公开(公告)号：US20160027675A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：US14774377

申请日：2014-03-14

申请人： Abraham RAVID ,  Kevin GRIFFIN ,  Joseph YUDOVSKY ,  Kaushal GANGAKHEDKAR ,  Dmitry A. DZILNO ,  Alex MINKOVICH

发明人： Abraham Ravid ,  Kevin Griffin ,  Joseph Yudovsky ,  Kaushal Gangakhedkar ,  Dmitry A. Dzilno ,  Alex Minkovich

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/67259 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： Apparatus and methods of measuring and controlling the gap between a susceptor assembly and a gas distribution assembly are described. Apparatus and methods for positional control and temperature control for wafer transfer purposes are also described.

摘要翻译： 描述了测量和控制基座组件和气体分配组件之间的间隙的装置和方法。 还描述了用于晶片转印目的的位置控制和温度控制的装置和方法。

公开(公告)号：US08880210B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13183520

申请日：2011-07-15

申请人： Keith Brian Porthouse ,  John W. Lane ,  Mariusch Gregor ,  Nir Merry ,  Michael R. Rice ,  Alex Minkovich ,  Hongbin Li ,  Dmitry A. Dzilno

发明人： Keith Brian Porthouse ,  John W. Lane ,  Mariusch Gregor ,  Nir Merry ,  Michael R. Rice ,  Alex Minkovich ,  Hongbin Li ,  Dmitry A. Dzilno

IPC分类号： G06F19/00 ,  G05B17/02 ,  H01L21/67 ,  G05D16/20

CPC分类号： G05D16/2046 ,  G05B17/02 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253

摘要： Methods and apparatus are disclosed herein. In some embodiments, methods of controlling process chambers may include predetermining a relationship between pressure in a processing volume and a position of an exhaust valve as a function of a process parameter; setting the process chamber to a first state having a first pressure in the processing volume and a first value of the process parameter, wherein the exhaust valve is set to a first position based on the predetermined relationship to produce the first pressure at the first value; determining a pressure control profile to control the pressure as the process chamber is changed to a second state having a second pressure and a second process parameter value from the first state; and applying the pressure control profile to control the pressure by varying the position of the exhaust valve while changing the process chamber to the second state.

摘要翻译： 本文公开了方法和装置。 在一些实施例中，控制处理室的方法可以包括根据处理参数预先确定处理容积中的压力与排气门的位置之间的关系; 将所述处理室设定为处理容积中具有第一压力的第一状态和所述处理参数的第一值，其中所述排气阀基于所述预定关系设定在第一位置以产生所述第一值的所述第一压力; 当所述处理室改变为具有来自所述第一状态的第二压力和第二过程参数值的第二状态时，确定压力控制曲线以控制所述压力; 以及通过在将处理室改变到第二状态的同时改变排气门的位置来施加压力控制曲线来控制压力。