公开(公告)号：US08461648B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

公开(公告)号：US20120018856A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12842488

申请日：2010-07-23

申请人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Joachim Weyers ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method of forming a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type, and a semiconductor device with drift regions of a first doping type and compensation regions of a second doping type.

摘要翻译： 公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂型的补偿区的半导体器件的方法，以及具有第一掺杂类型的漂移区和第二掺杂类型的补偿区的半导体器件。

公开(公告)号：US20100078694A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12241808

申请日：2008-09-30

申请人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7828 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0036

摘要： A description is given of a normally on semiconductor component having a drift zone, a drift control zone and a drift control zone dielectric arranged between the drift zone and the drift control zone.

摘要翻译： 给出了具有漂移区，漂移控制区和布置在漂移区和漂移控制区之间的漂移控制区电介质的常规半导体元件的描述。

公开(公告)号：US20090224302A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12043429

申请日：2008-03-06

申请人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Anton Mauder ,  Holger Kapels ,  Gerald Deboy ,  Franz Hirler

发明人： Armin Willmeroth ,  Winfried Kaindl ,  Carolin Tolksdorf ,  Anton Mauder ,  Holger Kapels ,  Gerald Deboy ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0733 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with inherent capacitances and method for its production. The semiconductor device has an inherent feedback capacitance between a control electrode and a first electrode. In addition, the semiconductor device has an inherent drain-source capacitance between the first electrode and a second electrode. At least one monolithically integrated additional capacitance is connected in parallel to the inherent feedback capacitance or in parallel to the inherent drain-source capacitance. The additional capacitance comprises a first capacitor surface and a second capacitor surface opposite the first capacitor surface. The capacitor surfaces are structured conductive layers of the semiconductor device on a front side of the semiconductor body, between which a dielectric layer is located and which form at least one additional capacitor.

摘要翻译： 具有固有电容的半导体器件及其制造方法。 半导体器件在控制电极和第一电极之间具有固有的反馈电容。 此外，半导体器件在第一电极和第二电极之间具有固有的漏极 - 源极电容。 至少一个单片集成附加电容与固有反馈电容并联连接，或与固有漏 - 源电容并联连接。 附加电容包括与第一电容器表面相对的第一电容器表面和第二电容器表面。 电容器表面是半导体器件的前侧上的半导体器件的结构化导电层，介电层位于其之间，并形成至少一个附加电容器。

公开(公告)号：US20080067626A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11834154

申请日：2007-08-06

申请人： Franz Hirler ,  Thoralf Kautzsch ,  Anton Mauder ,  Michael Rueb ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth

发明人： Franz Hirler ,  Thoralf Kautzsch ,  Anton Mauder ,  Michael Rueb ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor device, in which a first trench section is produced proceeding from a surface of a semiconductor body into the semiconductor body. A semiconductor layer is produced above the surface and above the first trench section. A further trench section is produced in the semiconductor layer in such a way that the first trench section and the further trench section form a continuous trench structure.

摘要翻译： 一种半导体器件，其中制造从半导体本体的表面进入半导体本体的第一沟槽部分。 在表面上方和第一沟槽部分之上产生半导体层。 在半导体层中产生另一沟槽部分，使得第一沟槽部分和另外的沟槽部分形成连续的沟槽结构。

公开(公告)号：US07943987B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11874591

申请日：2007-10-18

申请人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Stefan Sedlmaier ,  Frank Pfirsch

发明人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Stefan Sedlmaier ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component has a drift zone and a drift control zone, a drift control zone dielectric, which is arranged in sections between the drift zone and the drift control zone, and has a first and a second connection zone, which are doped complementarily with respect to one another and which form a pn junction between the drift control zone and a section of the drift zone.

摘要翻译： 半导体部件具有漂移区和漂移控制区，漂移控制区电介质，其布置在漂移区和漂移控制区之间的部分中，并且具有第一和第二连接区，其相互掺杂互补 并且在漂移控制区域和漂移区段的一部分之间形成pn结。

公开(公告)号：US07825467B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12241808

申请日：2008-09-30

申请人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7828 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0036

摘要： A description is given of a normally on semiconductor component having a drift zone, a drift control zone and a drift control zone dielectric arranged between the drift zone and the drift control zone.

摘要翻译： 给出了具有漂移区，漂移控制区和布置在漂移区和漂移控制区之间的漂移控制区电介质的常规半导体元件的描述。

公开(公告)号：US20090218621A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

摘要翻译： 具有漂移区域和漂移控制区域的半导体部件。 一个实施例包括半导体本体中具有第一导电类型的漂移区的半导体本体。 由半导体材料组成的漂移控制区域至少部分地布置成与半导体本体中的漂移区域相邻。 在漂移区域和漂移控制区域之间布置积累电介质。

公开(公告)号：US20080265320A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12019271

申请日：2008-01-24

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/063 ,  H03K17/567

摘要： A component arrangement including a MOS transistor having a field electrode is disclosed. One embodiment includes a gate electrode, a drift zone and a field electrode, arranged adjacent to the drift zone and dielectrically insulated from the drift zone by a dielectric layer a charging circuit, having a rectifier element connected between the gate electrode and the field electrode.

摘要翻译： 公开了一种包括具有场电极的MOS晶体管的部件布置。 一个实施例包括栅极，漂移区和场电极，其布置成与漂移区相邻并且通过介电层与漂移区介电绝缘，该充电电路具有连接在栅电极和场电极之间的整流元件。

公开(公告)号：US20080197380A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11706860

申请日：2007-02-15

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Franz Hirler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component is disclosed herein comprising a drift zone and a drift control zone. The drift control zone is arranged adjacent to the drift zone and is dielectrically insulated from the drift zone by a dielectric layer. The drift control zone includes at least one first semiconductor layer and one second semiconductor layer. The first semiconductor layer has a higher charge carrier mobility than the second semiconductor layer.

摘要翻译： 本文公开了一种半导体元件，其包括漂移区和漂移控制区。 漂移控制区域布置成与漂移区相邻，并且通过介电层与漂移区介电绝缘。 漂移控制区包括至少一个第一半导体层和一个第二半导体层。 第一半导体层具有比第二半导体层更高的电荷载流子迁移率。