公开(公告)号：US08493746B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12704592

申请日：2010-02-12

申请人： Charles L. Arvin ,  Alexandre Blander ,  Peter J. Brofman ,  Donald W. Henderson ,  Gareth G. Hougham ,  Hsichang Liu ,  Eric D. Perfecto ,  Srinivasa S. N. Reddy ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof ,  Julien Sylvestre ,  Renee L. Weisman

发明人： Charles L. Arvin ,  Alexandre Blander ,  Peter J. Brofman ,  Donald W. Henderson ,  Gareth G. Hougham ,  Hsichang Liu ,  Eric D. Perfecto ,  Srinivasa S. N. Reddy ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof ,  Julien Sylvestre ,  Renee L. Weisman

IPC分类号： H05K7/00 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K7/10 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01B1/02 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3602 ,  B82Y30/00 ,  C22C13/00 ,  H01B13/00 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0257 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment of the present invention, inert nano-sized particles having dimensions from 1 nm to 1,000 nm are added into a solder ball. The inert nano-sized particles may comprise metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal borides, etc. The inert nano-sized particles may be a single compound, or may be a metallic material having a coating of a different material. In another embodiment of the present invention, a small quantity of at least one elemental metal that forms stable high melting intermetallic compound with tin is added to a solder ball. The added at least one elemental metal forms precipitates of intermetallic compounds with tin, which are dispersed as fine particles in the solder.

摘要翻译： 在本发明的一个实施方案中，将尺寸为1nm至1000nm的惰性纳米尺寸颗粒加入到焊球中。 惰性纳米尺寸颗粒可以包括金属氧化物，金属氮化物，金属碳化物，金属硼化物等。惰性纳米尺寸颗粒可以是单一化合物，或者可以是具有不同材料的涂层的金属材料。 在本发明的另一个实施方案中，将少量与锡形成稳定的高熔点金属间化合物的元素金属添加到焊料球中。 添加的至少一种元素金属与锡形成金属间化合物的沉淀物，其作为细颗粒分散在焊料中。

公开(公告)号：US20100200271A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12704592

申请日：2010-02-12

申请人： Charles L. Arvin ,  Alexandre Blander ,  Peter J. Brofman ,  Donald W. Henderson ,  Gareth G. Hougham ,  Hsichang Liu ,  Eric D. Perfecto ,  Srinivasa S.N. Reddy ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof ,  Julien Sylvestre ,  Renee L. Weisman

发明人： Charles L. Arvin ,  Alexandre Blander ,  Peter J. Brofman ,  Donald W. Henderson ,  Gareth G. Hougham ,  Hsichang Liu ,  Eric D. Perfecto ,  Srinivasa S.N. Reddy ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof ,  Julien Sylvestre ,  Renee L. Weisman

IPC分类号： H01B5/00 ,  H01R43/00

CPC分类号： H01B1/02 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3602 ,  B82Y30/00 ,  C22C13/00 ,  H01B13/00 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0257 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment of the present invention, inert nano-sized particles having dimensions from 1 nm to 1,000 nm are added into a solder ball. The inert nano-sized particles may comprise metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal borides, etc. The inert nano-sized particles may be a single compound, or may be a metallic material having a coating of a different material. In another embodiment of the present invention, a small quantity of at least one elemental metal that forms stable high melting intermetallic compound with tin is added to a solder ball. The added at least one elemental metal forms precipitates of intermetallic compounds with tin, which are dispersed as fine particles in the solder.

摘要翻译： 在本发明的一个实施方案中，将尺寸为1nm至1000nm的惰性纳米尺寸颗粒加入到焊球中。 惰性纳米尺寸颗粒可以包括金属氧化物，金属氮化物，金属碳化物，金属硼化物等。惰性纳米尺寸颗粒可以是单一化合物，或者可以是具有不同材料的涂层的金属材料。 在本发明的另一个实施方案中，将少量与锡形成稳定的高熔点金属间化合物的元素金属添加到焊料球中。 添加的至少一种元素金属与锡形成金属间化合物的沉淀物，其作为细颗粒分散在焊料中。

公开(公告)号：US09111816B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13431609

申请日：2012-03-27

申请人： Virendra R. Jadhav ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof

发明人： Virendra R. Jadhav ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/384 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： A multi-layer pillar is provided. The multi-layer pillar is used as an interconnect between a chip and substrate. The pillar has at least one low strength, high ductility deformation region configured to absorb force imposed during chip assembly and thermal excursions.

摘要翻译： 提供多层支柱。 多层柱用作芯片和基板之间的互连。 支柱具有至少一个低强度，高延展性变形区域，其被配置为吸收在芯片组装和热偏移期间施加的力。

公开(公告)号：US09472520B2

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：US13590332

申请日：2012-08-21

申请人： Virendra R. Jadhav ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof

发明人： Virendra R. Jadhav ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava ,  Brian R. Sundlof

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/384 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： A multi-layer pillar and method of fabricating the same is provided. The multi-layer pillar is used as an interconnect between a chip and substrate. The pillar has at least one low strength, high ductility deformation region configured to absorb force imposed during chip assembly and thermal excursions.

摘要翻译： 提供了一种多层柱及其制造方法。 多层柱用作芯片和基板之间的互连。 支柱具有至少一个低强度，高延展性变形区域，其被配置为吸收在芯片组装和热偏移期间施加的力。

公开(公告)号：US20120083113A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12894231

申请日：2010-09-30

申请人： Charles L. Arvin ,  Valerie Oberson ,  Srinivasa N. Reddy ,  Krystyna W. Semkow ,  Richard A. Shelleman ,  Kamalesh K. Srivastava

发明人： Charles L. Arvin ,  Valerie Oberson ,  Srinivasa N. Reddy ,  Krystyna W. Semkow ,  Richard A. Shelleman ,  Kamalesh K. Srivastava

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of coupling an integrated circuit to a substrate includes providing the substrate, forming a contact pad in the substrate, contacting the contact pad with a solder ball, and repeatedly exposing the solder ball to a thermal process to cause intermetallics based on a metal in the contact pad to be formed in the thermal ball.

摘要翻译： 将集成电路耦合到衬底的方法包括提供衬底，在衬底中形成接触焊盘，使接触焊盘与焊球接触，并且将焊球重复地暴露于热处理以引起基于金属的金属间化合物 接触垫将形成在热球中。

公开(公告)号：US06838009B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10016009

申请日：2001-10-30

申请人： Charles L. Arvin ,  Daniel G. Berger ,  Hsichang Liu ,  Krystyna W. Semkow

发明人： Charles L. Arvin ,  Daniel G. Berger ,  Hsichang Liu ,  Krystyna W. Semkow

IPC分类号： C23F1/44 ,  H01L21/48 ,  H05K3/06 ,  H05K3/22 ,  H05K3/24 ,  H01B13/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23F1/44 ,  H01L21/4853 ,  H05K3/067 ,  H05K3/225 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0361

摘要： A method and apparatus are provided for reworking of finishing metallurgy on pads of electronic components. The pads are copper or copper/nickel and have a layer of nickel thereon and an overlying layer of gold. The gold layer is removed first followed by the nickel layer and then the component is treated to remove etch and corrosion products. Media blasting is then used to restore the pads to their original condition as on prime parts. The pads are then replated using conventional nickel and gold plating solutions to form the reworked component.

摘要翻译： 提供了一种用于对电子部件的焊盘上的整理冶金进行返工的方法和装置。 垫是铜或铜/镍，并且在其上具有一层镍层和金的上覆层。 金层首先被除去，然后是镍层，然后处理该组分以除去蚀刻和腐蚀产物。 然后使用介质爆破将焊盘恢复到原始状态，如主要部件。 然后使用常规的镍和镀金溶液重新填充焊盘以形成返工部件。

公开(公告)号：US20080119056A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11560505

申请日：2006-11-16

申请人： Carla A. Bailey ,  Tien-Jen Cheng ,  Robert Henry ,  Anurag Jain ,  Vall F. McLean ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava

发明人： Carla A. Bailey ,  Tien-Jen Cheng ,  Robert Henry ,  Anurag Jain ,  Vall F. McLean ,  Krystyna W. Semkow ,  Kamalesh K. Srivastava

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09K13/04

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/04 ,  C23F1/18 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A solution for wet etching a copper film within a ball limiting metallurgy (BLM) of a semiconductor device includes, in an exemplary embodiment, an ammonium persulfate etching agent, a potassium sulfate passivation agent for protecting a PbSn solder material, and a pH modifier for controlling the etch rate of the copper film.

摘要翻译： 在示例性实施例中，用于湿法蚀刻半导体器件的球限制冶金（BLM）中的铜膜的溶液包括过硫酸铵蚀刻剂，用于保护PbSn焊料材料的硫酸钾钝化剂和用于 控制铜膜的蚀刻速率。

公开(公告)号：US06203690B1

公开(公告)日：2001-03-20

申请号：US09163148

申请日：1998-09-29

申请人： Paul F. Findeis ,  John P. Gauci ,  Krystyna W. Semkow ,  Renee L. Weisman

发明人： Paul F. Findeis ,  John P. Gauci ,  Krystyna W. Semkow ,  Renee L. Weisman

IPC分类号： C25F300

CPC分类号： H01L23/49811 ,  C25F3/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： A process for reworking of PGA chip carriers where one or more I/O pins is unplated. The process includes electrolytically etching the I/O pins which removes any corrosion product from the unplated I/O pins and removes the top gold layer from the remaining I/O pins. The etchant includes a metal-providing compound selected from the group consisting of a silver salt, copper cyanide, silver cyanide, gold cyanide or mixtures thereof, at a concentration in the range from about 2.7 to about 4.1 g/l as metal; potassium or sodium carbonate at a concentration in the range from about 10 to about 100 g/l; and potassium or sodium cyanide at a concentration in the range from about 29 to about 35 g/l.

摘要翻译： 一种用于重新编码一个或多个I / O引脚未被放置的PGA芯片载体的过程。 该过程包括对I / O引脚进行电解蚀刻，从而从未镀覆的I / O引脚中除去任何腐蚀产物，并从剩余的I / O引脚中除去顶部金层。 蚀刻剂包括浓度为约2.7至约4.1g / l的金属的选自银盐，氰化铜，氰化银，氰化金或其混合物的金属提供化合物; 浓度在约10至约100g / l范围内的碳酸钾或碳酸钠; 和浓度在约29至约35g / l范围内的氰化钾或氰化钠。

公开(公告)号：US07294909B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US11099161

申请日：2005-04-05

申请人： Jon A. Casey ,  James G. Balz ,  Michael Berger ,  Jerome Cohen ,  Charles Hendricks ,  Richard Indyk ,  Mark LaPlante ,  David C. Long ,  Lori A. Maiorino ,  Arthur G. Merryman ,  Glenn A. Pomerantz ,  Robert A. Rita ,  Krystyna W. Semkow ,  Patrick E. Spencer ,  Brian R. Sundlof ,  Richard P. Surprenant ,  Donald R. Wall ,  Thomas A. Wassick ,  Kathleen M. Wiley

发明人： Jon A. Casey ,  James G. Balz ,  Michael Berger ,  Jerome Cohen ,  Charles Hendricks ,  Richard Indyk ,  Mark LaPlante ,  David C. Long ,  Lori A. Maiorino ,  Arthur G. Merryman ,  Glenn A. Pomerantz ,  Robert A. Rita ,  Krystyna W. Semkow ,  Patrick E. Spencer ,  Brian R. Sundlof ,  Richard P. Surprenant ,  Donald R. Wall ,  Thomas A. Wassick ,  Kathleen M. Wiley

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L29/768

CPC分类号： H05K3/225 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/4629 ,  H05K2203/173 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49135 ,  H01L2924/00

摘要： A multilayer ceramic repair process which provides a new electrical repair path to connect top surface vias. The repair path is established between a defective net and a redundant repair net contained within the multilayer ceramic substrate. The defective net and the repair net each terminate at surface vias of the substrate. A laser is used to form post fired circuitry on and in the substrate. This is followed by the electrical isolation of the defective net from the electrical repair structure and passivation of the electrical repair line.

摘要翻译： 一种多层陶瓷修复工艺，提供了一个新的电气修复路径，以连接顶面通孔。 修复路径是建立在有缺陷的网和包含在多层陶瓷基板内的冗余修复网之间。 有缺陷的网和修复网各自终止在基板的表面通孔处。 使用激光器在基板上和基板上形成点火电路。 之后是有缺陷的网络与电气修复结构的电气隔离和电气修复线路的钝化。

公开(公告)号：US06916670B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10358431

申请日：2003-02-04

申请人： Jon A. Casey ,  James G. Balz ,  Michael Berger ,  Jerome Cohen ,  Charles Hendricks ,  Richard Indyk ,  Mark LaPlante ,  David C. Long ,  Lori A. Maiorino ,  Arthur G. Merryman ,  Glenn A. Pomerantz ,  Robert A. Rita ,  Krystyna W. Semkow ,  Patrick E. Spencer ,  Brian R. Sundlof ,  Richard P. Surprenant ,  Donald R. Wall ,  Thomas A. Wassick ,  Kathleen M. Wiley

发明人： Jon A. Casey ,  James G. Balz ,  Michael Berger ,  Jerome Cohen ,  Charles Hendricks ,  Richard Indyk ,  Mark LaPlante ,  David C. Long ,  Lori A. Maiorino ,  Arthur G. Merryman ,  Glenn A. Pomerantz ,  Robert A. Rita ,  Krystyna W. Semkow ,  Patrick E. Spencer ,  Brian R. Sundlof ,  Richard P. Surprenant ,  Donald R. Wall ,  Thomas A. Wassick ,  Kathleen M. Wiley

IPC分类号： H05K3/46 ,  H01L21/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H05K3/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H05K3/225 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/4629 ,  H05K2203/173 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49135 ,  H01L2924/00

摘要： A multilayer ceramic repair process which provides a new electrical repair path to connect top surface vias. The repair path is established between a defective net and a redundant repair net contained within the multilayer ceramic substrate. The defective net and the repair net each terminate at surface vias of the substrate. A laser is used to form post fired circuitry on and in the substrate. This is followed by the electrical isolation of the defective net from the electrical repair structure and passivation of the electrical repair line.

摘要翻译： 一种多层陶瓷修复工艺，提供了一种新的电气修复路径，以连接顶部表面通孔。 修复路径是建立在有缺陷的网和包含在多层陶瓷基片内的冗余修复网之间。 有缺陷的网和修复网各自终止在基板的表面通孔处。 使用激光器在基板上和基板上形成点火电路。 之后是有缺陷的网络与电气修复结构的电气隔离和电气修复线路的钝化。