公开(公告)号：US20090146101A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12103681

申请日：2008-04-15

申请人： Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

发明人： Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

IPC分类号： C09K13/08

CPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： An etchant for etching a metal alloy having hafnium and molybdenum includes 20 to 80 percent by weight of nitric acid, 1 to 49 percent by weight of hydrofluoric acid, 1 to 96 percent by weight of sulfuric acid, and 1 to 30 percent by weight of water, based on the total weight of the etchant.

摘要翻译： 用于蚀刻具有铪和钼的金属合金的蚀刻剂包括20至80重量％的硝酸，1至49重量％的氢氟酸，1至96重量％的硫酸和1至30重量％的 水，基于蚀刻剂的总重量。

公开(公告)号：US20110226736A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13118604

申请日：2011-05-31

申请人： Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

发明人： Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

IPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/26

CPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： A method of patterning a metal alloy material layer having hafnium and molybdenum. The method includes forming a patterned mask layer on a metal alloy material layer having hafnium and molybdenum on a substrate. The patterned mask layer is used as a mask and an etching process is performed using an etchant on the metal alloy material layer having hafnium and molybdenum so as to form a metal alloy layer having hafnium and molybdenum. The etchant includes at least nitric acid, hydrofluoric acid and sulfuric acid. The patterned mask layer is removed.

摘要翻译： 图案化具有铪和钼的金属合金材料层的方法。 该方法包括在基板上的具有铪和钼的金属合金材料层上形成图案化掩模层。 图案化掩模层用作掩模，并且使用具有铪和钼的金属合金材料层上的蚀刻剂进行蚀刻处理，以形成具有铪和钼的金属合金层。 蚀刻剂至少包括硝酸，氢氟酸和硫酸。 去除图案化的掩模层。

公开(公告)号：US08691705B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13118604

申请日：2011-05-31

申请人： Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

发明人： Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： A method of patterning a metal alloy material layer having hafnium and molybdenum. The method includes forming a patterned mask layer on a metal alloy material layer having hafnium and molybdenum on a substrate. The patterned mask layer is used as a mask and an etching process is performed using an etchant on the metal alloy material layer having hafnium and molybdenum so as to form a metal alloy layer having hafnium and molybdenum. The etchant includes at least nitric acid, hydrofluoric acid and sulfuric acid. The patterned mask layer is removed.

摘要翻译： 图案化具有铪和钼的金属合金材料层的方法。 该方法包括在基板上的具有铪和钼的金属合金材料层上形成图案化掩模层。 图案化掩模层用作掩模，并且使用具有铪和钼的金属合金材料层上的蚀刻剂进行蚀刻处理，以形成具有铪和钼的金属合金层。 蚀刻剂至少包括硝酸，氢氟酸和硫酸。 去除图案化的掩模层。

公开(公告)号：US20100025778A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12183074

申请日：2008-07-31

申请人： Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Shian-Jyh Lin ,  Chung-Yuan Lee

发明人： Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng ,  Shian-Jyh Lin ,  Chung-Yuan Lee

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor includes a gate structure of HfMoN. The work function of the gate structure can be modulated by doping the HfMoN with dopants including nitride, silicon or germanium. The gate structure of HfMoN of the present invention is applicable to PMOS, NMOS or CMOS transistors.

摘要翻译： 晶体管包括HfMoN的栅极结构。 可以通过掺杂包括氮化物，硅或锗的掺杂剂来掺杂HfMoN来调制栅极结构的功函数。 本发明的HfMoN的栅极结构可应用于PMOS，NMOS或CMOS晶体管。

公开(公告)号：US07911028B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12183077

申请日：2008-07-31

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device including a metallic compound Hfx1Moy1Nz1 as an electrode. The work function of the electrode can be modulated by doping the metallic compound with dopants including nitrogen, silicon or germanium. The metallic compound of the present invention is applicable to PMOS, NMOS, CMOS transistors and capacitors.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括金属化合物Hfx1Moy1Nz1作为电极。 电极的功函数可以通过掺杂含有氮，硅或锗的掺杂剂的金属化合物来调节。 本发明的金属化合物可应用于PMOS，NMOS，CMOS晶体管和电容器。

公开(公告)号：US20100025815A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12183077

申请日：2008-07-31

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Chih-Wei Huang ,  Chao-Sung Lai ,  Hsing-Kan Peng

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/02 ,  C01B21/00

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device including a metallic compound Hfx1Moy1Nz1 as an electrode. The work function of the electrode can be modulated by doping the metallic compound with dopants including nitrogen, silicon or germanium. The metallic compound of the present invention is applicable to PMOS, NMOS, CMOS transistors and capacitors.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括金属化合物Hfx1Moy1Nz1作为电极。 电极的功函数可以通过掺杂含有氮，硅或锗的掺杂剂的金属化合物来调节。 本发明的金属化合物可应用于PMOS，NMOS，CMOS晶体管和电容器。