公开(公告)号：US20050170566A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11046876

申请日：2005-02-01

申请人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115

CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： A thin film structure and a capacitor using the film structure and methods for forming the same. The thin film structure may include a first film formed on a substrate using a first reactant and an oxidant for oxidizing the first reactant. A second film may be formed on the first film to suppress crystallization of the first film. A capacitor may include a dielectric layer, which may further include the first thin film and the second thin film.

摘要翻译： 薄膜结构和使用该薄膜结构的电容器及其形成方法。 薄膜结构可以包括使用第一反应物和用于氧化第一反应物的氧化剂在基底上形成的第一膜。 可以在第一膜上形成第二膜以抑制第一膜的结晶。 电容器可以包括电介质层，其可以进一步包括第一薄膜和第二薄膜。

公开(公告)号：US20060141695A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11285555

申请日：2005-11-22

申请人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成锆氧化铪薄层的方法是将四（乙基甲基氨基）锆（[Zr（N 2 H 5 H 5） 3（H 2 O）2，H 2 O 3（H 2 O 3）3，TEMAZ）和四（乙基甲基氨基）铪（[Hf（N（C 2 H 5） （CH 3 3）} 4 S，TEMAH）提供给基板。 TEMAZ和TEMAH可与氧化剂反应。 包括氧化铪的薄层可以用于栅极结构中的栅极绝缘层，电容器中的电介质层或闪存器件中的介电层。

公开(公告)号：US07279392B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US11046876

申请日：2005-02-01

申请人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： A thin film structure and a capacitor using the film structure and methods for forming the same. The thin film structure may include a first film formed on a substrate using a first reactant and an oxidant for oxidizing the first reactant. A second film may be formed on the first film to suppress crystallization of the first film. A capacitor may include a dielectric layer, which may further include the first thin film and the second thin film.

摘要翻译： 薄膜结构和使用该薄膜结构的电容器及其形成方法。 薄膜结构可以包括使用第一反应物和用于氧化第一反应物的氧化剂在基底上形成的第一膜。 可以在第一膜上形成第二膜以抑制第一膜的结晶。 电容器可以包括电介质层，其可以进一步包括第一薄膜和第二薄膜。

公开(公告)号：US07566608B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11285555

申请日：2005-11-22

申请人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

摘要翻译： 通过供应四（乙基甲基氨基）锆（[Zr（N（C 2 H 5）（CH 3）} 4]，TEMAZ）和四（乙基甲基氨基）铪（[Hf（N（C 2 H 5））的方式在半导体衬底上形成氧化锆铪薄膜 ）（CH 3）} 4]，TEMAH）。 TEMAZ和TEMAH可与氧化剂反应。 包括氧化铪的薄层可以用于栅极结构中的栅极绝缘层，电容器中的电介质层或闪存器件中的介电层。

公开(公告)号：US20060094191A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US11261737

申请日：2005-10-28

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/11521

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device can include forming a tunnel oxide layer on a substrate, forming a floating gate on the tunnel oxide layer and forming a dielectric layer pattern on the floating gate using an ALD process. The dielectric layer pattern can include a metal precursor that includes zirconium and an oxidant. A control gate can be formed on the dielectric layer pattern. The semiconductor device can include the dielectric layer pattern provided herein.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成隧道氧化物层，在隧道氧化物层上形成浮栅，并使用ALD工艺在浮栅上形成电介质层图案。 介电层图案可以包括包含锆和氧化剂的金属前体。 可以在电介质层图案上形成控制栅极。 半导体器件可以包括本文提供的电介质层图案。

公开(公告)号：US07402491B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11261737

申请日：2005-10-28

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/11521

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device can include forming a tunnel oxide layer on a substrate, forming a floating gate on the tunnel oxide layer and forming a dielectric layer pattern on the floating gate using an ALD process. The dielectric layer pattern can include a metal precursor that includes zirconium and an oxidant. A control gate can be formed on the dielectric layer pattern. The semiconductor device can include the dielectric layer pattern provided herein.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成隧道氧化物层，在隧道氧化物层上形成浮栅，并使用ALD工艺在浮栅上形成电介质层图案。 介电层图案可以包括包含锆和氧化剂的金属前体。 可以在电介质层图案上形成控制栅极。 半导体器件可以包括本文提供的电介质层图案。

公开(公告)号：US07425493B2

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US20050170601A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US20060220106A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11375762

申请日：2006-03-15

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/513

摘要： In a gate structure of a non-volatile memory device is formed, a tunnel insulating layer and a charge trapping layer are formed on a substrate. A composite dielectric layer is formed on the charge trapping layer and has a laminate structure in which first material layers including aluminum oxide and second material layers including hafnium oxide or zirconium oxide are alternately stacked. A conductive layer is formed on the composite dielectric layer and then a gate structure is formed by patterning the conductive layer, the composite dielectric layer, the charge trapping layer, and the tunnel insulating layer.

摘要翻译： 在形成非易失性存储器件的栅极结构中，在衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层。 在电荷捕获层上形成复合电介质层，并且具有层叠结构，其中包括氧化铝的第一材料层和包括氧化铪或氧化锆的第二材料层交替堆叠。 在复合电介质层上形成导电层，然后通过图案化导电层，复合介电层，电荷俘获层和隧道绝缘层形成栅极结构。

公开(公告)号：US07646056B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11375762

申请日：2006-03-15

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/513

摘要： In a gate structure of a non-volatile memory device is formed, a tunnel insulating layer and a charge trapping layer are formed on a substrate. A composite dielectric layer is formed on the charge trapping layer and has a laminate structure in which first material layers including aluminum oxide and second material layers including hafnium oxide or zirconium oxide are alternately stacked. A conductive layer is formed on the composite dielectric layer and then a gate structure is formed by patterning the conductive layer, the composite dielectric layer, the charge trapping layer, and the tunnel insulating layer.

摘要翻译： 在形成非易失性存储器件的栅极结构中，在衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层。 在电荷捕获层上形成复合电介质层，并且具有层叠结构，其中包括氧化铝的第一材料层和包括氧化铪或氧化锆的第二材料层交替堆叠。 在复合电介质层上形成导电层，然后通过图案化导电层，复合介电层，电荷俘获层和隧道绝缘层形成栅极结构。