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    Surface cleaning using sacrificial getter layer
    4.
    发明授权
    Surface cleaning using sacrificial getter layer 有权
    表面清洗采用牺牲吸气层

    公开(公告)号：US07993987B1

    公开(公告)日：2011-08-09

    申请号：US12904346

    申请日：2010-10-14

    申请人： Randolph F. Knarr ,  Christian Lavoie ,  Ahmet S. Ozcan ,  Filippos Papadatos

    发明人： Randolph F. Knarr ,  Christian Lavoie ,  Ahmet S. Ozcan ,  Filippos Papadatos

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665

    摘要： A method includes providing a substrate including a non-insulative, silicon-including region for silicidation, the substrate including one or more contaminants at a top surface thereof. A getter layer is deposited over the non-insulative, silicon-including region, the getter layer reacting with at least one of the one or more contaminants in the non-insulative, silicon-including region at approximately room temperature. The getter layer is removed, and siliciding of the non-insulative, silicon-including region is performed.

    摘要翻译： 一种方法包括提供包括用于硅化的非绝缘的含硅区域的衬底，所述衬底在其顶表面上包括一种或多种污染物。 吸气剂层沉积在非绝缘的含硅区域上，吸气剂层在大约室温下与非绝缘的含硅区域中的一种或多种污染物中的至少一种反应。 除去吸气剂层，进行非绝缘性含硅区域的硅化。

    FORMING NICKEL-PLATINUM ALLOY SELF-ALIGNED SILICIDE CONTACTS
    6.
    发明申请
    FORMING NICKEL-PLATINUM ALLOY SELF-ALIGNED SILICIDE CONTACTS 有权
    形成镍 - 铂合金自对准硅化物接触

    公开(公告)号：US20140073130A1

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：US13613579

    申请日：2012-09-13

    申请人： David F. Hilscher ,  Christian Lavoie ,  Ahmet S. Ozcan

    发明人： David F. Hilscher ,  Christian Lavoie ,  Ahmet S. Ozcan

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of performing a silicide contact process comprises a forming a nickel-platinum alloy (NiPt) layer over a semiconductor device structure; performing a first rapid thermal anneal (RTA) so as to react portions of the NiPt layer in contact with semiconductor regions of the semiconductor device structure, thereby forming metal rich silicide regions; performing a first wet etch to remove at least a nickel constituent of unreacted portions of the NiPt layer; performing a second wet etch using a dilute Aqua Regia treatment comprising nitric acid (HNO3), hydrochloric acid (HCl) and water (H2O) to remove any residual platinum material from the unreacted portions of the NiPt layer; and following the dilute Aqua Regia treatment, performing a second RTA to form final silicide contact regions from the metal rich silicide regions.

    摘要翻译： 执行硅化物接触工艺的方法包括在半导体器件结构上形成镍 - 铂合金（NiPt）层; 执行第一快速热退火（RTA），以使NiPt层的与半导体器件结构的半导体区域接触的部分反应，由此形成富金属硅化物区域; 执行第一湿蚀刻以去除至少NiPt层的未反应部分的镍组分; 使用包含硝酸（HNO 3），盐酸（HCl）和水（H 2 O）的稀释Aqua Regia处理进行第二次湿蚀刻以从NiPt层的未反应部分去除任何残余的铂材料; 并且在稀释的Aqua Regia处理之后，执行第二个RTA从富金属硅化物区形成最终的硅化物接触区。

    MOSFET integrated circuit with uniformly thin silicide layer and methods for its manufacture
    7.
    发明授权
    MOSFET integrated circuit with uniformly thin silicide layer and methods for its manufacture 有权
    具有均匀薄的硅化物层的MOSFET集成电路及其制造方法

    公开(公告)号：US08652963B2

    公开(公告)日：2014-02-18

    申请号：US13237732

    申请日：2011-09-20

    申请人： Bin Yang ,  Christian Lavoie ,  Emre Alptekin ,  Ahmet S. Ozcan ,  Cung D. Tran ,  Mark Raymond

    发明人： Bin Yang ,  Christian Lavoie ,  Emre Alptekin ,  Ahmet S. Ozcan ,  Cung D. Tran ,  Mark Raymond

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： An MOSFET device having a Silicide layer of uniform thickness, and methods for its fabrication, are provided. One such method involves depositing a metal layer over wide and narrow contact trenches on the surface of a silicon semiconductor substrate. Upon formation of a uniformly thin amorphous intermixed alloy layer at the metal/silicon interface, the excess (unreacted) metal is removed. The device is annealed to facilitate the formation of a thin silicide layer on the substrate surface which exhibits uniform thickness at the bottoms of both wide and narrow contact trenches.

    摘要翻译： 提供具有均匀厚度的硅化物层的MOSFET器件及其制造方法。 一种这样的方法包括在硅半导体衬底的表面上的宽且窄的接触沟槽上沉积金属层。 在金属/硅界面处形成均匀薄的无定形混合合金层时，除去过量的（未反应的）金属。 该器件被退火以促进在衬底表面上形成薄的硅化物层，其在宽和窄接触沟槽的底部显示均匀的厚度。

    Metal-semiconductor intermixed regions
    9.
    发明授权
    Metal-semiconductor intermixed regions 有权
    金属半导体混合区域

    公开(公告)号：US08278200B2

    公开(公告)日：2012-10-02

    申请号：US13012043

    申请日：2011-01-24

    申请人： Christian Lavoie ,  Tak H. Ning ,  Ahmet S. Ozcan ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Christian Lavoie ,  Tak H. Ning ,  Ahmet S. Ozcan ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/28518

    摘要： In one exemplary embodiment, a program storage device readable by a machine, tangibly embodying a program of instructions executable by the machine for performing operations, said operations including: depositing a first layer having a first metal on a surface of a semiconductor structure, where depositing the first layer creates a first intermix region at an interface of the first layer and the semiconductor structure; removing a portion of the deposited first layer to expose the first intermix region; depositing a second layer having a second metal on the first intermix region, where depositing the second layer creates a second intermix region at an interface of the second layer and the first intermix region; removing a portion of the deposited second layer to expose the second intermix region; and performing at least one anneal on the semiconductor structure.

    摘要翻译： 在一个示例性实施例中，一种可由机器读取的程序存储设备，其有形地体现了可由机器执行的用于执行操作的指令程序，所述操作包括：在半导体结构的表面上沉积具有第一金属的第一层， 第一层在第一层和半导体结构的界面处形成第一混合区; 去除沉积的第一层的一部分以暴露第一混合区; 在所述第一混合区域上沉积具有第二金属的第二层，其中沉积所述第二层在所述第二层和所述第一混合区的界面处产生第二混合区; 去除沉积的第二层的一部分以暴露第二混合区; 以及在所述半导体结构上执行至少一个退火。

    METHOD AND STRUCTURE FOR DIFFERENTIAL SILICIDE AND RECESSED OR RAISED SOURCE/DRAIN TO IMPROVE FIELD EFFECT TRANSISTOR
    10.
    发明申请
    METHOD AND STRUCTURE FOR DIFFERENTIAL SILICIDE AND RECESSED OR RAISED SOURCE/DRAIN TO IMPROVE FIELD EFFECT TRANSISTOR 有权
    不同硅酸盐的方法和结构以及被提高或提高的源/排水以改善场效应晶体管

    公开(公告)号：US20110062525A1

    公开(公告)日：2011-03-17

    申请号：US12560585

    申请日：2009-09-16

    申请人： Christian Lavoie ,  Viorel C. Ontalus ,  Ahmet S. Ozcan

    发明人： Christian Lavoie ,  Viorel C. Ontalus ,  Ahmet S. Ozcan

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7848

    摘要： A method forms an integrated circuit structure. The method patterns a protective layer over a first-type field effect transistor and removes a stress liner from above a second-type field effect transistors. Then, the method removes a first-type silicide layer from source and drain regions of the second-type field effect transistor, but leaves at least a portion of the first-type silicide layer on the gate conductor of the second-type field effect transistor. The method forms a second-type silicide layer on the gate conductor and the source and drain regions of the second-type field effect transistor. The second-type silicide layer that is formed is different than the first-type silicide layer. For example, the first-type silicide layer and the second-type silicide layer can comprise different materials, different thicknesses, different crystal orientations, and/or different chemical phases, etc.

    摘要翻译： 一种方法形成集成电路结构。 该方法在第一类场效应晶体管上形成保护层，并从第二种场效应晶体管上方去除应力衬垫。 然后，该方法从第二类型场效应晶体管的源极区和漏极区去除第一类型的硅化物层，但是将第一类型硅化物层的至少一部分留在第二类型场效应晶体管的栅极导体上 。 该方法在栅极导体和第二类场效应晶体管的源极和漏极区域上形成第二类型的硅化物层。 所形成的第二类硅化物层与第一型硅化物层不同。 例如，第一型硅化物层和第二类型硅化物层可以包括不同的材料，不同的厚度，不同的晶体取向和/或不同的化学相等。