公开(公告)号：US08154020B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12464118

申请日：2009-05-12

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yu-Cheng Chen ,  Hong-Zhang Lin ,  Yi-Chien Wen ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yu-Cheng Chen ,  Hong-Zhang Lin ,  Yi-Chien Wen ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0384 ,  Y02E10/548

摘要： A photo-voltaic cell device includes a first electrode, an N-type doped silicon-rich dielectric layer, a P-type doped silicon-rich dielectric layer, and a second electrode. The N-type doped silicon-rich dielectric layer is disposed on the first electrode, and the N-type doped silicon-rich dielectric layer is doped with an N-type dopant. The P-type doped silicon-rich dielectric layer is disposed on the N-type doped silicon-rich dielectric layer, and the P-type doped silicon-rich dielectric layer is doped with a P-type dopant. The second electrode is disposed on the P-type doped silicon-rich dielectric layer. A display panel including the photo-voltaic cell device is also provided.

摘要翻译： 光伏电池器件包括第一电极，N型掺杂的富硅介电层，P型掺杂的富硅介电层和第二电极。 N型掺杂富硅介电层设置在第一电极上，并且N型掺杂富硅介电层掺杂有N型掺杂剂。 P型掺杂富硅介电层设置在N型掺杂富硅介电层上，P型掺杂富硅介电层掺杂有P型掺杂剂。 第二电极设置在P型掺杂的富硅介电层上。 还提供了包括光伏电池装置的显示面板。

公开(公告)号：US20100163873A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12464118

申请日：2009-05-12

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yu-Cheng Chen ,  Hong-Zhang Lin ,  Yi-Chien Wen ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yu-Cheng Chen ,  Hong-Zhang Lin ,  Yi-Chien Wen ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/032 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0384 ,  Y02E10/548

摘要： A photo-voltaic cell device includes a first electrode, an N-type doped silicon-rich dielectric layer, a P-type doped silicon-rich dielectric layer, and a second electrode. The N-type doped silicon-rich dielectric layer is disposed on the first electrode, and the N-type doped silicon-rich dielectric layer is doped with an N-type dopant. The P-type doped silicon-rich dielectric layer is disposed on the N-type doped silicon-rich dielectric layer, and the P-type doped silicon-rich dielectric layer is doped with a P-type dopant. The second electrode is disposed on the P-type doped silicon-rich dielectric layer. A display panel including the photo-voltaic cell device is also provided.

摘要翻译： 光伏电池器件包括第一电极，N型掺杂的富硅介电层，P型掺杂的富硅介电层和第二电极。 N型掺杂富硅介电层设置在第一电极上，并且N型掺杂富硅介电层掺杂有N型掺杂剂。 P型掺杂富硅介电层设置在N型掺杂富硅介电层上，P型掺杂富硅介电层掺杂有P型掺杂剂。 第二电极设置在P型掺杂的富硅介电层上。 还提供了包括光伏电池装置的显示面板。

公开(公告)号：US08344381B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12709506

申请日：2010-02-21

申请人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/101 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/3227

摘要： A UV sensor comprises a silicon-rich dielectric layer with a refractive index in a range of about 1.7 to about 2.5 for serving as the light sensing material of the UV sensor. The fabrication method of the UV sensor can be integrated with the fabrication process of semiconductor devices or flat display panels.

摘要翻译： UV传感器包括富含硅的电介质层，其折射率在约1.7至约2.5的范围内，用作UV传感器的感光材料。 UV传感器的制造方法可以与半导体器件或平面显示面板的制造工艺集成。

公开(公告)号：US20100327289A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12709506

申请日：2010-02-21

申请人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chi-Hua Sheng ,  Ruei-Liang Luo ,  Wan-Yi Liu ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/101 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/3227

摘要： A UV sensor comprises a silicon-rich dielectric layer with a refractive index in a range of about 1.7 to about 2.5 for serving as the light sensing material of the UV sensor. The fabrication method of the UV sensor can be integrated with the fabrication process of semiconductor devices or flat display panels.

摘要翻译： UV传感器包括富含硅的电介质层，其折射率在约1.7至约2.5的范围内，用作UV传感器的感光材料。 UV传感器的制造方法可以与半导体器件或平面显示面板的制造工艺集成。

公开(公告)号：US08553186B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12571449

申请日：2009-10-01

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G02F1/133

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13324 ,  G02F2202/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G2330/02 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78621

摘要： A display panel having a pixel region and a sensing region includes a first substrate, a second substrate and a display medium layer. A plurality of pixel structures and at least one photo-voltaic cell device are disposed on the first substrate. The pixel structures are arranged in the pixel region in array, and each of the pixel structures includes a thin film transistor and a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor. The photo-voltaic cell device disposed in the sensing region includes a doped semiconductor layer, a transparent electrode layer, a first type doped silicon-rich dielectric layer and a second type doped silicon-rich dielectric layer. The first type doped silicon-rich dielectric layer and the second type doped silicon-rich dielectric layer are disposed between the doped semiconductor layer and the transparent electrode layer. The display medium layer is disposed between the first substrate and the second substrate.

摘要翻译： 具有像素区域和感测区域的显示面板包括第一基板，第二基板和显示介质层。 多个像素结构和至少一个光电池单元设置在第一基板上。 像素结构被布置在阵列中的像素区域中，并且每个像素结构包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。 设置在感测区域中的光伏电池器件包括掺杂半导体层，透明电极层，第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层。 第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层设置在掺杂半导体层和透明电极层之间。 显示介质层设置在第一基板和第二基板之间。

公开(公告)号：US08093648B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12501029

申请日：2009-07-10

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Chih-Wei Chao ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Chih-Wei Chao ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory and a structure thereof are provided. The manufacturing method comprises the following steps. Firstly, a substrate is provided. Next, a semiconductor layer is formed on the substrate. Then, a Si-rich dielectric layer is formed on the semiconductor layer. After that, a plurality of silicon nanocrystals is formed in the Si-rich dielectric layer by a laser annealing process to form a charge-storing dielectric layer. Last, a gate electrode is formed on the charge-storing dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种用于制造非易失性存储器的方法及其结构。 制造方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 接下来，在基板上形成半导体层。 然后，在半导体层上形成富Si介电层。 之后，通过激光退火工艺在富Si介电层中形成多个硅纳米晶体，形成电荷存储电介质层。 最后，在电荷存储介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：US20100315580A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12571449

申请日：2009-10-01

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G02F1/133 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13324 ,  G02F2202/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G2330/02 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78621

摘要： A display panel having a pixel region and a sensing region includes a first substrate, a second substrate and a display medium layer. A plurality of pixel structures and at least one photo-voltaic cell device are disposed on the first substrate. The pixel structures are arranged in the pixel region in array, and each of the pixel structures includes a thin film transistor and a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor. The photo-voltaic cell device disposed in the sensing region includes a doped semiconductor layer, a transparent electrode layer, a first type doped silicon-rich dielectric layer and a second type doped silicon-rich dielectric layer. The first type doped silicon-rich dielectric layer and the second type doped silicon-rich dielectric layer are disposed between the doped semiconductor layer and the transparent electrode layer. The display medium layer is disposed between the first substrate and the second substrate.

摘要翻译： 具有像素区域和感测区域的显示面板包括第一基板，第二基板和显示介质层。 多个像素结构和至少一个光电池单元设置在第一基板上。 像素结构被布置在阵列中的像素区域中，并且每个像素结构包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。 设置在感测区域中的光伏电池器件包括掺杂半导体层，透明电极层，第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层。 第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层设置在掺杂半导体层和透明电极层之间。 显示介质层设置在第一基板和第二基板之间。

公开(公告)号：US08907923B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US12718998

申请日：2010-03-07

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Hung-Wei Tseng ,  Cheng-Chiu Pai ,  Yu-Hsuan Li ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Hung-Wei Tseng ,  Cheng-Chiu Pai ,  Yu-Hsuan Li ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G06F3/042 ,  H01L27/146 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/0421 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04109 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/028 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202

摘要： The present invention provides a photo sensor, a method of forming the photo sensor, and a related optical touch device. The photo sensor includes a first electrode, a second electrode, a first silicon-rich dielectric layer and a second silicon-rich dielectric layer. The first silicon-rich dielectric layer is disposed between the first electrode and the second electrode for sensing infrared rays, and the second silicon-rich dielectric layer is disposed between the first silicon-rich dielectric layer and the second electrode for sensing visible light beams. The multi-layer structure including the first silicon-rich dielectric layer and the second silicon-rich dielectric layer enables the single photo sensor to effectively detect both infrared rays and visible light beams. Moreover, the single photo sensor is easily integrated into an optical touch device to form optical touch panel integrated on glass.

摘要翻译： 本发明提供一种光传感器，形成光传感器的方法和相关的光学触摸装置。 光传感器包括第一电极，第二电极，第一富硅介电层和第二富硅介电层。 第一富硅介电层设置在用于感测红外线的第一电极和第二电极之间，并且第二富硅电介质层设置在第一富硅电介质层和第二电极之间，用于感测可见光束。 包括第一富硅介电层和第二富硅介电层的多层结构使得单个光传感器能够有效地检测红外线和可见光束。 此外，单个光传感器容易地集成到光学触摸装置中，以形成集成在玻璃上的光学触摸面板。

公开(公告)号：US08772075B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US12717938

申请日：2010-03-04

申请人： An-Thung Cho ,  Jung-Yen Huang ,  Chia-Tien Peng ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Jung-Yen Huang ,  Chia-Tien Peng ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04108 ,  H01L27/323

摘要： A display region and a light sensing region are defined in each pixel region of the OLED touch panel of the present invention. The readout thin film transistor of the light sensing region is formed by the same processes with the drive thin film transistor of the display region. The top and bottom electrodes of the optical sensor are formed by the same processes with the top and bottom electrodes of the OLED. Accordingly, the present invention can just add a step of forming the patterned sensing dielectric layer to the processes of forming an OLED panel to integrate the optical sensor into the pixel region of the OLED panel. Thus, an OLED touch panel is formed.

摘要翻译： 在本发明的OLED触摸面板的每个像素区域中限定显示区域和感光区域。 光检测区域的读出薄膜晶体管通过与显示区域的驱动薄膜晶体管相同的处理形成。 光学传感器的顶部和底部电极通过与OLED的顶部和底部电极相同的工艺形成。 因此，本发明可以仅添加形成图案化的感测电介质层的步骤，以形成OLED面板以将光学传感器集成到OLED面板的像素区域中的过程。 因此，形成OLED触摸面板。

公开(公告)号：US20100321341A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12718998

申请日：2010-03-07

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Hung-Wei Tseng ,  Cheng-Chiu Pai ,  Yu-Hsuan Li ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Hung-Wei Tseng ,  Cheng-Chiu Pai ,  Yu-Hsuan Li ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G06F3/042 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： G06F3/0421 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04109 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/028 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202

摘要： The present invention provides a photo sensor, a method of forming the photo sensor, and a related optical touch device. The photo sensor includes a first electrode, a second electrode, a first silicon-rich dielectric layer and a second silicon-rich dielectric layer. The first silicon-rich dielectric layer is disposed between the first electrode and the second electrode for sensing infrared rays, and the second silicon-rich dielectric layer is disposed between the first silicon-rich dielectric layer and the second electrode for sensing visible light beams. The multi-layer structure including the first silicon-rich dielectric layer and the second silicon-rich dielectric layer enables the single photo sensor to effectively detect both infrared rays and visible light beams. Moreover, the single photo sensor is easily integrated into an optical touch device to form optical touch panel integrated on glass.

摘要翻译： 本发明提供一种光传感器，形成光传感器的方法和相关的光学触摸装置。 光传感器包括第一电极，第二电极，第一富硅介电层和第二富硅介电层。 第一富硅介电层设置在用于感测红外线的第一电极和第二电极之间，并且第二富硅电介质层设置在第一富硅电介质层和第二电极之间，用于感测可见光束。 包括第一富硅介电层和第二富硅介电层的多层结构使得单个光传感器能够有效地检测红外线和可见光束。 此外，单个光传感器容易地集成到光学触摸装置中，以形成集成在玻璃上的光学触摸面板。