公开(公告)号：US20130075720A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13554393

申请日：2012-07-20

申请人： Byung Du AHN ,  Je Hun LEE ,  Sei-Yong PARK ,  Jun Hyun PARK ,  Gun Hee KIM ,  Ji Hun LIM ,  Jae Woo PARK ,  Jin Seong PARK ,  Toshihiro KUGIMIYA ,  Aya MIKI ,  Shinya MORITA ,  Tomoya KISHI ,  Hiroaki TAO

发明人： Byung Du AHN ,  Je Hun LEE ,  Sei-Yong PARK ,  Jun Hyun PARK ,  Gun Hee KIM ,  Ji Hun LIM ,  Jae Woo PARK ,  Jin Seong PARK ,  Toshihiro KUGIMIYA ,  Aya MIKI ,  Shinya MORITA ,  Tomoya KISHI ,  Hiroaki TAO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/38

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

摘要： An oxide semiconductor includes a first material including at least one selected from the group consisting of zinc (Zn) and tin (Sn), and a second material, where a value acquired by subtracting an electronegativity difference value between the second material and oxygen (O) from the electronegativity difference value between the first material and oxygen (O) is less than about 1.3.

摘要翻译： 氧化物半导体包括包含选自锌（Zn）和锡（Sn）中的至少一种的第一材料和第二材料，其中通过减去第二材料和氧之间的电负性差值获得的值（O ）从第一材料和氧（O）之间的电负性差值小于约1.3。

公开(公告)号：US20130260497A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13567823

申请日：2012-08-06

申请人： Byung Du AHN ,  Jun Hyung LIM ,  Jin Seong PARK

发明人： Byung Du AHN ,  Jun Hyung LIM ,  Jin Seong PARK

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes, forming a gate electrode, a gate insulating layer, and an oxide semiconductor layer on a substrate, first heat treating the substrate comprising the oxide semiconductor layer, forming a source electrode and a drain electrode on the oxide semiconductor layer, the source and drain electrodes facing each other, and forming a passivation layer on the source electrode and the drain electrode. The first heat treating is performed at more than 1 atmosphere and at most 50 or less atmospheres.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在基板上形成栅电极，栅极绝缘层和氧化物半导体层，首先对包含氧化物半导体层 在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏极，所述源极和漏极彼此相对，并且在所述源电极和所述漏电极上形成钝化层。 第一热处理在大于1个大气压和至多50个或更少的大气压下进行。

公开(公告)号：US20140034882A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US14050555

申请日：2013-10-10

申请人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jang Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

发明人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jang Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01B1/24 ,  C08L33/12 ,  C08L35/04 ,  C09J9/02 ,  C09J175/16 ,  H01B1/12

摘要： An anisotropic conductive film includes a binder part, a curing part, an initiator, and conductive particles, wherein the binder part includes at least one of a nitrile butadiene rubber (NBR) resin and a urethane resin, wherein the anisotropic conductive film has an electrical conductivity of more than 0 μS/cm to about 100 μS/cm.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括粘合剂部分，固化部分，引发剂和导电颗粒，其中粘合剂部分包括丁腈橡胶（NBR）树脂和聚氨酯树脂中的至少一种，其中各向异性导电膜具有电 电导率大于0μS/ cm至约100μS/ cm。

公开(公告)号：US20130236681A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13785354

申请日：2013-03-05

申请人： Chang Min LEE ,  Seung Jib CHOI ,  Ji Hye KWON ,  Irina NAM ,  Jin Seong PARK ,  Yeon Soo LEE ,  Kyoung Jin HA

发明人： Chang Min LEE ,  Seung Jib CHOI ,  Ji Hye KWON ,  Irina NAM ,  Jin Seong PARK ,  Yeon Soo LEE ,  Kyoung Jin HA

IPC分类号： C09D183/06

CPC分类号： C09D183/06 ,  C08G77/20 ,  C08L83/06 ,  C08L2312/06 ,  C09D143/04 ,  Y10T428/23

摘要： A photocurable composition includes (A) a photocurable monomer and (B) a silicon-containing monomer or oligomer thereof, the silicon-containing monomer being represented by Formula 1

摘要翻译： 光固化性组合物包含（A）光固化性单体和（B）含硅单体或其低聚物，所述含硅单体由式1表示

公开(公告)号：US20130196129A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13803266

申请日：2013-03-14

申请人： Woo Suk LEE ,  Bong Yong KIM ,  Dong Seon UH ,  Jin Seong PARK ,  Kyoung Soo PARK ,  Woo Jun LIM ,  Kyung Jin LEE

发明人： Woo Suk LEE ,  Bong Yong KIM ,  Dong Seon UH ,  Jin Seong PARK ,  Kyoung Soo PARK ,  Woo Jun LIM ,  Kyung Jin LEE

IPC分类号： H01R4/04

CPC分类号： H01R4/04 ,  B32B7/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  Y10T428/24942

摘要： An anisotropic conductive film includes a first insulating adhesive layer, a conductive adhesive layer, and a second insulating adhesive layer which are sequentially stacked on a base film, wherein an adhesive strength ratio of the second insulating adhesive layer to the first insulating adhesive layer is about 1.1 to about 20.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括依次堆叠在基膜上的第一绝缘粘合剂层，导电粘合剂层和第二绝缘粘合剂层，其中第二绝缘粘合剂层与第一绝缘粘合剂层的粘合强度比为约 1.1〜约20。

公开(公告)号：US20140042374A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US14056989

申请日：2013-10-18

申请人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jang Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

发明人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jang Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

IPC分类号： H01B1/22

CPC分类号： H01B1/22 ,  C08F290/067 ,  C08K3/08 ,  C08L9/02 ,  C08L33/04 ,  C08L33/10 ,  C08L33/12 ,  C08L35/04 ,  C08L75/04 ,  C08L75/14 ,  C09J4/06 ,  C09J9/02 ,  C09J109/02 ,  C09J175/16 ,  C08F290/048

摘要： An anisotropic conductive film includes a binder part, a curing part, an initiator, and conductive particles, wherein the binder part includes at least one of a nitrile butadiene rubber (NBR) resin and a urethane resin, the anisotropic conductive film has a halogen ion content of more than 0 ppm to about 100 ppm.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括粘合剂部分，固化部分，引发剂和导电颗粒，其中粘合剂部分包括丁腈橡胶（NBR）树脂和聚氨酯树脂中的至少一种，各向异性导电膜具有卤素离子 含量大于0ppm至约100ppm。

公开(公告)号：US20130213691A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13834349

申请日：2013-03-15

申请人： Kyoung Soo PARK ,  Woo Suk LEE ,  Woo Jun LIM ,  Kyung Jin LEE ,  Bong Yong KIM ,  Jin Seong PARK ,  Dong Seon UH ,  Youn Jo KO ,  Jang Hyun CHO ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

发明人： Kyoung Soo PARK ,  Woo Suk LEE ,  Woo Jun LIM ,  Kyung Jin LEE ,  Bong Yong KIM ,  Jin Seong PARK ,  Dong Seon UH ,  Youn Jo KO ,  Jang Hyun CHO ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

IPC分类号： H01B3/08 ,  H01B13/00 ,  H01B7/00

CPC分类号： H01B3/082 ,  C08K3/08 ,  C09J7/10 ,  C09J133/068 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/602 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01B7/00 ,  H01B13/00 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An anisotropic conductive film, the anisotropic conductive film including an insulating layer and a conductive layer laminated on the insulating layer, the conductive layer containing conductive particles, wherein after glass substrates are positioned to face each other on the upper and lower surface of the anisotropic conductive film and are pressed against the anisotropic conductive film at 3 MPa (based on the sample area) and 160° C. (based on the detection temperature of the anisotropic conductive film) for 5 sec, a ratio of the area of the insulating layer to that of the conductive layer is from about 1.3:1 to about 3.0:1.

摘要翻译： 各向异性导电膜，各向异性导电膜包括层叠在绝缘层上的绝缘层和导电层，导电层含有导电颗粒，其中玻璃基板在各向异性导电层的上表面和下表面上彼此面对 并以3MPa（基于样品面积）和160℃（基于各向异性导电膜的检测温度）5秒压制各向异性导电膜，将绝缘层的面积与 导电层的厚度为约1.3:1至约3.0:1。

公开(公告)号：US20120168683A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13241811

申请日：2011-09-23

申请人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jaug Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

发明人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jaug Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01B1/24 ,  C08L33/12 ,  C08L35/04 ,  C09J9/02 ,  C09J175/16 ,  H01B1/12

摘要： An anisotropic conductive film includes a binder part, a curing part, an initiator, and conductive particles, wherein the binder part includes at least one of a nitrile butadiene rubber (NBR) resin and a urethane resin, the binder part having an ion content of more than 0 ppm to about 100 ppm.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括粘合剂部分，固化部分，引发剂和导电颗粒，其中粘合剂部分包括丁腈橡胶（NBR）树脂和聚氨酯树脂中的至少一种，粘合剂部分的离子含量为 大于0ppm至约100ppm。