公开(公告)号：US20140001951A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13689254

申请日：2012-11-29

申请人： Che-Ryong Hwang ,  Jae-Wook Kang ,  Moo-Jin Kim ,  In-Cheol Ko ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Che-Ryong Hwang ,  Jae-Wook Kang ,  Moo-Jin Kim ,  In-Cheol Ko ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC分类号： H05B33/02 ,  H01L51/003 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5338 ,  H05B33/10 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A flexible display apparatus and a method of manufacturing the same are disclosed. The flexible display apparatus includes a substrate; a light-emitting display unit formed on a first surface of the substrate; an encapsulation layer formed on the light-emitting display unit; and a conductive layer formed on a second surface of the substrate, the second surface of the substrate being opposite to the first surface of the substrate, wherein the conductive layer includes a conductor, and the conductor includes at least one selected from a carbon nanotube (CNT), fullerene, and a nanowire. Changes in characteristics of the light-emitting display unit due to static electricity are prevented in this configuration.

摘要翻译： 公开了一种柔性显示装置及其制造方法。 柔性显示装置包括：基板; 形成在所述基板的第一表面上的发光显示单元; 形成在所述发光显示单元上的封装层; 以及形成在所述基板的第二表面上的导电层，所述基板的所述第二表面与所述基板的所述第一表面相对，其中所述导电层包括导体，并且所述导体包括选自碳纳米管 CNT），富勒烯和纳米线。 在该结构中，防止由静电导致的发光显示单元的特性变化。

公开(公告)号：US08957583B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13297586

申请日：2011-11-16

申请人： Jin-Kwang Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Seung-Hun Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Jin-Kwang Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Seung-Hun Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J63/04 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L51/5253

摘要： A method of fabricating an organic light-emitting display includes forming an organic light-emitting device (OLED) on a substrate, forming a first encapsulation layer, which has a first thin-film density and contains a first inorganic material, on the substrate, and forming a second encapsulation layer, which has a second thin-film density higher than the first thin-film density and contains a second inorganic material, on the first encapsulation layer.

摘要翻译： 一种制造有机发光显示器的方法包括在衬底上形成有机发光器件（OLED），在衬底上形成具有第一薄膜密度并包含第一无机材料的第一封装层， 以及在所述第一封装层上形成具有比所述第一薄膜密度高的第二薄膜密度并且包含第二无机材料的第二封装层。

公开(公告)号：US20120242221A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13297586

申请日：2011-11-16

申请人： Jin-Kwang KIM ,  Sang-Joon SEO ,  Seung-Hun KIM ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Jin-Kwang KIM ,  Sang-Joon SEO ,  Seung-Hun KIM ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J9/00

CPC分类号： H01L51/5253

摘要： A method of fabricating an organic light-emitting display includes forming an organic light-emitting device (OLED) on a substrate, forming a first encapsulation layer, which has a first thin-film density and contains a first inorganic material, on the substrate, and forming a second encapsulation layer, which has a second thin-film density higher than the first thin-film density and contains a second inorganic material, on the first encapsulation layer.

摘要翻译： 一种制造有机发光显示器的方法包括在衬底上形成有机发光器件（OLED），在衬底上形成具有第一薄膜密度并包含第一无机材料的第一封装层， 以及在所述第一封装层上形成具有比所述第一薄膜密度高的第二薄膜密度并且包含第二无机材料的第二封装层。

公开(公告)号：US20110223748A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13063182

申请日：2009-05-19

申请人： Jin Jang ,  Jae-Hwan Oh ,  Dong-Han Kang ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Jin Jang ,  Jae-Hwan Oh ,  Dong-Han Kang ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

摘要： Disclosed herein is a method of crystallizing an amorphous material for use in fabrication of thin film transistors. The method includes forming an amorphous silicon layer on a substrate, depositing a Ni metal layer on part of the amorphous silicon layer, and heat-treating the amorphous silicon layer to cause phase transition of the amorphous silicon, wherein the Ni metal layer is deposited to an average thickness of 0.79 Å or less. The method can crystallize an amorphous material for use in thin film transistors using the metal induced lateral crystallization while restricting thickness and density of Ni, thereby minimizing current leakage in the thin film transistor.

摘要翻译： 本文公开了一种使用于制造薄膜晶体管的非晶材料的结晶方法。 该方法包括在衬底上形成非晶硅层，在非晶硅层的一部分上沉积Ni金属层，并对非晶硅层进行热处理以引起非晶硅​​的相变，其中Ni金属层被沉积​​到 平均厚度为0.79以下。 该方法可以使用金属诱导横向结晶在薄膜晶体管中使用非晶材料，同时限制Ni的厚度和密度，从而最小化薄膜晶体管中的电流泄漏。

公开(公告)号：US20120312232A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13313978

申请日：2011-12-07

申请人： Seung-Hun Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Jin-Kwang Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Seung-Hun Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Jin-Kwang Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45551

摘要： An inline deposition apparatus includes a chamber; a loading unit inside the chamber and loaded with an object to be processed to be moved in a first direction; a plurality of first deposition modules in the chamber for depositing a first layer to the object to be processed; and a plurality of second deposition modules in the chamber for depositing a second layer to the object to be processed, wherein at least one of the plurality of second deposition modules is positioned between neighboring first deposition modules, and wherein the first layer is different from the second layer.

摘要翻译： 在线沉积设备包括：室; 所述加载单元在所述腔室内并且被加载待处理物体沿第一方向移动; 在所述室中的多个第一沉积模块，用于将第一层沉积到待处理物体; 以及在所述腔室中的多个第二沉积模块，用于将第二层沉积到待处理物体上，其中所述多个第二沉积模块中的至少一个位于相邻的第一沉积模块之间，并且其中所述第一层不同于 第二层。

公开(公告)号：US20080095975A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11875145

申请日：2007-10-19

申请人： Jin Jang ,  Jun-Hyuk Cheon ,  Kyung-Ho Kim

发明人： Jin Jang ,  Jun-Hyuk Cheon ,  Kyung-Ho Kim

IPC分类号： B05D5/12 ,  B32B5/12

CPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/24 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/323 ,  C23C28/325 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  Y10T428/24058

摘要： A polycrystalline silicon thin film having grains defined by grain boundaries is provided. The polycrystalline silicon thin film is formed by interposing a cover layer between an amorphous silicon layer and a metal layer to diffuse the metal into the amorphous silicon layer through the cover layer, removing the cover layer, crystallizing the amorphous silicon layer to be changed to a polycrystalline silicon layer, depositing a metal on the polycrystalline silicon layer, and annealing the polycrystalline silicon layer. Specifically, the polycrystalline silicon thin film is formed by sequentially forming an amorphous silicon layer, a cover layer and a metal layer on an insulating substrate, annealing the amorphous silicon layer to be changed to a polycrystalline silicon layer, removing the cover layer, depositing a metal on the polycrystalline silicon layer, followed by annealing so that the average density per unit volume of the metal particles present at the grain boundaries is greater than that of the metal particles present within the grains.

摘要翻译： 提供具有由晶界限定的晶粒的多晶硅薄膜。 通过在非晶硅层和金属层之间插入覆盖层来形成多晶硅薄膜，以通过覆盖层将金属扩散到非晶硅层中，去除覆盖层，使非晶硅层结晶化，使其变为 多晶硅层，在多晶硅层上沉积金属，退火多晶硅层。 具体地，通过在绝缘基板上依次形成非晶硅层，覆盖层和金属层来形成多晶硅薄膜，将非晶硅层退火为多晶硅层，去除覆盖层，沉积 金属在多晶硅层上，然后退火，使得存在于晶界处的金属颗粒的每单位体积的平均密度大于存在于晶粒内的金属颗粒的平均密度。

公开(公告)号：US08735188B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13347439

申请日：2012-01-10

申请人： Seung-Hun Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Jin-Kwang Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Seung-Hun Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Jin-Kwang Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01L33/52

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  H01L51/5253

摘要： An atomic layer deposition apparatus and a sealing method of an organic light emitting device using the same are disclosed. In one embodiment, the atomic layer deposition apparatus improves a structure of the purge gas injection nozzle so as to increase the exhaust efficiency of the purge gas in an atomic layer deposition process, which increases a speed of a purge process. As a result, it is possible to improve a deposition speed and a quality of a sealing film when a sealing process for sealing the organic light emitting device is implemented by using the atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了一种使用其的有机发光器件的原子层沉积设备和密封方法。 在一个实施例中，原子层沉积装置改进了吹扫气体注入喷嘴的结构，从而提高了原子层沉积工艺中净化气体的排气效率，从而提高了吹扫过程的速度。 结果，当通过使用原子层沉积实现用于密封有机发光器件的密封过程时，可以提高密封膜的沉积速度和质量。

公开(公告)号：US20130005057A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13347439

申请日：2012-01-10

申请人： Seung-Hun Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Jin-Kwang Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Seung-Hun Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Jin-Kwang Kim ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01L33/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  B05B1/00

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  H01L51/5253

摘要： An atomic layer deposition apparatus and a sealing method of an organic light emitting device using the same are disclosed. In one embodiment, the atomic layer deposition apparatus improves a structure of the purge gas injection nozzle so as to increase the exhaust efficiency of the purge gas in an atomic layer deposition process, which increases a speed of a purge process. As a result, it is possible to improve a deposition speed and a quality of a sealing film when a sealing process for sealing the organic light emitting device is implemented by using the atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了一种使用其的有机发光器件的原子层沉积设备和密封方法。 在一个实施例中，原子层沉积装置改进了吹扫气体注入喷嘴的结构，从而提高了原子层沉积工艺中净化气体的排气效率，从而提高了吹扫过程的速度。 结果，当通过使用原子层沉积实现用于密封有机发光器件的密封过程时，可以提高密封膜的沉积速度和质量。

公开(公告)号：US20120241811A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13300497

申请日：2011-11-18

申请人： Jin-Kwang Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Seung-Hun Kim ,  Yong-Hwan Park ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Jin-Kwang Kim ,  Sang-Joon Seo ,  Seung-Hun Kim ,  Yong-Hwan Park ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01L33/56

CPC分类号： H01L51/5253

摘要： An organic light emitting diode (OLED) display includes: a substrate; an organic light emitting diode on the substrate; and a thin film encapsulation layer including a first inorganic layer having a first density on the substrate and a second inorganic layer having a second density on the first inorganic layer, the second density being different from the first density, and the organic light emitting diode being encapsulated between the thin film encapsulation layer and the substrate.

摘要翻译： 有机发光二极管（OLED）显示器包括：基板; 基板上的有机发光二极管; 以及薄膜封装层，其包括在所述基板上具有第一密度的第一无机层和在所述第一无机层上具有第二密度的第二无机层，所述第二密度不同于所述第一密度，并且所述有机发光二极管为 封装在薄膜封装层和基板之间。

公开(公告)号：US07662681B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11609374

申请日：2006-12-12

申请人： Jin Jang ,  Jun-Hyuk Cheon

发明人： Jin Jang ,  Jun-Hyuk Cheon

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78678 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765

摘要： Disclosed herein is a method for fabricating a reverse-staggered polycrystalline silicon thin film transistor, and more specifically a method for fabricating a reverse-staggered polycrystalline silicon thin film transistor wherein a phosphosilicate-spin-on-glass (P-SOG) is used for a gate insulating film. The method comprises the steps of: forming a buffer layer on an insulating substrate; forming a gate metal pattern on the buffer layer; forming a planarized gate insulating film on the gate metal pattern; depositing an amorphous silicon layer on the gate insulating film; crystallizing the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer; forming a n+ or p+ layer on the polycrystalline silicon layer; forming a source/drain metal layer on the n+ or p+ layer; and forming a passivation layer on the source/drain metal layer.

摘要翻译： 本文公开了一种用于制造反向交错多晶硅薄膜晶体管的方法，更具体地说，一种用于制造反向交错多晶硅薄膜晶体管的方法，其中磷硅酸盐旋涂玻璃（P-SOG）用于 栅极绝缘膜。 该方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成缓冲层; 在缓冲层上形成栅极金属图案; 在栅极金属图案上形成平坦化的栅极绝缘膜; 在栅极绝缘膜上沉积非晶硅层; 将所述非晶硅层结晶成多晶硅层; 在多晶硅层上形成n +或p +层; 在n +或p +层上形成源极/漏极金属层; 以及在源极/漏极金属层上形成钝化层。