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    METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING ISOELECTRIC POINT USING FIELD EFFECT TRANSISTOR
    1.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING ISOELECTRIC POINT USING FIELD EFFECT TRANSISTOR 失效
    使用场效应晶体管测量电压点的方法和装置

    公开(公告)号：US20110139637A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：US13058120

    申请日：2008-12-16

    申请人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

    发明人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

    IPC分类号： G01N27/403 ,  G01N27/414

    CPC分类号： G01N27/4145

    摘要： Provided are a method and apparatus for measuring an isoelectric point using a field effect transistor. The method includes providing a field effect transistor including a substrate, source and drain electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other, and a channel region between the source and drain electrodes, providing a first electrolyte solution having a first concentration to the channel region of the field effect transistor and measuring a first current value of the channel region between the source and drain electrodes, providing a second electrolyte solution having a second concentration greater than the first concentration and measuring a second current value of the channel region between the source and drain electrodes, and determining as the isoelectric point of the field effect transistor or a material disposed on the field effect transistor using a difference between the first and second current values.

    摘要翻译： 提供了使用场效应晶体管测量等电点的方法和装置。 该方法包括提供场效应晶体管，该场效应晶体管包括衬底，设置在衬底上的源电极和漏极彼此间隔开的沟道区，以及在源电极和漏电极之间的沟道区域，提供具有第一浓度到沟道的第一电解质溶液 区域，并且测量源极和漏极之间的沟道区的第一电流值，提供具有大于第一浓度的第二浓度的第二电解质溶液，并测量源极之间的沟道区的第二电流值 和漏电极，并且使用第一和第二电流值之间的差来确定场效应晶体管的等电点或设置在场效应晶体管上的材料。

    Method and apparatus for measuring isoelectric point using field effect transistor
    2.
    发明授权
    Method and apparatus for measuring isoelectric point using field effect transistor 失效
    使用场效应晶体管测量等电点的方法和装置

    公开(公告)号：US08628650B2

    公开(公告)日：2014-01-14

    申请号：US13058120

    申请日：2008-12-16

    申请人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

    发明人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

    IPC分类号： B03C5/02

    CPC分类号： G01N27/4145

    摘要： Provided are a method and apparatus for measuring an isoelectric point using a field effect transistor. The method includes providing a field effect transistor including a substrate, source and drain electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other, and a channel region between the source and drain electrodes, providing a first electrolyte solution having a first concentration to the channel region of the field effect transistor and measuring a first current value of the channel region between the source and drain electrodes, providing a second electrolyte solution having a second concentration greater than the first concentration and measuring a second current value of the channel region between the source and drain electrodes, and determining the isoelectric point of the field effect transistor or a material disposed on the field effect transistor using a difference between the first and second current values.

    摘要翻译： 提供了使用场效应晶体管测量等电点的方法和装置。 该方法包括提供场效应晶体管，该场效应晶体管包括衬底，设置在衬底上的源电极和漏极彼此间隔开的沟道区，以及在源电极和漏电极之间的沟道区域，提供具有第一浓度到沟道的第一电解质溶液 区域，并且测量源极和漏极之间的沟道区的第一电流值，提供具有大于第一浓度的第二浓度的第二电解质溶液，并测量源极之间的沟道区的第二电流值 和漏电极，并且使用第一和第二电流值之间的差来确定场效应晶体管的等电点或设置在场效应晶体管上的材料。

    Sensing device
    6.
    发明授权
    Sensing device 有权
    感应装置

    公开(公告)号：US08426900B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US13122273

    申请日：2009-05-27

    申请人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Gun Yong Sung

    发明人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Gun Yong Sung

    IPC分类号： G01N27/403

    CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/4146

    摘要： Provided is a sensing device, which includes a reactive material layer (260) responding to a specific functional group in a fluid, a sensing capacitor (B) including first and second electrodes disposed on and under an insulating layer (230), the first electrode being disposed under the reactive material layer (260), and a field effect transistor including a gate electrode connected with the first electrode of the sensing capacitor. Here, the reactive material layer (260) is formed in a conductive three-dimensional structure to widen a surface area. Thus, the sensing device may have high sensitivity by maximizing a capacitor sharing effect and a change in voltage amount applied to a gate, which may be caused by widening a surface area of the conductive three-dimensional structure with respect to the fluid flow.

    摘要翻译： 提供了一种感测装置，其包括响应于流体中的特定官能团的反应性材料层（260），包括设置在绝缘层（230）上和下方的第一和第二电极的感测电容器（B），第一电极 设置在反应性材料层（260）下方的场效应晶体管，以及包括与感测电容器的第一电极连接的栅电极的场效应晶体管。 这里，反应性材料层（260）形成为导电三维结构以扩大表面积。 因此，感测装置可以通过最大化电容器共享效应和施加到栅极的电压量的变化而具有高灵敏度，这可能是通过相对于流体流动扩大导电三维结构的表面积而引起的。

    SENSING DEVICE
    7.
    发明申请
    SENSING DEVICE 有权
    感应装置

    公开(公告)号：US20110180856A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US13122273

    申请日：2009-05-27

    申请人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Gun Yong Sung

    发明人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Gun Yong Sung

    IPC分类号： G01N27/403 ,  H01L29/772 ,  B82Y15/00

    CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/4146

    摘要： Provided is a sensing device, which includes a reactive material layer (260) responding to a specific functional group in a fluid, a sensing capacitor (B) including first and second electrodes disposed on and under an insulating layer (230), the first electrode being disposed under the reactive material layer (260), and a field effect transistor including a gate electrode connected with the first electrode of the sensing capacitor. Here, the reactive material layer (260) is formed in a conductive three-dimensional structure to widen a surface area. Thus, the sensing device may have high sensitivity by maximizing a capacitor sharing effect and a change in voltage amount applied to a gate, which may be caused by widening a surface area of the conductive three-dimensional structure with respect to the fluid flow.

    摘要翻译： 提供了一种感测装置，其包括响应于流体中的特定官能团的反应性材料层（260），包括设置在绝缘层（230）上和下方的第一和第二电极的感测电容器（B），第一电极 设置在反应性材料层（260）下方的场效应晶体管，以及包括与感测电容器的第一电极连接的栅电极的场效应晶体管。 这里，反应性材料层（260）形成为导电三维结构以扩大表面积。 因此，感测装置可以通过最大化电容器共享效应和施加到栅极的电压量的变化而具有高灵敏度，这可能是通过相对于流体流动扩大导电三维结构的表面积而引起的。

    BIOSENSOR USING SILICON NANOWIRE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    10.
    发明申请
    BIOSENSOR USING SILICON NANOWIRE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    使用硅纳米管的生物传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20090152598A1

    公开(公告)日：2009-06-18

    申请号：US12240114

    申请日：2008-09-29

    申请人： In Bok BAEK ,  Jong Heon Yang ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Chil Seong Ah ,  Chan Woo Park ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

    发明人： In Bok BAEK ,  Jong Heon Yang ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Chil Seong Ah ,  Chan Woo Park ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/4146

    摘要： Provided are a biosensor using a silicon nanowire and a method of manufacturing the same. The silicon nanowire can be formed to have a shape, in which identical patterns are continuously repeated, to enlarge an area in which probe molecules are fixed to the silicon nanowire, thereby increasing detection sensitivity. In addition, the detection sensitivity can be easily adjusted by adjusting a gap between the identical patterns of the silicon nanowire depending on characteristics of target molecules, without adjusting a line width of the silicon nanowire in the conventional art. Further, the gap between the identical patterns of the silicon nanowire can be adjusted depending on characteristics of the target molecule to differentiate detection sensitivities, thereby simultaneously detecting various detection sensitivities.

    摘要翻译： 提供了使用硅纳米线的生物传感器及其制造方法。 可以将硅纳米线形成为具有连续重复相同图案的形状，以扩大探针分子固定在硅纳米线上的面积，从而提高检测灵敏度。 此外，通过根据目标分子的特性调整硅纳米线的相同图案之间的间隙，而不调整现有技术中的硅纳米线的线宽，可以容易地调整检测灵敏度。 此外，可以根据目标分子的特性来调整硅纳米线的相同图案之间的间隙，以区分检测灵敏度，从而同时检测各种检测灵敏度。