公开(公告)号：US08377556B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12324685

申请日：2008-11-26

申请人： Adeline Chan ,  Ivan Teo ,  Zhonglin Miao ,  Shanzhong Wang ,  Vincenzo Vinciguerra

发明人： Adeline Chan ,  Ivan Teo ,  Zhonglin Miao ,  Shanzhong Wang ,  Vincenzo Vinciguerra

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B15/14

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B01J23/75 ,  B01J37/08 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  Y10T428/30

摘要： Systems and methods for creating carbon nanotubes are disclosed that comprise a growing a nanotube on a tri-layer material. This tri-layer material may comprise a catalyst and at least one layer of Ti. This tri-layer material may be exposed to a technique that is used to grow a nanotube on a material such as a deposition technique.

摘要翻译： 公开了用于制造碳纳米管的系统和方法，其包括在三层材料上生长纳米管。 该三层材料可以包括催化剂和至少一层Ti。 这种三层材料可以暴露于用于在诸如沉积技术的材料上生长纳米管的技术。

公开(公告)号：US20100129549A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12324685

申请日：2008-11-26

申请人： Adeline Chan ,  Ivan Teo ,  Zhonglin Miao ,  Shanzhong Wang ,  Vincenzo Vinciguerra

发明人： Adeline Chan ,  Ivan Teo ,  Zhonglin Miao ,  Shanzhong Wang ,  Vincenzo Vinciguerra

IPC分类号： C23C16/01 ,  B01J21/06

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B01J23/75 ,  B01J37/08 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  Y10T428/30

摘要： Systems and methods for creating carbon nanotubes are disclosed that comprise a growing a nanotube on a tri-layer material. This tri-layer material may comprise a catalyst and at least one layer of Ti. This tri-layer material may be exposed to a technique that is used to grow a nanotube on a material such as a deposition technique.

摘要翻译： 公开了用于制造碳纳米管的系统和方法，其包括在三层材料上生长纳米管。 该三层材料可以包括催化剂和至少一层Ti。 这种三层材料可以暴露于用于在诸如沉积技术的材料上生长纳米管的技术。

公开(公告)号：US07956345B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12008992

申请日：2008-01-14

申请人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

发明人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0047

摘要： A method is provided for growth of carbon nanotube (CNT) synthesis at a low temperature. The method includes preparing a catalyst by placing the catalyst between two metal layers of high chemical potential on a substrate, depositing such placed catalyst on a surface of a wafer, and reactivating the catalyst in a high vacuum at a room temperature in a catalyst preparation chamber to prevent a deactivation of the catalyst. The method also includes growing carbon nanotubes on the substrate in the high vacuum in a CNT growth chamber after preparing the catalyst.

摘要翻译： 提供了一种用于在低温下生长碳纳米管（CNT）合成的方法。 该方法包括通过将催化剂放置在基板上的两个具有高化学势的金属层之间来制备催化剂，将这种放置的催化剂沉积在晶片的表面上，并在室温下在催化剂制备室 以防止催化剂失活。 该方法还包括在制备催化剂之后在CNT生长室中在高真空中在基底上生长碳纳米管。

公开(公告)号：US08951609B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13093597

申请日：2011-04-25

申请人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

发明人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

IPC分类号： B05D3/12 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/208 ,  H01L51/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0047

摘要： A nanotube-photoresist composite is fabricated by preparing a nanotube suspension using a nanotube structure-containing raw material, dispersing the nanotube suspension in a photoresist using ultra-sonication to produce a nanotube suspension-photoresist mix, spin-coating the nanotube suspension-photoresist mix on a substrate to form a nanotube suspension-photoresist composite layer, and removing one or more solvents in the nanotube suspension-photoresist composite layer by baking.

摘要翻译： 通过使用含纳米管结构的原料制备纳米管悬浮液来制造纳米管 - 光致抗蚀剂复合材料，使用超声波将纳米管悬浮液分散在光致抗蚀剂中以制备纳米管悬浮液 - 光致抗蚀剂混合物，旋涂纳米管悬浮液 - 光致抗蚀剂混合物 在基板上形成纳米管悬浮液 - 光致抗蚀剂复合层，并通过烘焙除去纳米管悬浮液 - 光致抗蚀剂复合层中的一种或多种溶剂。

公开(公告)号：US20110198559A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13093597

申请日：2011-04-25

申请人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

发明人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

IPC分类号： H01L29/08 ,  D01F9/12 ,  B06B1/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0047

摘要： A method is provided for growth of carbon nanotube (CNT) synthesis at a low temperature. The method includes preparing a catalyst by placing the catalyst between two metal layers of high chemical potential on a substrate, depositing such placed catalyst on a surface of a wafer, and reactivating the catalyst in a high vacuum at a room temperature in a catalyst preparation chamber to prevent a deactivation of the catalyst. The method also includes growing carbon nanotubes on the substrate in the high vacuum in a CNT growth chamber after preparing the catalyst.

摘要翻译： 提供了一种用于在低温下生长碳纳米管（CNT）合成的方法。 该方法包括通过将催化剂放置在基板上的两个具有高化学势的金属层之间来制备催化剂，将这种放置的催化剂沉积在晶片的表面上，并在室温下在催化剂制备室 以防止催化剂失活。 该方法还包括在制备催化剂之后在CNT生长室中在高真空中在基底上生长碳纳米管。

公开(公告)号：US20080203380A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12008992

申请日：2008-01-14

申请人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

发明人： Shanzhong Wang ,  Mui Hoon Nai ,  Zhonglin Miao

IPC分类号： H01L51/40 ,  B05D5/12 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/0047

摘要： A method is provided for growth of carbon nanotube (CNT) synthesis at a low temperature. The method includes preparing a catalyst by placing the catalyst between two metal layers of high chemical potential on a substrate, depositing such placed catalyst on a surface of a wafer, and reactivating the catalyst in a high vacuum at a room temperature in a catalyst preparation chamber to prevent a deactivation of the catalyst. The method also includes growing carbon nanotubes on the substrate in the high vacuum in a CNT growth chamber after preparing the catalyst.

摘要翻译： 提供了一种用于在低温下生长碳纳米管（CNT）合成的方法。 该方法包括通过将催化剂放置在基板上的两个具有高化学势的金属层之间来制备催化剂，将这种放置的催化剂沉积在晶片的表面上，并在室温下在催化剂制备室 以防止催化剂失活。 该方法还包括在制备催化剂之后在CNT生长室中在高真空中在基底上生长碳纳米管。

公开(公告)号：US20140010237A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US14005728

申请日：2012-02-03

申请人： Chun Yuan ,  Zhonglin Miao ,  Xiaoming Wang ,  Hengqi Liu

发明人： Chun Yuan ,  Zhonglin Miao ,  Xiaoming Wang ,  Hengqi Liu

IPC分类号： H04L12/801

CPC分类号： H04L47/34 ,  H04L5/1423

摘要： The disclosure discloses a reordering device and method for Ethernet transmission configured to solve a technical problem of large resource consumption and an the operating frequency failing to meet the requirement of a high-speed system in an existing reordering method. The reordering device provided by the disclosure includes a line sequence detecting module and a line sequence locking module, wherein the line sequence detecting module is configured to detect a line sequence corresponding to each channel, acquire a serial number of the channel and encode the serial number, and send the coded serial number to the line sequence locking module; and the line sequence locking module reorders input data according to the coded serial number received to obtain a reordered data stream, then sends out the reordered data stream, and at the same time, locks a sequence of the reordered data stream. By reordering and locking, the device and method provided by the disclosure can properly recover the sequence of data as soon as possible, thereby enhancing the operating frequency and lowering occupied resources.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于以太网传输的重新排序装置和方法，其被配置为解决大量资源消耗的技术问题，并且操作频率不能满足现有重新排序方法中的高速系统的要求。 由本公开提供的重新排序装置包括线路序列检测模块和线路序列锁定模块，其中线路序列检测模块被配置为检测与每个频道相对应的线路序列，获取频道的序列号并对序列号进行编码 并将编码序列号发送到行序锁定模块; 线路序列锁定模块根据接收到的编码序列号重新排序输入数据，以获得重新排序的数据流，然后发出重新排序的数据流，同时锁定重新排序的数据流的序列。 通过重新排序和锁定，本公开提供的设备和方法可以尽可能地适当地恢复数据序列，从而增强操作频率并降低占用的资源。

公开(公告)号：US07910937B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11344472

申请日：2006-02-01

申请人： Peng Chen ,  Soo Jin Chua ,  Zhonglin Miao ,  Sudhiranjan Tripathy

发明人： Peng Chen ,  Soo Jin Chua ,  Zhonglin Miao ,  Sudhiranjan Tripathy

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04

摘要： A method and structure for fabricating III-V nitride layers on silicon substrates includes a substrate, a transition structure having AlGaN, AlN and GaN layers, and a superlattice structure having AlGaN and GaN layers. In the invention, the large lattice mismatch (17%) between GaN and silicon is solved by using AlN as the first buffer layer with a 5:4 coincidence between AlN(0001) and Si(111) lattice to reduce the lattice mismatch to 1.3%.

摘要翻译： 用于在硅衬底上制造III-V族氮化物层的方法和结构包括衬底，具有AlGaN，AlN和GaN层的过渡结构，以及具有AlGaN和GaN层的超晶格结构。 在本发明中，通过使用AlN作为第一缓冲层，在AlN（0001）和Si（111）晶格之间具有5:4的一致性来解决GaN和硅之间的大晶格失配（17％），以将晶格失配减小到1.3 ％。

公开(公告)号：US20060191474A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11344472

申请日：2006-02-01

申请人： Peng Chen ,  Soo Chua ,  Zhonglin Miao ,  Sudhiranjan Tripathy

发明人： Peng Chen ,  Soo Chua ,  Zhonglin Miao ,  Sudhiranjan Tripathy

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04

摘要： A method and structure for fabricating III-V nitride layers on silicon substrates includes a substrate, a transition structure having AlGaN, AlN and GaN layers, and a superlattice structure having AlGaN and GaN layers. In the invention, the large lattice mismatch (17%) between GaN and silicon is solved by using AlN as the first buffer layer with a 5:4 coincidence between AlN(0001) and Si(111) lattice to reduce the lattice mismatch to 1.3%.

摘要翻译： 用于在硅衬底上制造III-V族氮化物层的方法和结构包括衬底，具有AlGaN，AlN和GaN层的过渡结构，以及具有AlGaN和GaN层的超晶格结构。 在本发明中，通过使用AlN作为第一缓冲层，在AlN（0001）和Si（111）晶格之间具有5:4的一致性来解决GaN和硅之间的大晶格失配（17％），以将晶格失配减小到1.3 ％。