公开(公告)号：US07432526B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US11314881

申请日：2005-12-20

申请人： Christian G. Van de Walle ,  Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt

发明人： Christian G. Van de Walle ,  Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： G01N27/414 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/225

摘要： A semiconductor device has a heterostructure including a first layer of semiconductor oxide material. A second layer of semiconductor oxide material is formed on the first layer of semiconductor oxide material such that a two dimensional electron gas builds up at an interface between the first and second materials. A passivation layer on the outer surface stabilizes the structure. The device also has a source contact and a drain contact.

摘要翻译： 半导体器件具有包括第一半导体氧化物材料层的异质结构。 半导体氧化物材料的第二层形成在第一半导体氧化物层上，使得二维电子气在第一和第二材料之间的界面积聚。 外表面上的钝化层使结构稳定。 该器件还具有源触点和漏极触点。

公开(公告)号：US20090042333A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12199378

申请日：2008-08-27

申请人： Christian G. Van de Walle ,  Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt

发明人： Christian G. Van de Walle ,  Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01N27/414 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/225

摘要： A semiconductor device has a heterostructure including a first layer of semiconductor oxide material. A second layer of semiconductor oxide material is formed on the first layer of semiconductor oxide material such that a two dimensional electron gas builds up at an interface between the first and second materials. A passivation layer on the outer surface stabilizes the structure. The device also has a source contact and a drain contact.

摘要翻译： 半导体器件具有包括第一半导体氧化物材料层的异质结构。 半导体氧化物材料的第二层形成在第一半导体氧化物层上，使得二维电子气在第一和第二材料之间的界面积聚。 外表面上的钝化层使结构稳定。 该器件还具有源触点和漏极触点。

公开(公告)号：US07202173B2

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：US11015665

申请日：2004-12-20

申请人： Thomas Hantschel ,  Noble M. Johnson ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van De Walle ,  William S. Wong

发明人： Thomas Hantschel ,  Noble M. Johnson ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van De Walle ,  William S. Wong

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/45 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  G01N27/127 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/221 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/932

摘要： Systems and methods may provide electrical contacts to an array of substantially vertically aligned nanorods. The nanorod array may be fabricated on top of a conducting layer that serves as a bottom contact to the nanorods. A top metal contact may be applied to a plurality of nanorods of the nanorod array. The contacts may allow I/V (current/voltage) characteristics of the nanorods to be measured.

摘要翻译： 系统和方法可以向基本上垂直排列的纳米棒阵列提供电触点。 纳米棒阵列可以制造在用作纳米棒的底部接触的导电层的顶部上。 顶部金属接触可以应用于纳米棒阵列的多个纳米棒。 触点可以允许测量纳米棒的I / V（电流/电压）特性。

公开(公告)号：US06724013B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US10024417

申请日：2001-12-21

申请人： Michael A. Kneissl ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van de Walle

发明人： Michael A. Kneissl ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van de Walle

IPC分类号： H01L3112

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

摘要： A p-n tunnel junction between a p-type semiconductor layer and a n-type semiconductor layer provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure. The amount of p-type material in the nitride based semiconductor laser structure can be minimized, with attendant advantages in electrical, thermal, and optical performance, and in fabrication.

摘要翻译： p型半导体层和n型半导体层之间的p-n隧道结为边缘发射氮化物半导体激光器结构提供电流注入。 氮化物基半导体激光器结构中的p型材料的量可以最小化，同时具有电，热和光学性能以及制造中的优点。

公开(公告)号：US06515308B1

公开(公告)日：2003-02-04

申请号：US10024418

申请日：2001-12-21

申请人： Michael A. Kneissl ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van de Walle

发明人： Michael A. Kneissl ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van de Walle

IPC分类号： H01L2715

CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01L33/04 ,  H01L33/105 ,  H01L33/14 ,  H01L33/465 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341

摘要： A p-n tunnel junction between a p-type semiconductor layer and a n-type semiconductor layer provides current injection for an nitride based vertical cavity surface emitting laser or light emitting diode structure. The p-n tunnel junction reduces the number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor VCSEL or LED structure which reduces the distributed loss, reduces the threshold current densities, reduces the overall series resistance and improves the structural quality of the laser by allowing higher growth temperatures.

摘要翻译： p型半导体层和n型半导体层之间的p-n隧道结提供了用于基于氮化物的垂直腔表面发射激光器或发光二极管结构的电流注入。 pn隧道结减少了基于氮化物的半导体VCSEL或LED结构中的p型半导体层的数量，其减少了分布损耗，降低了阈值电流密度，降低了整体串联电阻，并且通过允许更高的温度来提高激光器的结构质量 生长温度。

公开(公告)号：US08617407B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12110899

申请日：2008-04-28

申请人： Thomas Hantschel ,  Noble M. Johnson ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van de Walle ,  William S. Wong

发明人： Thomas Hantschel ,  Noble M. Johnson ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van de Walle ,  William S. Wong

IPC分类号： H01B13/00 ,  C23F1/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G01N27/127 ,  H01L27/307 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/762

摘要： Systems and methods may provide electrical contacts to an array of substantially vertically aligned nanorods. The nanorod array may be fabricated on top of a conducting layer that serves as a bottom contact to the nanorods. A top metal contact may be applied to a plurality of nanorods of the nanorod array. The contacts may allow I/V (current/voltage) characteristics of the nanorods to be measured.

公开(公告)号：US07569905B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11015663

申请日：2004-12-20

申请人： Thomas Hantschel ,  Noble M. Johnson ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van De Walle ,  William S. Wong

发明人： Thomas Hantschel ,  Noble M. Johnson ,  Peter Kiesel ,  Christian G. Van De Walle ,  William S. Wong

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G01N27/127 ,  H01L27/307 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/762

摘要： Systems and methods may provide electrical contacts to an array of substantially vertically aligned nanorods. The nanorod array may be fabricated on top of a conducting layer that serves as a bottom contact to the nanorods. A top metal contact may be applied to a plurality of nanorods of the nanorod array. The contacts may allow I/V (current/voltage) characteristics of the nanorods to be measured.

摘要翻译： 系统和方法可以向基本上垂直排列的纳米棒阵列提供电触点。 纳米棒阵列可以制造在用作纳米棒的底部接触的导电层的顶部上。 顶部金属接触可以应用于纳米棒阵列的多个纳米棒。 触点可以允许测量纳米棒的I / V（电流/电压）特性。

公开(公告)号：US20110082353A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12968115

申请日：2010-12-14

申请人： Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt ,  Michael Bassler ,  Richard H. Bruce ,  Noble M. Johnson

发明人： Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt ,  Michael Bassler ,  Richard H. Bruce ,  Noble M. Johnson

IPC分类号： A61B5/00

CPC分类号： G01N21/03 ,  A61B5/0075 ,  A61B5/0084 ,  A61B5/14532 ,  A61B5/1459 ,  G01N21/0303 ,  G01N21/274 ,  G01N21/31

摘要： An implantable product includes an optical cavity structure with first and second parts, each of which can operate as an optical cavity. The first part includes a container with at least one opening through which bodily fluid can transfer between the container's interior and exterior when the product is implanted in a body. The second part includes a container that is closed and contains a reference fluid. The implantable product can also include one or both of a light source component and a photosensing component. Photosensed quantities from the first part's output light can be adjusted based on photosensed quantities from the second part's output light. Both parts can have their light interface surfaces aligned so that they both receive input light from a light source component and both provide output light to a photosensing component.

摘要翻译： 可植入产品包括具有第一和第二部分的光学腔结构，每个部分可以作为光腔工作。 第一部分包括具有至少一个开口的容器，当产品植入体内时，体液可以通过该开口在容器的内部和外部之间转移。 第二部分包括封闭的容器并且包含参考流体。 可植入产品还可以包括光源组件和感光组件中的一个或两个。 可以根据第二部分输出指示灯的光线数量来调整第一部分输出光的照片数量。 两个部件可以使它们的光接口表面对准，使得它们都接收来自光源部件的输入光并且都向光敏部件提供输出光。

公开(公告)号：US07741147B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US11615331

申请日：2006-12-22

申请人： Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt

发明人： Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16 ,  H01L21/331 ,  H01L21/326

CPC分类号： H01L29/66848 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66143 ,  H01L31/108 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A technique for creating high quality Schottky barrier devices in doped (e.g., Li+) crystalline metal oxide (e.g., ZnO) comprises field-controlled diffusion of mobile dopant atoms within the metal oxide crystal lattice. When heated (e.g., above 550 K) in the presence of an electric field (e.g., bias to ground of +/−50 V) the dopant atoms are caused to collect to form an ohmic contact, leaving a depletion region. The size of the depletion region controls the thickness of the Schottky barrier. Metal-semiconductor junction devices such as diodes, photo-diodes, photo-detectors, MESFETs, etc. may thereby be fabricated.

摘要翻译： 在掺杂（例如Li +）结晶金属氧化物（例如ZnO）中产生高质量肖特基势垒器件的技术包括在金属氧化物晶格内的移动掺杂剂原子的场控扩散。 当在存在电场（例如，+/- 50V的接地偏压）的情况下加热（例如，高于550K）时，引起掺杂剂原子以形成欧姆接触，留下耗尽区。 耗尽区的大小控制肖特基势垒的厚度。 因此可以制造诸如二极管，光电二极管，光电检测器，MESFET等的金属 - 半导体结器件。

公开(公告)号：US07633629B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11702321

申请日：2007-02-05

申请人： Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt ,  Michael Bassler ,  Uma Srinivasan

发明人： Peter Kiesel ,  Oliver Schmidt ,  Michael Bassler ,  Uma Srinivasan

IPC分类号： G01B9/02

CPC分类号： G01J3/26 ,  G01N21/45 ,  G01N2021/451 ,  G02B26/001

摘要： A tunable optical cavity can be tuned by relative movement between two reflection surfaces, such as by deforming elastomer spacers connected between mirrors or other light-reflective components that include the reflection surfaces. The optical cavity structure includes an analyte region in its light-transmissive region, and presence of analyte in the analyte region affects output light when the optical cavity is tuned to a set of positions. Electrodes that cause deformation of the spacers can also be used to capacitively sense the distance between them. Control circuitry that provides tuning signals can cause continuous movement across a range of positions, allowing continuous photosensing of analyte-affected output light by a detector.

摘要翻译： 可调光学腔可以通过两个反射表面之间的相对运动进行调节，例如通过变形连接在反射镜之间的弹性体隔离物或包括反射表面的其它光反射部件。 光腔结构包括其透光区域中的分析物区域，并且当光学腔被调谐到一组位置时，分析物区域中的分析物的存在影响输出光。 导致间隔物变形的电极也可用于电容地感测它们之间的距离。 提供调谐信号的控制电路可以在一定范围的位置上引起连续的运动，从而允许由检测器对被分析物影响的输出光进行连续光敏。