公开(公告)号：US20050202673A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10799705

申请日：2004-03-15

申请人： Dongzhi Chi ,  Tek Rinus ,  Soo Chua

发明人： Dongzhi Chi ,  Tek Rinus ,  Soo Chua

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A NiSi layer over silicon that is thermally stable and can form even in the presence of oxides. The method of fabricating the nickel silicide layer includes providing a substrate comprising silicon, depositing a layer of at least a 3-component metal alloy comprising nickel on a surface of the substrate, and annealing the alloy and the substrate. The annealing temperature is less than 1000° C. The 3-component metal alloy can include Ni, Ti and Pt.

摘要翻译： 在硅上的NiSi层是热稳定的并且甚至可以在氧化物的存在下形成。 制造硅化镍层的方法包括提供包括硅的衬底，在衬底的表面上沉积包含镍的至少一种3组分金属合金层，并退火该合金和衬底。 退火温度小于1000℃.3组分金属合金可以包括Ni，Ti和Pt。

公开(公告)号：US07335606B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US10799705

申请日：2004-03-15

申请人： Dongzhi Chi ,  Tek Po Rinus ,  Soo Jin Chua

发明人： Dongzhi Chi ,  Tek Po Rinus ,  Soo Jin Chua

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A NiSi layer over silicon that is thermally stable and can form even in the presence of oxides. The method of fabricating the nickel silicide layer includes providing a substrate comprising silicon, depositing a layer of at least a 3-component metal alloy comprising nickel on a surface of the substrate, and annealing the alloy and the substrate. The annealing temperature is less than 1000° C. The 3-component metal alloy can include Ni, Ti and Pt.

摘要翻译： 在硅上的NiSi层是热稳定的并且甚至可以在氧化物的存在下形成。 制造硅化镍层的方法包括提供包括硅的衬底，在衬底的表面上沉积包含镍的至少一种3组分金属合金层，并退火该合金和衬底。 退火温度小于1000℃.3组分金属合金可以包括Ni，Ti和Pt。

公开(公告)号：US07419905B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US10707968

申请日：2004-01-29

申请人： Dominique Mangelinck ,  Dongzhi Chi ,  Syamal Kumar Lahiri

发明人： Dominique Mangelinck ,  Dongzhi Chi ,  Syamal Kumar Lahiri

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/41783

摘要： A method of fabricating a gate electrode for a semiconductor comprising the steps of: providing a substrate; providing on the substrate a layer of a first material of thickness tp, the first material being selected from the group consisting of Si, Si1-x—Gex alloy, Ge and mixtures thereof and a layer of metal of thickness tm; and annealing the layers, such that substantially all of the first material and the metal are consumed during reaction with one another.

摘要翻译： 一种制造用于半导体的栅电极的方法，包括以下步骤：提供衬底; 在衬底上提供厚度为第一层的第一材料层，第一材料选自Si，Si 1-x -Ge， 合金，Ge及其混合物和厚度为m的金属层; 并且使层退火，使得基本上所有的第一材料和金属在彼此反应期间被消耗。

公开(公告)号：US20070272955A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11572632

申请日：2004-07-27

申请人： Dongzhi Chi ,  Ka Lee ,  Tek Po Lee ,  Siao Liew ,  Hai Yao

发明人： Dongzhi Chi ,  Ka Lee ,  Tek Po Lee ,  Siao Liew ,  Hai Yao

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A nickel-based germanide contact includes a processing material that inhibits agglomeration of nickel-based germanide during processing to form the contact as well as during post-germanidation processes. The processing material is either in the form of a capping layer over the nickel layer or integrated into the nickel layer used to form the nickel-based contact. Reducing agglomeration improves electrical characteristics of the contact.

摘要翻译： 镍基锗化物接触包括在处理形成接触期间以及在后锗化过程中抑制镍基锗化物附聚的处理材料。 处理材料或者是镍层上的覆盖层的形式，或者整合到用于形成镍基触点的镍层中。 减少聚集改善了触点的电气特性。

公开(公告)号：US20060128125A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10707968

申请日：2004-01-29

申请人： Dominique Mangelinck ,  Dongzhi Chi ,  Syamal Lahiri

发明人： Dominique Mangelinck ,  Dongzhi Chi ,  Syamal Lahiri

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/41783

摘要： A method of fabricating a gate electrode for a semiconductor comprising the steps of: providing a substrate; providing on the substrate a layer of a first material of thickness tp, the first material being selected from the group consisting of Si, Si1-x—Gex alloy, Ge and mixtures thereof and a layer of metal of thickness tm; and annealing the layers, such that substantially all of the first material and the metal are consumed during reaction with one another.

摘要翻译： 一种制造用于半导体的栅电极的方法，包括以下步骤：提供衬底; 在衬底上提供厚度为第一层的第一材料层，第一材料选自Si，Si 1-x -Ge， 合金，Ge及其混合物和厚度为m的金属层; 并且使层退火，使得基本上所有的第一材料和金属在彼此反应期间被消耗。

公开(公告)号：US06531396B1

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：US09716632

申请日：2000-11-17

申请人： Dongzhi Chi ,  Syamal Kumar Lahiri ,  Dominique Mangelinck

发明人： Dongzhi Chi ,  Syamal Kumar Lahiri ,  Dominique Mangelinck

IPC分类号： H01L218238

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665

摘要： A method of fabricating a silicide layer on a silicon region of a semiconductor structure, the method comprising the steps of: providing a semiconductor structure having at least one silicon region on a surface thereof; depositing a layer comprising nickel and platinum on the at least one silicon layer; annealing the semiconductor structure and the nickel/platinum layer to react the nickel and the platinum with underlying silicon to form a nickel-platinum silicide, wherein annealing step takes place at temperature of between 680° C. and 720° C.

摘要翻译： 一种在半导体结构的硅区域上制造硅化物层的方法，所述方法包括以下步骤：提供在其表面上具有至少一个硅区域的半导体结构; 在所述至少一个硅层上沉积包含镍和铂的层; 退火半导体结构和镍/铂层以使镍和铂与下面的硅反应以形成镍 - 铂硅化物，其中退火步骤在680℃至720℃的温度下进行。