公开(公告)号：US07354779B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11276707

申请日：2006-03-10

申请人： Colin J. Brodsky ,  Scott J. Bukofsky ,  Allen H. Gabor

发明人： Colin J. Brodsky ,  Scott J. Bukofsky ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/0271 ,  H01L21/0276

摘要： Methods for applying topographically compensated film in a semiconductor wafer fabrication process are disclosed. The processes include premapping a surface of a wafer so as to determine the local topography (e.g., z-height) of the wafer and then applying a variable depth of a film to the wafer, such that the variable depth is modulated based on the local topography of the wafer. The resultant topography of the applied film and wafer is substantially planar (e.g., within approximately 100 nm) across the wafer.

摘要翻译： 公开了在半导体晶片制造工艺中应用地形学补偿膜的方法。 这些过程包括预先处理晶片的表面，以便确定晶片的局部形貌（例如，z-高度），然后将薄膜的可变深度施加到晶片，使得可变深度基于本地 晶圆的形貌。 所施加的膜和晶片的所得形貌在晶片上基本上是平面的（例如在大约100nm内）。

公开(公告)号：US07229936B2

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：US10709406

申请日：2004-05-03

申请人： Colin J. Brodsky ,  Scott J. Bukofsky ,  Dario L. Goldfarb ,  Scott D. Halle

发明人： Colin J. Brodsky ,  Scott J. Bukofsky ,  Dario L. Goldfarb ,  Scott D. Halle

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

摘要： A method is provided for preparing a substrate for photolithographic patterning. The method includes providing a substrate having at least an exposed rough surface layer including a polymeric material. The rough surface layer has surface features characterized by feature step height varying between about two percent and twenty percent of the minimum photolithographic half-pitch. A layer of photoresist material is then provided over the exposed rough surface layer and patterned.

摘要翻译： 提供了一种制备用于光刻图案的衬底的方法。 该方法包括提供具有至少暴露的包含聚合材料的粗糙表面层的基底。 粗糙表面层具有表征特征，其特征在于最小光刻半间距的约百分之二到百分之二的特征步长。 然后在暴露的粗糙表面层上提供一层光致抗蚀剂材料并图案化。

公开(公告)号：US07239371B2

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：US11163409

申请日：2005-10-18

申请人： Bernhard R. Liegl ,  Colin J. Brodsky ,  Scott J. Bukofsky ,  Steven J. Holmes

发明人： Bernhard R. Liegl ,  Colin J. Brodsky ,  Scott J. Bukofsky ,  Steven J. Holmes

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/42 ,  G03B27/32

CPC分类号： G03F9/7034 ,  G03F9/7026

摘要： A method and apparatus are provided for improving the leveling and, consequently, the focusing of a substrate such as a wafer during the photolithography imaging procedure of a semiconductor manufacturing process. The invention performs a pre-scan of the wafer's topography and assigns importance values to different regions of the wafer surface. Exposure focus instructions are calculated based on the topography and importance values of the different regions and the wafer is then scanned and imaged based on the calculated exposure focus instructions.

摘要翻译： 提供了一种方法和装置，用于在半导体制造工艺的光刻成像过程期间改进调平，并因此改善诸如晶片的基板的聚焦。 本发明对晶片的形貌进行预扫描，并将重要性值分配给晶片表面的不同区域。 基于不同区域的形貌和重要度值计算曝光焦点指令，然后基于计算出的曝光聚焦指令对晶片进行扫描和成像。

公开(公告)号：US20120076982A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13311638

申请日：2011-12-06

申请人： Todd Christopher Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

发明人： Todd Christopher Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： B32B3/24 ,  G03F7/11

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/249953

摘要： A structure. The structure includes: a hole layer; a hole layer including a top hole layer surface, wherein the hole layer has a thickness in a first direction that is perpendicular to the hole layer surface; a bottom antireflective coating (BARC) layer on and in direct physical contact with the hole layer at the top hole layer surface; a photoresist layer on and in direct physical contact with the BARC layer, wherein a continuous hole in the first direction extends completely through the photoresist layer, the BARC layer, and the hole layer; and a polymerized hole shrinking region in direct physical contact with the photoresist layer at a lateral surface of the photoresist layer and with the hole layer at the top hole layer surface, wherein the hole shrinking region does not extend below the hole layer surface in a direction from the BARC layer to the hole layer.

摘要翻译： 一个结构。 该结构包括：孔层; 包括顶孔层表面的孔层，其中所述孔层具有垂直于所述孔层表面的第一方向的厚度; 底部抗反射涂层（BARC）层，其在顶部孔层表面上与孔层直接物理接触; 与BARC层直接物理接触的光致抗蚀剂层，其中第一方向上的连续孔完全穿过光致抗蚀剂层，BARC层和空穴层; 以及在光致抗蚀剂层的侧面与顶层孔表面的光致抗蚀剂层直接物理接触的聚合孔收缩区域，其中，所述孔收缩区域在所述孔层表面的方向 从BARC层到孔层。

公开(公告)号：US20080286683A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11750026

申请日：2007-05-17

申请人： Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor ,  Javier Perez

发明人： Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor ,  Javier Perez

IPC分类号： G03C1/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/0035

摘要： A method and a structure. The structure includes: a solid core comprising a first photoresist material, the core having a bottom surface on a substrate, a top surface and opposite first and second side surfaces between the top surface and the bottom surface; and a shell comprising a second photoresist material, the shell on the top surface of the substrate, the shell containing a cavity open to the top surface of the substrate, the shell formed over the top surface and the first and second side surfaces walls of the core, the core completely filling the cavity. The core is stiffer than the shell. The method includes: forming the core from a first photoresist layer and forming the shell from a second photoresist layer applied over the core. The core may be cross-linked to increase its stiffness.

摘要翻译： 一种方法和结构。 该结构包括：固体芯，其包括第一光致抗蚀剂材料，所述芯在基底上具有底表面，顶表面以及在顶表面和底表面之间的相对的第一和第二侧表面; 以及壳体，其包括第二光致抗蚀剂材料，所述壳体在所述基板的顶表面上，所述外壳包含通向所述基板的顶表面的空腔，所述外壳形成在所述顶表面上以及所述第一和第二侧表面壁上 核心，核心完全填充空腔。 核心比壳更僵硬。 该方法包括：从第一光致抗蚀剂层形成芯并从施加在芯上的第二光致抗蚀剂层形成壳。 芯可以交联以增加其刚度。

公开(公告)号：US07288478B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US11160670

申请日：2005-07-05

申请人： Todd Christopher Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

发明人： Todd Christopher Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/249953

摘要： A structure and a method for forming the same. The method comprises providing a structure including (a) a hole layer, (b) a BARC (bottom antireflective coating) layer on the top of the hole layer, and (c) a patterned photoresist layer on top of the BARC layer and having a photoresist hole; etching the BARC layer through the photoresist hole to extend the photoresist hole to the hole layer; performing the chemical shrinking process to shrink the extended photoresist hole; and etching the hole layer through the shrunk, extended photoresist hole so as to form a hole in the hole layer.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该方法包括提供一种结构，其包括（a）空穴层，（b）在空穴层顶部的BARC（底部抗反射涂层）层，和（c）在BARC层的顶部上的图案化光致抗蚀剂层， 光致抗蚀剂孔; 通过光致抗蚀剂孔蚀刻BARC层以将光致抗蚀剂孔延伸到孔层; 执行化学收缩过程以收缩延伸的光致抗蚀剂孔; 并且通过收缩的延伸的光致抗蚀剂孔蚀刻孔层，以在孔层中形成孔。

公开(公告)号：US20080154420A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11613238

申请日：2006-12-20

申请人： Colin J. Brodsky ,  Michael M. Crouse ,  Allen H. Gabor

发明人： Colin J. Brodsky ,  Michael M. Crouse ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70875 ,  G05B2219/32182 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/32188 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45028 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： A method of controlling one or more critical dimension (CD) features, dependent upon at least a first and a second processing parameter, with a single metrology step, while still enabling decoupled feedback to the first and the second processing parameter, includes an initial process characterization; producing a production piece; a single metrology step to determine the critical dimensions of the produced features; solving a system of equations simultaneously for individual feedback correction values for the first and second processing parameters; and applying the individual feedback correction values to their respective processing parameters.

摘要翻译： 一种基于至少第一和第二处理参数的单个度量步骤来控制一个或多个关键维度（CD）特征的方法，同时仍然使能到第一和第二处理参数的解耦反馈，包括初始过程 表征 生产一块; 一个单一的度量步骤来确定所产生的特征的关键尺寸; 针对第一和第二处理参数的各个反馈校正值同时求解方程组; 以及将各个反馈校正值应用于它们各自的处理参数。

公开(公告)号：US08491984B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13311638

申请日：2011-12-06

申请人： Todd Christopher Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

发明人： Todd Christopher Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： B32B3/24 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/249953

摘要： A structure. The structure includes: a hole layer; a hole layer including a top hole layer surface, wherein the hole layer has a thickness in a first direction that is perpendicular to the hole layer surface; a bottom antireflective coating (BARC) layer on and in direct physical contact with the hole layer at the top hole layer surface; a photoresist layer on and in direct physical contact with the BARC layer, wherein a continuous hole in the first direction extends completely through the photoresist layer, the BARC layer, and the hole layer; and a polymerized hole shrinking region in direct physical contact with the photoresist layer at a lateral surface of the photoresist layer and with the hole layer at the top hole layer surface, wherein the hole shrinking region does not extend below the hole layer surface in a direction from the BARC layer to the hole layer.

摘要翻译： 一个结构。 该结构包括：孔层; 包括顶孔层表面的孔层，其中所述孔层具有垂直于所述孔层表面的第一方向的厚度; 底部抗反射涂层（BARC）层，其在顶部孔层表面上与孔层直接物理接触; 与BARC层直接物理接触的光致抗蚀剂层，其中第一方向上的连续孔完全穿过光致抗蚀剂层，BARC层和空穴层; 以及在光致抗蚀剂层的侧面与顶层孔表面的光致抗蚀剂层直接物理接触的聚合孔收缩区域，其中，所述孔收缩区域在所述孔层表面的方向 从BARC层到孔层。

公开(公告)号：US07799503B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11750026

申请日：2007-05-17

申请人： Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor ,  Javier Perez

发明人： Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor ,  Javier Perez

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0035

摘要： A method and a structure. The structure includes: a solid core comprising a first photoresist material, the core having a bottom surface on a substrate, a top surface and opposite first and second side surfaces between the top surface and the bottom surface; and a shell comprising a second photoresist material, the shell on the top surface of the substrate, the shell containing a cavity open to the top surface of the substrate, the shell formed over the top surface and the first and second side surfaces walls of the core, the core completely filling the cavity. The core is stiffer than the shell. The method includes: forming the core from a first photoresist layer and forming the shell from a second photoresist layer applied over the core. The core may be cross-linked to increase its stiffness.

摘要翻译： 一种方法和结构。 该结构包括：固体芯，其包括第一光致抗蚀剂材料，所述芯在基底上具有底表面，顶表面以及在顶表面和底表面之间的相对的第一和第二侧表面; 以及壳体，其包括第二光致抗蚀剂材料，所述壳体在所述基板的顶表面上，所述外壳包含通向所述基板的顶表面的空腔，所述外壳形成在所述顶表面上以及所述第一和第二侧表面壁上 核心，核心完全填充空腔。 核心比壳更僵硬。 该方法包括：从第一光致抗蚀剂层形成芯并从施加在芯上的第二光致抗蚀剂层形成壳。 芯可以交联以增加其刚度。

公开(公告)号：US07083898B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US11160744

申请日：2005-07-07

申请人： Todd C. Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

发明人： Todd C. Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76816

摘要： A structure and a method for forming the same. The method includes providing a structure including (a) a hole layer, and (b) a pattern transfer layer on and in direct physical contact with the hole layer, wherein the pattern transfer layer comprises a pattern transfer layer hole; depositing an acid supply layer on a side wall of the pattern transfer layer hole; transferring acids from the acid supply layer to an acid storage region in the pattern transfer layer abutting the side wall of the pattern transfer layer hole after said depositing is performed; removing the acid supply layer after said transferring is performed; and performing a chemical shrinking process to the pattern transfer layer hole utilizing the acids from the acid storage region after said removing is performed so as to shrink the pattern transfer layer hole.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该方法包括提供包括（a）空穴层和（b）与空穴层直接物理接触的图案转移层的结构，其中图案转移层包括图案转移层孔; 在图案转印层孔的侧壁上沉积酸供应层; 在执行所述沉积之后，将酸从所述酸供应层转移到所述图案转印层中与所述图案转印层孔的侧壁邻接的酸存储区域; 在进行所述转印之后去除酸供应层; 并且在进行所述去除之后利用来自酸存储区域的酸进行图案转印层孔的化学收缩处理，以使图案转印层孔收缩。