公开(公告)号：US20080314311A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11767520

申请日：2007-06-24

申请人： Brian H. Burrows ,  Alexander Tam ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik

发明人： Brian H. Burrows ,  Alexander Tam ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik

IPC分类号： C30B25/14 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

摘要： A method and apparatus that may be utilized in deposition processes, such as hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition of metal nitride films, are provided. A first set of passages may introduce a metal containing precursor gas. A second set of passages may provide a nitrogen-containing precursor gas. The first and second sets of passages may be interspersed in an effort to separate the metal containing precursor gas and nitrogen-containing precursor gas until they reach a substrate. An inert gas may also be flowed down through the passages to help keep separation and limit reaction at or near the passages, thereby preventing unwanted deposition on the passages.

摘要翻译： 提供了可用于沉积工艺的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延（HVPE）沉积。 第一组通道可以引入含金属的前体气体。 第二组通道可以提供含氮前体气体。 第一组和第二组通道可以散布，以分离含金属的前体气体和含氮前体气体，直到它们到达基底。 惰性气体也可以通过通道向下流动，以帮助保持分离并限制通道处或附近的反应，从而防止通道上的不希望的沉积。

公开(公告)号：US20100215854A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12776351

申请日：2010-05-07

申请人： Brian H. Burrows ,  Alexander Tam ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik

发明人： Brian H. Burrows ,  Alexander Tam ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/00 ,  C23C16/08

CPC分类号： C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

摘要： A method and apparatus that may be utilized in deposition processes, such as hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition of metal nitride films, are provided. A first set of passages may introduce a metal containing precursor gas. A second set of passages may provide a nitrogen-containing precursor gas. The first and second sets of passages may be interspersed in an effort to separate the metal containing precursor gas and nitrogen-containing precursor gas until they reach a substrate. An inert gas may also be flowed down through the passages to help keep separation and limit reaction at or near the passages, thereby preventing unwanted deposition on the passages.

摘要翻译： 提供了可用于沉积工艺的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延（HVPE）沉积。 第一组通道可以引入含金属的前体气体。 第二组通道可以提供含氮前体气体。 第一组和第二组通道可以散布，以分离含金属的前体气体和含氮前体气体，直到它们到达基底。 惰性气体也可以通过通道向下流动，以帮助保持分离并限制通道处或附近的反应，从而防止通道上的不希望的沉积。

公开(公告)号：US20080314317A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11925630

申请日：2007-10-26

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan ,  Ronald Stevens ,  Sumedh Acharya

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan ,  Ronald Stevens ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： C23C16/455 ,  G05D23/00

CPC分类号： C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  G05D23/22 ,  G05D23/27

摘要： A method and apparatus that may be utilized in deposition processes, such as hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition of metal nitride films, are provided. A first set of passages may introduce a metal containing precursor gas. A second set of passages may provide a nitrogen-containing precursor gas. The first and second sets of passages may be interspersed in an effort to separate the metal containing precursor gas and nitrogen-containing precursor gas until they reach a substrate. An inert gas may also be flowed down through the passages to help keep separation and limit reaction at or near the passages, thereby preventing unwanted deposition on the passages.

摘要翻译： 提供了可用于沉积工艺的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延（HVPE）沉积。 第一组通道可以引入含金属的前体气体。 第二组通道可以提供含氮前体气体。 第一组和第二组通道可以散布，以分离含金属的前体气体和含氮前体气体，直到它们到达基底。 惰性气体也可以通过通道向下流动，以帮助保持分离并限制通道处或附近的反应，从而防止通道上的不希望的沉积。

公开(公告)号：US20110076400A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12888302

申请日：2010-09-22

申请人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan

发明人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4404

摘要： One embodiment of the forming a nanocrystalline diamond-structured carbon layer on a silicon carbide layer comprises providing a silicon carbide layer in a reaction chamber and exposing the silicon carbide layer to a chlorine containing gas for an exposure time period to form a nanocrystalline diamond-structured carbon layer from the silicon carbide layer.

摘要翻译： 在碳化硅层上形成纳米晶体金刚石结构碳层的一个实施例包括在反应室中提供碳化硅层，并将碳化硅层暴露于含氯气体的曝光时间段以形成纳米晶体金刚石结构 碳层从碳化硅层。

公开(公告)号：US20100261340A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12751692

申请日：2010-03-31

申请人： SANDEEP NIJHAWAN ,  Brian H. Burrows ,  Tetsuya Ishikawa ,  Olga Kryliouk ,  Anand Vasudev ,  Jie Su ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

发明人： SANDEEP NIJHAWAN ,  Brian H. Burrows ,  Tetsuya Ishikawa ,  Olga Kryliouk ,  Anand Vasudev ,  Jie Su ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L33/007

摘要： The present invention generally provides apparatus and methods for forming LED structures. One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a compound nitride structure comprising forming a first layer comprising a first group-III element and nitrogen on substrates in a first processing chamber by a hydride vapor phase epitaxial (HVPE) process or a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, forming a second layer comprising a second group-III element and nitrogen over the first layer in a second processing chamber by a MOCVD process, and forming a third layer comprising a third group-III element and nitrogen over the second layer by a MOCVD process.

摘要翻译： 本发明总体上提供了用于形成LED结构的装置和方法。 本发明的一个实施方案提供了一种用于制造氮化物复合结构的方法，其包括通过氢化物气相外延（HVPE）工艺或金属有机物在第一处理室中在衬底上形成包含第一III族元素的氮和氮 化学气相沉积（MOCVD）工艺，通过MOCVD工艺在第二处理室中在第一层上形成包含第二组III元素的第二层和氮，并且形成包含第三族III族元素和氮的第三层 第二层通过MOCVD过程。

公开(公告)号：US08183132B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12751692

申请日：2010-03-31

申请人： Sandeep Nijhawan ,  Brian H. Burrows ,  Tetsuya Ishikawa ,  Olga Kryliouk ,  Anand Vasudev ,  Jie Su ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

发明人： Sandeep Nijhawan ,  Brian H. Burrows ,  Tetsuya Ishikawa ,  Olga Kryliouk ,  Anand Vasudev ,  Jie Su ,  David H. Quach ,  Anzhong Chang ,  Yuriy Melnik ,  Harsukhdeep S. Ratia ,  Son T. Nguyen ,  Lily Pang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L33/007

摘要： The present invention generally provides apparatus and methods for forming LED structures. One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a compound nitride structure comprising forming a first layer comprising a first group-III element and nitrogen on substrates in a first processing chamber by a hydride vapor phase epitaxial (HVPE) process or a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, forming a second layer comprising a second group-III element and nitrogen over the first layer in a second processing chamber by a MOCVD process, and forming a third layer comprising a third group-III element and nitrogen over the second layer by a MOCVD process.

摘要翻译： 本发明总体上提供了用于形成LED结构的装置和方法。 本发明的一个实施方案提供了一种用于制造氮化物复合结构的方法，其包括通过氢化物气相外延（HVPE）工艺或金属有机物在第一处理室中在衬底上形成包含第一III族元素的氮和氮 化学气相沉积（MOCVD）工艺，通过MOCVD工艺在第二处理室中在第一层上形成包含第二组III元素的第二层和氮，并且形成包含第三族III族元素和氮的第三层 第二层通过MOCVD过程。

公开(公告)号：US20090136652A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US11925615

申请日：2007-10-26

申请人： Lori D. Washington ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan

发明人： Lori D. Washington ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/481 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method and apparatus that may be utilized in deposition processes, such as hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition of metal nitride films, are provided. A first set of passages may introduce a metal containing precursor gas. A second set of passages may provide a nitrogen-containing precursor gas. The first and second sets of passages may be interspersed in an effort to separate the metal containing precursor gas and nitrogen-containing precursor gas until they reach a substrate. An inert gas may also be flowed down through the passages to help keep separation and limit reaction at or near the passages, thereby preventing unwanted deposition on the passages.

摘要翻译： 提供了可用于沉积工艺的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延（HVPE）沉积。 第一组通道可以引入含金属的前体气体。 第二组通道可以提供含氮前体气体。 第一组和第二组通道可以散布，以分离含金属的前体气体和含氮前体气体，直到它们到达基底。 惰性气体也可以通过通道向下流动，以帮助保持分离并限制通道处或附近的反应，从而防止通道上的不希望的沉积。

公开(公告)号：US20090149008A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12244440

申请日：2008-10-02

申请人： Olga Kryliouk ,  Sandeep Nijhawan ,  Yuriy Melnik ,  Lori D. Washington ,  Jacob W. Grayson ,  Sung W. Jun ,  Jie Su

发明人： Olga Kryliouk ,  Sandeep Nijhawan ,  Yuriy Melnik ,  Lori D. Washington ,  Jacob W. Grayson ,  Sung W. Jun ,  Jie Su

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45578 ,  C30B29/403

摘要： Embodiments of the invention generally relate to methods for forming Group III-V materials by a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process. In one embodiment, a method for forming a gallium nitride material on a substrate within a processing chamber is provided which includes heating a metallic source to form a heated metallic source, wherein the heated metallic source contains gallium, aluminum, indium, alloys thereof, or combinations thereof, exposing the heated metallic source to chlorine gas while forming a metallic chloride gas, exposing the substrate to the metallic chloride gas and a nitrogen precursor gas while forming a metal nitride layer on the substrate during the HVPE process. The method further provides exposing the substrate to chlorine gas during a pretreatment process prior to forming the metal nitride layer. In one example, the exhaust conduit of the processing chamber is heated to about 200° C. or less during the pretreatment process.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及通过氢化物气相外延（HVPE）方法形成III-V族材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在处理室内的衬底上形成氮化镓材料的方法，其包括加热金属源以形成加热的金属源，其中加热的金属源包含镓，铝，铟，其合金或 其组合，同时形成金属氯化物气体，将加热的金属源暴露于氯气中，在HVPE工艺期间在衬底上形成金属氮化物层，同时将衬底暴露于金属氯化物气体和氮气前体气体。 该方法还在形成金属氮化物层之前在预处理工艺期间将衬底暴露于氯气。 在一个实例中，处理室的排气管道在预处理过程中被加热到约200℃或更低。

公开(公告)号：US20110263111A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13071215

申请日：2011-03-24

申请人： Yuriy Melnik ,  Olga Kryliouk ,  Lu Chen ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

发明人： Yuriy Melnik ,  Olga Kryliouk ,  Lu Chen ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

IPC分类号： H01L21/22 ,  C30B35/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/2233 ,  C23C16/30 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/007 ,  H01L33/325

摘要： Group III-nitride N-type doping techniques are described.

摘要翻译： 描述了III族氮化物N型掺杂技术。

公开(公告)号：US09431477B2

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：US13959469

申请日：2013-08-05

申请人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

发明人： Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Hidehiro Kojiri ,  Tetsuya Ishikawa

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/04 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22

摘要： A method of depositing a high quality low defect single crystalline Group III-Nitride film. A patterned substrate having a plurality of features with inclined sidewalls separated by spaces is provided. A Group III-Nitride film is deposited by a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process over the patterned substrate. The HVPE deposition process forms a Group III-Nitride film having a first crystal orientation in the spaces between features and a second different crystal orientation on the inclined sidewalls. The first crystal orientation in the spaces subsequently overgrows the second crystal orientation on the sidewalls and in the process turns over and terminates treading dislocations formed in the first crystal orientation.