公开(公告)号：US20120196155A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13193539

申请日：2011-07-28

申请人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

发明人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

IPC分类号： G11B5/64 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  B05D5/00 ,  B82Y10/00

CPC分类号： G11B5/85 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

摘要： A method and apparatus for forming magnetic media substrates is provided. A patterned resist layer is formed on a substrate having a magnetically susceptible layer. A conformal protective layer is formed over the patterned resist layer to prevent degradation of the pattern during subsequent processing. The substrate is subjected to an energy treatment wherein energetic species penetrate portions of the patterned resist and conformal protective layer according to the pattern formed in the patterned resist, impacting the magnetically susceptible layer and modifying a magnetic property thereof. The patterned resist and conformal protective layers are then removed, leaving a magnetic substrate having a pattern of magnetic properties with a topography that is substantially unchanged.

摘要翻译： 提供了一种形成磁性介质基板的方法和装置。 在具有磁敏感层的基板上形成图案化的抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成保形层，以防止后续处理期间图案的劣化。 对衬底进行能量处理，其中能量物质根据形成在图案化抗蚀剂中的图案穿透图案化抗蚀剂和保形层的部分，撞击磁敏感层并改变其磁性。 然后去除图案化的抗蚀剂和共形保护层，留下具有基本上不变的形貌的磁性质图案的磁性基底。

公开(公告)号：US08658242B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13193539

申请日：2011-07-28

申请人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

发明人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： G11B5/85 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

摘要： A method and apparatus for forming magnetic media substrates is provided. A patterned resist layer is formed on a substrate having a magnetically susceptible layer. A conformal protective layer is formed over the patterned resist layer to prevent degradation of the pattern during subsequent processing. The substrate is subjected to an energy treatment wherein energetic species penetrate portions of the patterned resist and conformal protective layer according to the pattern formed in the patterned resist, impacting the magnetically susceptible layer and modifying a magnetic property thereof. The patterned resist and conformal protective layers are then removed, leaving a magnetic substrate having a pattern of magnetic properties with a topography that is substantially unchanged.

摘要翻译： 提供了一种形成磁性介质基板的方法和装置。 在具有磁敏感层的基底上形成图案化的抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成保形层，以防止后续处理期间图案的劣化。 对衬底进行能量处理，其中能量物质根据形成在图案化抗蚀剂中的图案穿透图案化抗蚀剂和保形层的部分，撞击磁敏感层并改变其磁性。 然后去除图案化的抗蚀剂和共形保护层，留下具有基本上不变的形貌的磁性质图案的磁性基底。

公开(公告)号：US20140273524A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14204490

申请日：2014-03-11

申请人： Victor Nguyen ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Ning Li ,  Martin A. Hilkene ,  Matthew D. Scotney-Castle

发明人： Victor Nguyen ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Ning Li ,  Martin A. Hilkene ,  Matthew D. Scotney-Castle

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02321 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31155

摘要： Provided are methods for the deposition and doping of films comprising Si. Certain methods involve depositing a SiN, SiO, SiON, SiC or SiCN film and doping the Si-containing film with one or more of C, B, O, N and Ge by a plasma implantation process. Such doped Si-containing films may have improved properties such as reduced etch rate in acid-based clean solutions, reduced dielectric constant and/or improved dielectric strength.

摘要翻译： 提供了用于沉积和掺杂包含Si的膜的方法。 某些方法包括沉积SiN，SiO，SiON，SiC或SiCN膜，并通过等离子体注入工艺将C，B，O，N和Ge中的一种或多种掺杂到含Si薄膜。 这种掺杂的含Si薄膜可具有改进的性能，例如在酸基清洁溶液中降低的蚀刻速率，降低的介电常数和/或改善的介电强度。

公开(公告)号：US08148269B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12415759

申请日：2009-03-31

申请人： Mihaela Balseanu ,  Christopher D. Bencher ,  Yongmei Chen ,  Li Yan Miao ,  Victor Nguyen ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Mihaela Balseanu ,  Christopher D. Bencher ,  Yongmei Chen ,  Li Yan Miao ,  Victor Nguyen ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/4966

摘要： A method and apparatus are provided to form spacer materials adjacent substrate structures. In one embodiment, a method is provided for processing a substrate including placing a substrate having a substrate structure adjacent a substrate surface in a deposition chamber, depositing a spacer layer on the substrate structure and substrate surface, and etching the spacer layer to expose the substrate structure and a portion of the substrate surface, wherein the spacer layer is disposed adjacent the substrate structure. The spacer layer may comprise a boron nitride material. The spacer layer may comprise a base spacer layer and a liner layer, and the spacer layer may be etched in a two-step etching process.

摘要翻译： 提供了一种形成邻近衬底结构的间隔物材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法，包括将具有邻近衬底表面的衬底结构的衬底放置在沉积室中，在衬底结构和衬底表面上沉积间隔层，以及蚀刻间隔层以暴露衬底 结构和衬底表面的一部分，其中间隔层邻近衬底结构设置。 间隔层可以包括氮化硼材料。 间隔层可以包括基底间隔层和衬垫层，并且可以在两步蚀刻工艺中蚀刻间隔层。

公开(公告)号：US20090263972A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12415759

申请日：2009-03-31

申请人： Mihaela Balseanu ,  Christopher D. Bencher ,  Yongmei Chen ,  Li Yan Miao ,  Victor Nguyen ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Mihaela Balseanu ,  Christopher D. Bencher ,  Yongmei Chen ,  Li Yan Miao ,  Victor Nguyen ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/4966

摘要： A method and apparatus are provided to form spacer materials adjacent substrate structures. In one embodiment, a method is provided for processing a substrate including placing a substrate having a substrate structure adjacent a substrate surface in a deposition chamber, depositing a spacer layer on the substrate structure and substrate surface, and etching the spacer layer to expose the substrate structure and a portion of the substrate surface, wherein the spacer layer is disposed adjacent the substrate structure. The spacer layer may comprise a boron nitride material. The spacer layer may comprise a base spacer layer and a liner layer, and the spacer layer may be etched in a two-step etching process.

摘要翻译： 提供了一种形成邻近衬底结构的间隔物材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法，包括将具有邻近衬底表面的衬底结构的衬底放置在沉积室中，在衬底结构和衬底表面上沉积间隔层，以及蚀刻间隔层以暴露衬底 结构和衬底表面的一部分，其中间隔层邻近衬底结构设置。 间隔层可以包括氮化硼材料。 间隔层可以包括基底间隔层和衬垫层，并且可以在两步蚀刻工艺中蚀刻间隔层。

公开(公告)号：US08343881B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12794713

申请日：2010-06-04

申请人： Yong-Won Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Scott A Hendrickson ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Thomas Nowak ,  Derek R Witty

发明人： Yong-Won Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Scott A Hendrickson ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Thomas Nowak ,  Derek R Witty

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31 ,  C23C16/448

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

摘要： A silicon dioxide layer is deposited onto a substrate using a process gas comprising BDEAS and an oxygen-containing gas such as ozone. The silicon dioxide layer can be part of an etch-resistant stack that includes a resist layer. In another version, the silicon dioxide layer is deposited into through holes to form an oxide liner for through-silicon vias.

摘要翻译： 使用包含BDEAS和含氧气体如臭氧的工艺气体将二氧化硅层沉积到衬底上。 二氧化硅层可以是包括抗蚀剂层的抗蚀刻堆叠的一部分。 在另一个版本中，二氧化硅层被沉积到通孔中以形成用于通硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：US20090269923A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12109533

申请日：2008-04-25

申请人： Sang M. Lee ,  Yong-Won Lee ,  Meiyee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Sang M. Lee ,  Yong-Won Lee ,  Meiyee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/321

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

摘要： A method and apparatus for processing a substrate is provided. The method of processing a substrate includes providing a substrate comprising a conductive material, performing a pre-treatment process on the conductive material, flowing a silicon based compound on the conductive material to form a silicide layer, performing a post treatment process on the silicide layer, and depositing a barrier dielectric layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的方法和设备。 处理衬底的方法包括提供包括导电材料的衬底，对导电材料执行预处理工艺，在导电材料上流动硅基化合物以形成硅化物层，对硅化物层进行后处理工艺 ，并在衬底上沉积阻挡介电层。

公开(公告)号：US20090107626A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12258300

申请日：2008-10-24

申请人： Yong-Won Lee ,  Sang M. Lee ,  Meiyee(Maggie Le) Shek ,  Weifeng Ye ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Jigang Li

发明人： Yong-Won Lee ,  Sang M. Lee ,  Meiyee(Maggie Le) Shek ,  Weifeng Ye ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Jigang Li

IPC分类号： B32B37/00

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Embodiments described herein provide a method of processing a substrate. The method includes depositing an interface adhesion layer between a conductive material and a dielectric material such that the interface adhesion layer provides increased adhesion between the conductive material and the dielectric material. In one embodiment a method for processing a substrate is provided. The method comprises depositing an interface adhesion layer on a substrate comprising a conductive material, exposing the interface adhesion layer to a nitrogen containing plasma, and depositing a dielectric layer on the interface adhesion layer after exposing the interface adhesion layer to the nitrogen containing plasma.

摘要翻译： 本文所述的实施例提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括在导电材料和电介质材料之间沉积界面粘合层，使得界面粘合层在导电材料和电介质材料之间提供增加的粘合力。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法。 该方法包括在包括导电材料的基底上沉积界面粘附层，将界面粘附层暴露于含氮等离子体，以及在将界面粘附层暴露于含氮等离子体之后，在界面粘附层上沉积电介质层。

公开(公告)号：US20120276301A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13545738

申请日：2012-07-10

申请人： Yong-Won Lee ,  Sang M. Lee ,  Meiyee (Maggie Le) Shek ,  Weifeng Ye ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Jigang Li

发明人： Yong-Won Lee ,  Sang M. Lee ,  Meiyee (Maggie Le) Shek ,  Weifeng Ye ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Jigang Li

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Embodiments described herein provide a method of processing a substrate. The method includes depositing an interface adhesion layer between a conductive material and a dielectric material such that the interface adhesion layer provides increased adhesion between the conductive material and the dielectric material. In one embodiment a method for processing a substrate is provided. The method comprises depositing an interface adhesion layer on a substrate comprising a conductive material, exposing the interface adhesion layer to a nitrogen containing plasma, and depositing a dielectric layer on the interface adhesion layer after exposing the interface adhesion layer to the nitrogen containing plasma.

摘要翻译： 本文所述的实施例提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括在导电材料和电介质材料之间沉积界面粘合层，使得界面粘合层在导电材料和电介质材料之间提供增加的粘合力。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法。 该方法包括在包括导电材料的基底上沉积界面粘附层，将界面粘附层暴露于含氮等离子体，以及在将界面粘附层暴露于含氮等离子体之后，在界面粘附层上沉积电介质层。

公开(公告)号：US20120097330A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12908617

申请日：2010-10-20

申请人： Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Dale R. DuBois ,  Juan Carlos Rocha-Alverez ,  Thomas Nowak ,  Scott A. Hendrickson ,  Yong-Won Lee ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Dale R. DuBois ,  Juan Carlos Rocha-Alverez ,  Thomas Nowak ,  Scott A. Hendrickson ,  Yong-Won Lee ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/465 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274

摘要： A substrate processing system includes a thermal processor or a plasma generator adjacent to a processing chamber. A first processing gas enters the thermal processor or plasma generator. The first processing gas then flows directly through a showerhead into the processing chamber. A second processing gas flows through a second flow path through the showerhead. The first and second processing gases are mixed below the showerhead and a layer of material is deposited on a substrate under the showerhead.

摘要翻译： 衬底处理系统包括与处理室相邻的热处理器或等离子体发生器。 第一处理气体进入热处理器或等离子体发生器。 然后，第一处理气体直接通过喷头流入处理室。 第二处理气体流过穿过喷头的第二流路。 第一和第二处理气体混合在喷淋头下面，并且一层材料沉积在喷头下方的基底上。