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1.发明申请PROCESS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE CRYSTALS HAVING INCREASED MINORITY CARRIER LIFETIMES 有权生产具有增加少数载体寿命的碳化硅晶体的方法公开(公告)号：US20100320477A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：US12871095
申请日：2010-08-30
申请人： Calvin H. Carter, JR. , Jason R. Jenny , David P. Malta , Hudson M. Hobgood , Valeri F. Tsvetkov , Mrinal K. Das
发明人： Calvin H. Carter, JR. , Jason R. Jenny , David P. Malta , Hudson M. Hobgood , Valeri F. Tsvetkov , Mrinal K. Das
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/868
摘要： A process is described for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes. The process includes the steps of heating and slowly cooling a silicon carbide crystal having a first concentration of minority carrier recombination centers such that the resultant concentration of minority carrier recombination centers is lower than the first concentration.
摘要翻译： 描述了一种用于生产具有增加的少数载流子寿命的碳化硅晶体的方法。 该方法包括以下步骤：加热并缓慢冷却具有第一浓度的少数载流子复合中心的碳化硅晶体，使得所得到的少数载流子复合中心的浓度低于第一浓度。
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2.发明授权Process for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes 有权具有增加的少数载流子寿命的碳化硅晶体的生产方法公开(公告)号：US07811943B2
公开(公告)日：2010-10-12
申请号：US11052679
申请日：2005-02-07
申请人： Calvin H. Carter, Jr. , Jason R. Jenny , David P. Malta , Hudson M. Hobgood , Valeri F. Tsvetkov , Mrinal K. Das
发明人： Calvin H. Carter, Jr. , Jason R. Jenny , David P. Malta , Hudson M. Hobgood , Valeri F. Tsvetkov , Mrinal K. Das
IPC分类号： H01L21/31
摘要： A process is described for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes. The process includes the steps of heating and slowly cooling a silicon carbide crystal having a first concentration of minority carrier recombination centers such that the resultant concentration of minority carrier recombination centers is lower than the first concentration.
摘要翻译： 描述了一种用于生产具有增加的少数载流子寿命的碳化硅晶体的方法。 该方法包括以下步骤：加热并缓慢冷却具有第一浓度的少数载流子复合中心的碳化硅晶体，使得所得到的少数载流子复合中心的浓度低于第一浓度。
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3.发明授权Process for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes 有权具有增加的少数载流子寿命的碳化硅晶体的生产方法公开(公告)号：US08618553B2
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：US12871095
申请日：2010-08-30
申请人： Calvin H. Carter, Jr. , Jason R. Jenny , David P. Malta , Hudson M. Hobgood , Valeri F. Tsvetkov , Mrinal K. Das
发明人： Calvin H. Carter, Jr. , Jason R. Jenny , David P. Malta , Hudson M. Hobgood , Valeri F. Tsvetkov , Mrinal K. Das
IPC分类号： H01L29/15
摘要： A process is described for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes. The process includes the steps of heating and slowly cooling a silicon carbide crystal having a first concentration of minority carrier recombination centers such that the resultant concentration of minority carrier recombination centers is lower than the first concentration.
摘要翻译： 描述了一种用于生产具有增加的少数载流子寿命的碳化硅晶体的方法。 该方法包括以下步骤：加热并缓慢冷却具有第一浓度的少数载流子复合中心的碳化硅晶体，使得所得到的少数载流子复合中心的浓度低于第一浓度。
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公开(公告)号：US07387680B2
公开(公告)日：2008-06-17
申请号：US11128447
申请日：2005-05-13
申请人： Valeri F. Tsvetkov , David P. Malta
发明人： Valeri F. Tsvetkov , David P. Malta
CPC分类号： C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/36 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
摘要： A method and apparatus for growing silicon carbide crystals is provided. The apparatus includes a sublimation chamber with a plurality of spaced apart dividers that can direct the direction of silicon carbide crystal growth into passages between the dividers to form a plurality of silicon carbide crystal plates. The silicon carbide crystal plates can be used as seed crystals in subsequent sublimation steps in a manner that promotes the growth of silicon carbide crystals in different crystallographic directions to thereby terminate defect formation.
摘要翻译： 提供一种生长碳化硅晶体的方法和装置。 该装置包括具有多个间隔开的分隔器的升华室，其可以将碳化硅晶体生长的方向引导到分隔器之间的通道中，以形成多个碳化硅晶体板。 碳化硅晶体板可以在随后的升华步骤中用作晶种，以促进碳化硅晶体在不同晶向上的生长，从而终止缺陷形成。
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