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    Resistive memory cell
    3.
    发明授权
    Resistive memory cell 有权
    电阻记忆单元

    公开(公告)号：US08847196B2

    公开(公告)日：2014-09-30

    申请号：US13109052

    申请日：2011-05-17

    申请人： Matthew N. Rocklein ,  D. V. Nirmal Ramaswamy

    发明人： Matthew N. Rocklein ,  D. V. Nirmal Ramaswamy

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

    摘要： Semiconductor memory devices, resistive memory devices, memory cell structures, and methods of forming a resistive memory cell are provided. One example method of a resistive memory cell can include a number of dielectric regions formed between two electrodes, and a barrier dielectric region formed between each of the dielectric regions. The barrier dielectric region serves to reduce an oxygen diffusion rate associated with the dielectric regions.

    摘要翻译： 提供了半导体存储器件，电阻式存储器件，存储单元结构以及形成电阻存储单元的方法。 电阻式存储单元的一个示例性方法可以包括形成在两个电极之间的多个电介质区域和形成在每个电介质区域之间的势垒电介质区域。 势垒电介质区域用于降低与电介质区域相关联的氧扩散速率。

    FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPRATUSES
    6.
    发明申请
    FORTIFICATION OF CHARGE-STORING MATERIAL IN HIGH-K DIELECTRIC ENVIRONMENTS AND RESULTING APPRATUSES 有权
    高K电介质环境中电荷储存材料的优化及其结果

    公开(公告)号：US20110227142A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US12728697

    申请日：2010-03-22

    申请人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Matthew N. Rocklein ,  Rhett Brewer

    发明人： D.V. Nirmal Ramaswamy ,  Matthew N. Rocklein ,  Rhett Brewer

    IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/314 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5671 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348

    摘要： Memories, systems, and methods for forming memory cells are disclosed. One such memory cell includes a charge storage node that includes nanodots over a tunnel dielectric and a protective film over the nanodots. In another memory cell, the charge storage node includes nanodots that include a ruthenium alloy. Memory cells can include an inter-gate dielectric over the protective film or ruthenium alloy nanodots and a control gate over the inter-gate dielectric. The protective film and ruthenium alloy can be configured to protect at least some of the nanodots from vaporizing during formation of the inter-gate dielectric.

    摘要翻译： 公开了用于形成存储器单元的存储器，系统和方法。 一个这种存储单元包括电荷存储节点，其在隧道电介质上方包括纳米点，并且在纳米点上包括保护膜。 在另一个存储单元中，电荷存储节点包括包含钌合金的纳米点。 存储单元可以包括在保护膜或钌合金纳米点上的栅极间电介质和在栅极间电介质上的控制栅极。 保护膜和钌合金可以被配置为在形成栅极间电介质期间保护至少一些纳米点不被蒸发。

    RESISTIVE MEMORY CELL
    7.
    发明申请
    RESISTIVE MEMORY CELL 有权
    电阻记忆体

    公开(公告)号：US20120292584A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：US13109052

    申请日：2011-05-17

    申请人： Matthew N. Rocklein ,  D.V. Nirmal Ramaswamy

    发明人： Matthew N. Rocklein ,  D.V. Nirmal Ramaswamy

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

    摘要： Semiconductor memory devices, resistive memory devices, memory cell structures, and methods of forming a resistive memory cell are provided. One example method of a resistive memory cell can include a number of dielectric regions formed between two electrodes, and a barrier dielectric region formed between each of the dielectric regions. The barrier dielectric region serves to reduce an oxygen diffusion rate associated with the dielectric regions.

    摘要翻译： 提供了半导体存储器件，电阻式存储器件，存储单元结构以及形成电阻存储单元的方法。 电阻式存储单元的一个示例性方法可以包括形成在两个电极之间的多个电介质区域和形成在每个电介质区域之间的势垒电介质区域。 势垒电介质区域用于降低与电介质区域相关联的氧扩散速率。