rgr）而改变，因此复位电阻和三种不同的设定电阻使数据不能 在设置和复位状态下存储。 此外，形成其中三个或更多个相变材料（GST）在单个底部电极接触上具有平行结构的存储单元的方法，并且相变材料根据组成比或类型具有不同的设定电阻，因此 可以实现四个或更多个不同的电阻。

    Variable resistance non-volatile memory cells and methods of fabricating same
    9.
    发明授权
    Variable resistance non-volatile memory cells and methods of fabricating same 失效
    可变电阻非易失性存储单元及其制造方法

    公开(公告)号：US07803654B2

    公开(公告)日：2010-09-28

    申请号：US11862779

    申请日：2007-09-27

    申请人： Jin-il Lee ,  Sung-lae Cho ,  Hye-young Park ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

    发明人： Jin-il Lee ,  Sung-lae Cho ,  Hye-young Park ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Methods of fabricating integrated circuit memory cells and integrated circuit memory cells are disclosed. Formation of an integrated circuit memory cell include forming a first electrode on a substrate. An insulation layer is formed on the substrate with an opening that exposes at least a portion of a first electrode. An amorphous variable resistivity material is formed on the first electrode and extends away from the first electrode along sidewalls of the opening. A crystalline variable resistivity material is formed in the opening on the amorphous variable resistivity material. A second electrode is formed on the crystalline variable resistivity material.

    摘要翻译： 公开了制造集成电路存储单元和集成电路存储单元的方法。 集成电路存储单元的形成包括在基板上形成第一电极。 在基板上形成具有露出第一电极的至少一部分的开口的绝缘层。 非晶可变电阻率材料形成在第一电极上，并沿着开口的侧壁远离第一电极延伸。 在非晶可变电阻率材料的开口中形成结晶可变电阻率材料。 在结晶可变电阻率材料上形成第二电极。

    METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED USING CONTACT STRUCTURES
    10.
    发明申请
    METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED USING CONTACT STRUCTURES 有权
    形成接触结构的方法和使用接触结构织造的半导体器件

    公开(公告)号：US20100144138A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12627810

    申请日：2009-11-30

    申请人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

    发明人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L27/24

    摘要： Provided are methods of forming contact structures and semiconductor devices fabricated using the contact structures. The formation of a contact structure can include forming a first molding pattern on a substrate, forming an insulating layer to cover at least a sidewall of the first molding pattern, forming a second molding pattern to cover a sidewall of the insulating layer and spaced apart from the first molding pattern, removing a portion of the insulating layer between the first and second molding patterns to form a hole, and forming an insulating pattern between the first and second molding patterns, and forming a contact pattern in the hole.

    摘要翻译： 提供了形成使用接触结构制造的接触结构和半导体器件的方法。 接触结构的形成可以包括在基底上形成第一模制图案，形成绝缘层以覆盖至少第一模制图案的侧壁，形成第二模制图案以覆盖绝缘层的侧壁并与 第一模制图案，去除第一和第二模制图案之间的绝缘层的一部分以形成孔，并且在第一和第二模制图案之间形成绝缘图案，并在孔中形成接触图案。