公开(公告)号：US20130288392A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13848641

申请日：2013-03-21

申请人： Crocus Technology Inc.

发明人： Jean Pierre Nozieres ,  Jason Reid

IPC分类号： H01L43/02

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00 ,  H01L43/12

摘要： Disclosed herein is a method of forming electronic device having thin-film components by using trenches. One or more of thin-film components is formed by depositing a thin-film in the trench followed by processing the deposited thin-film to have the desired thickness.

摘要翻译： 本文公开了通过使用沟槽形成具有薄膜部件的电子器件的方法。 通过在沟槽中沉积薄膜而形成薄膜成分中的一种或多种，​​然后将沉积的薄膜加工成具有所需的厚度。

公开(公告)号：US09059400B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14203362

申请日：2014-03-10

申请人： Crocus Technology Inc.

发明人： Dafna Beery ,  Jason Reid ,  Jong Shin ,  Jean Pierre Nozieres ,  Olivier Joubert

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： A manufacturing method to form a memory device includes forming a hard mask on a magnetic stack. A first magnetic stack etch is performed to form exposed magnetic layers. A liner is applied to the exposed magnetic layers to form protected magnetic layers. A second magnetic stack etch forms a magnetic random access memory (MRAM) cell, where the liner prevents shunting between the protected magnetic layers.

摘要翻译： 形成存储器件的制造方法包括在磁性堆叠上形成硬掩模。 执行第一磁栈蚀刻以形成暴露的磁性层。 将衬垫施加到暴露的磁性层以形成受保护的磁性层。 第二磁栈蚀刻形成磁性随机存取存储器（MRAM）单元，其中衬垫防止受保护的磁层之间的分流。

公开(公告)号：US08652856B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13848641

申请日：2013-03-21

申请人： Crocus Technology Inc.

发明人： Jean Pierre Nozieres ,  Jason Reid

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00 ,  H01L43/12

摘要： Disclosed herein is a method of forming electronic device having thin-film components by using trenches. One or more of thin-film components is formed by depositing a thin-film in the trench followed by processing the deposited thin-film to have the desired thickness.

摘要翻译： 本文公开了通过使用沟槽形成具有薄膜部件的电子器件的方法。 通过在沟槽中沉积薄膜而形成薄膜成分中的一种或多种，​​然后将沉积的薄膜加工成具有所需的厚度。

公开(公告)号：US20140252516A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US14203362

申请日：2014-03-10

申请人： Crocus Technology Inc.

发明人： Dafna Beery ,  Jason Reid ,  Jong Shin ,  Jean Pierre Nozieres ,  Olivier Joubert

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： A manufacturing method to form a memory device includes forming a hard mask on a magnetic stack. A first magnetic stack etch is performed to form exposed magnetic layers. A liner is applied to the exposed magnetic layers to form protected magnetic layers. A second magnetic stack etch forms a magnetic random access memory (MRAM) cell, where the liner prevents shunting between the protected magnetic layers.

摘要翻译： 形成存储器件的制造方法包括在磁性堆叠上形成硬掩模。 执行第一磁栈蚀刻以形成暴露的磁性层。 将衬垫施加到暴露的磁性层以形成受保护的磁性层。 第二磁栈蚀刻形成磁性随机存取存储器（MRAM）单元，其中衬垫防止受保护的磁层之间的分流。