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    NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICES
    1.
    发明申请
    NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICES 失效
    非易失性电阻记忆体装置

    公开(公告)号：US20100102289A1

    公开(公告)日：2010-04-29

    申请号：US12606681

    申请日：2009-10-27

    申请人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Insik Jin ,  Haiwen Xi

    发明人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Insik Jin ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： Nonvolatile resistive memory devices are disclosed. In some embodiments, the memory devices comprise multilayer structures including electrodes, one or more resistive storage layers, and separation layers. The separation layers insulate the resistive storage layers to prevent charge leakage from the storage layers and allow for the use of thin resistive storage layers. In some embodiments, the nonvolatile resistive memory device includes a metallic multilayer comprising two metallic layers about an interlayer. A dopant at an interface of the interlayer and metallic layers can provide a switchable electric field within the multilayer.

    摘要翻译： 公开了非易失性电阻性存储器件。 在一些实施例中，存储器件包括包括电极，一个或多个电阻存储层和分离层的多层结构。 分离层使电阻存储层绝缘，以防止来自存储层的电荷泄漏并允许使用薄的电阻存储层。 在一些实施例中，非易失性电阻性存储器件包括金属层，其包括围绕中间层的两个金属层。 在中间层和金属层的界面处的掺杂剂可在多层内提供可切换的电场。

    Nonvolatile resistive memory devices
    2.
    发明授权
    Nonvolatile resistive memory devices 失效
    非易失性电阻式存储器件

    公开(公告)号：US08519376B2

    公开(公告)日：2013-08-27

    申请号：US12606681

    申请日：2009-10-27

    申请人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Insik Jin ,  Haiwen Xi

    发明人： Dimitar Velikov Dimitrov ,  Insik Jin ,  Haiwen Xi

    IPC分类号： H01L27/26

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： Nonvolatile resistive memory devices are disclosed. In some embodiments, the memory devices comprise multilayer structures including electrodes, one or more resistive storage layers, and separation layers. The separation layers insulate the resistive storage layers to prevent charge leakage from the storage layers and allow for the use of thin resistive storage layers. In some embodiments, the nonvolatile resistive memory device includes a metallic multilayer comprising two metallic layers about an interlayer. A dopant at an interface of the interlayer and metallic layers can provide a switchable electric field within the multilayer.

    摘要翻译： 公开了非易失性电阻性存储器件。 在一些实施例中，存储器件包括包括电极，一个或多个电阻存储层和分离层的多层结构。 分离层使电阻存储层绝缘，以防止来自存储层的电荷泄漏并允许使用薄的电阻存储层。 在一些实施例中，非易失性电阻性存储器件包括金属层，其包括围绕中间层的两个金属层。 在中间层和金属层的界面处的掺杂剂可在多层内提供可切换的电场。

    MAGNETIC SWITCHES FOR SPINWAVE TRANSMISSION
    3.
    发明申请
    MAGNETIC SWITCHES FOR SPINWAVE TRANSMISSION 审中-公开
    用于旋转传动的磁力开关

    公开(公告)号：US20090289736A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US12125974

    申请日：2008-05-23

    申请人： Haiwen Xi ,  Dadi Setiadi ,  Insik Jin ,  Yang Li ,  Song Xue

    发明人： Haiwen Xi ,  Dadi Setiadi ,  Insik Jin ,  Yang Li ,  Song Xue

    IPC分类号： H01P1/10 ,  H01H53/00

    CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H57/00

    摘要： Spinwave transmission systems that include switching devices to direct the transmission of the spinwaves used for data transfer and processing. In one particular embodiment, a system for spinwave transmission has a first magnetic stripe configured for transmission of a spinwave and a second magnetic stripe for transmission of the spinwave, with a gap therebetween. The system includes a coupler that has a first orientation and a second orientation, where in the first orientation, no magnetic connection is made between the magnetic stripes, and in the second orientation, a connection is made between the magnetic stripes. The connection allows transmission of the spinwave from the first magnetic stripe to the second magnetic stripe. The first and second orientation may be the physical position of the coupler, moved by thermal, piezoelectric, or electrostatic forces, or, the first and second orientation may be a magnetic state of the coupler.

    摘要翻译： 旋转波传输系统包括用于引导用于数据传输和处理的旋转波的传输的开关装置。 在一个具体实施例中，用于旋转波传输的系统具有被配置为用于传输旋转波的第一磁条和用于传播旋转波的第二磁条，其间具有间隙。 该系统包括具有第一取向和第二取向的耦合器，其中在第一取向中，在磁条之间不形成磁连接，并且在第二取向中，在磁条之间形成连接。 该连接允许将旋转波从第一磁条传输到第二磁条。 第一和第二取向可以是耦合器的物理位置，通过热，压电或静电力移动，或者第一和第二取向可以是耦合器的磁状态。

    Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations
    8.
    发明申请
    Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations 审中-公开
    具有铁电层配置的非易失性存储单元

    公开(公告)号：US20100135061A1

    公开(公告)日：2010-06-03

    申请号：US12326714

    申请日：2008-12-02

    申请人： Shaoping Li ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  Song Xue ,  Haiwen Xi ,  Zheng Gao ,  Eileen Yan

    发明人： Shaoping Li ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  Song Xue ,  Haiwen Xi ,  Zheng Gao ,  Eileen Yan

    IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L29/68

    CPC分类号： G11C11/22 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

    摘要： In some embodiments of the invention a non-volatile memory cell is provided with a first electrode, a second electrode, and one or more side layers of a ferroelectric metal oxide and a ferroelectric material layer between the first and second electrodes. The ferroelectric material layer may be provided between, e.g., adjacent, two side layers of a ferroelectric metal oxide or between a single layer of a ferroelectric metal oxide and an electrode. The ferroelectric metal oxide may in some cases include a uniform layered structure such as a bismuth layer-structured ferroelectric material like Bi4Ti3O12. In some embodiments, the ferroelectric material layer is formed at least partially from PbZrxTi1-xO3. A non-volatile memory array including such memory cells is also provided.

    摘要翻译： 在本发明的一些实施例中，非易失性存储单元在第一和第二电极之间设置有第一电极，第二电极以及铁电金属氧化物和铁电材料层的一个或多个侧层。 铁电材料层可以设置在例如铁电金属氧化物的相邻的两个侧层之间或者设置在单层铁电金属氧化物和电极之间。 在一些情况下，铁电金属氧化物可以包括均匀的层状结构，例如诸如Bi 4 Ti 3 O 12的铋层结构的铁电材料。 在一些实施例中，铁电材料层至少部分地由PbZrxTi1-xO3形成。 还提供了包括这种存储单元的非易失性存储器阵列。

    MICRO MAGNETIC SPEAKER DEVICE WITH BALANCED MEMBRANE
    9.
    发明申请
    MICRO MAGNETIC SPEAKER DEVICE WITH BALANCED MEMBRANE 审中-公开
    具有平衡膜的微型磁性扬声器装置

    公开(公告)号：US20100104115A1

    公开(公告)日：2010-04-29

    申请号：US12361905

    申请日：2009-01-29

    申请人： Jun Zheng ,  Dadi Setiadi ,  Haiwen Xi ,  Insik Jin ,  Nurul Amin

    发明人： Jun Zheng ,  Dadi Setiadi ,  Haiwen Xi ,  Insik Jin ,  Nurul Amin

    IPC分类号： H04R25/00 ,  H04R1/00

    CPC分类号： H04R1/00

    摘要： A micro magnetic device with a micro magnetic speaker unit having a first element, a second element, and a membrane therebetween. Each of the elements comprises a body, a pole of soft magnetic material, an electrically conductive coil positioned around the pole, and a permanent magnet connected to the membrane. The first element and the second element are magnetically identical. A plurality of speaker units can be combined to provide a speaker array.

    摘要翻译： 具有微型磁性扬声器单元的微型磁性装置具有第一元件，第二元件和它们之间的隔膜。 每个元件包括主体，软磁材料的极，围绕极的定位的导电线圈和连接到膜的永磁体。 第一元件和第二元件是磁性相同的。 可以组合多个扬声器单元以提供扬声器阵列。