公开(公告)号：US20140065058A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13605536

申请日：2012-09-06

申请人： ByungChun PARK ,  Woosik KIM ,  HoSuk SHIN ,  Soonho AHN ,  Hong Kyu PARK ,  Joon Hyun CHANG

发明人： ByungChun PARK ,  Woosik KIM ,  HoSuk SHIN ,  Soonho AHN ,  Hong Kyu PARK ,  Joon Hyun CHANG

IPC分类号： H01M4/485 ,  B01J19/18

CPC分类号： C01G53/006 ,  B01J19/1843 ,  B01J2219/00094 ,  B01J2219/182 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/52 ,  H01B1/08 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052

摘要： Provided are an apparatus for preparing a cathode active material precursor for lithium secondary batteries including a cylindrical outer chamber, an inner cylinder that has the same central axis as the outer chamber and is mounted to rotatably move along the central axis, an electric motor to transfer power to rotate the inner cylinder, a reactant inlet disposed on the outer chamber, to add reactants to a space between the outer chamber and the inner cylinder, and an outlet disposed in the outer chamber, to obtain reaction products after reaction in the space between the outer chamber and the inner cylinder, and a method for preparing a cathode active material precursor for lithium secondary batteries using the apparatus.

摘要翻译： 本发明提供一种锂二次电池用正极活性物质前体的制造装置，其包括：圆筒状外室，具有与外部室相同的中心轴并安装成沿着中心轴可旋转地移动的内筒， 用于旋转内筒的功率，设置在外室上的反应物入口，以将反应物添加到外室和内筒之间的空间以及设置在外室中的出口，以在反应之后在第二 外室和内筒，以及使用该装置制备锂二次电池用正极活性物质前体的方法。

公开(公告)号：US20160155741A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：US14955107

申请日：2015-12-01

申请人： Je-Min YOO ,  Sangyoon KIM ,  Woosik KIM ,  Jongmil YOUN ,  Hwasung RHEE ,  Heedon JEONG

发明人： Je-Min YOO ,  Sangyoon KIM ,  Woosik KIM ,  Jongmil YOUN ,  Hwasung RHEE ,  Heedon JEONG

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928

摘要： A semiconductor device includes a substrate with a NMOS region and a PMOS region, a device isolation layer on the substrate to define active fins, and gate patterns on the substrate to have a length direction crossing the active fins, wherein the device isolation layer includes diffusion brake regions between respective pairs of the active fins, the diffusion brake regions being disposed adjacent to each other in a width direction of the gate patterns, and wherein a width of the diffusion brake region in the NMOS region is different from a width of the diffusion brake region in the PMOS region.

摘要翻译： 半导体器件包括具有NMOS区域和PMOS区域的衬底，衬底上的器件隔离层，以限定有源散热片，以及衬底上具有与激活鳍片相交的长度方向的栅极图案，其中器件隔离层包括扩散 在各对活动翅片之间的制动区域，扩散制动区域在栅极图案的宽度方向上彼此相邻设置，并且其中，NMOS区域中的扩散制动区域的宽度不同于扩散区域的宽度 制动区域。