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    Nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices
    1.
    发明授权
    Nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices 有权
    非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US08730738B2

    公开(公告)日：2014-05-20

    申请号：US13211743

    申请日：2011-08-17

    申请人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

    发明人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

    IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

    摘要： Methods of operating nonvolatile memory devices including a plurality of cell strings each having at least one ground selection transistor, a plurality of memory cells, and at least one string selection transistor, the operating methods including receiving a command and an address, determining a voltage applying time in response to the input command and address, and applying a specific voltage to memory cells of cell strings corresponding to the input address during the determined voltage applying time.

    摘要翻译： 操作包括多个单元串的非易失性存储器件的方法，每个单元串具有至少一个接地选择晶体管，多个存储单元和至少一个串选择晶体管，所述操作方法包括接收命令和地址，确定施加的电压 响应于输入命令和地址的时间，以及在确定的电压施加时间期间，将特定电压施加到对应于输入地址的单元串的存储单元。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICES
    2.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICES 有权
    非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US20120257455A1

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：US13211743

    申请日：2011-08-17

    申请人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

    发明人： Eun Chu Oh ,  Hong Rak Son ,  KyoungLae Cho ,  Junjin Kong

    IPC分类号： G11C16/10

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

    摘要： Methods of operating nonvolatile memory devices including a plurality of cell strings each having at least one ground selection transistor, a plurality of memory cells, and at least one string selection transistor, the operating methods including receiving a command and an address, determining a voltage applying time in response to the input command and address, and applying a specific voltage to memory cells of cell strings corresponding to the input address during the determined voltage applying time.

    摘要翻译： 操作包括多个单元串的非易失性存储器件的方法，每个单元串具有至少一个接地选择晶体管，多个存储单元和至少一个串选择晶体管，所述操作方法包括接收命令和地址，确定施加的电压 响应于输入命令和地址的时间，以及在确定的电压施加时间期间，将特定电压施加到对应于输入地址的单元串的存储单元。

    Access method of non-volatile memory device
    10.
    发明申请
    Access method of non-volatile memory device 有权
    非易失性存储器件的访问方法

    公开(公告)号：US20100149868A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12588532

    申请日：2009-10-19

    申请人： Han Woong Yoo ,  KyoungLae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Heeseok Eun ,  Hong Rak Son

    发明人： Han Woong Yoo ,  KyoungLae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Heeseok Eun ,  Hong Rak Son

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/3427 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

    摘要： Disclosed is an access method of a non-volatile memory device which comprises detecting a threshold voltage variation of a first memory cell, the a threshold voltage variation of the first memory cell being capable of physically affecting a second memory cell; and assigning the second memory cell to a selected sub-distribution from among a plurality of sub-distributions according to a distance of the threshold voltage variation of the first memory cell, the plurality of sub-distributions corresponding to a target distribution of the second memory cell.

    摘要翻译： 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括检测第一存储单元的阈值电压变化，第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储器单元; 以及根据所述第一存储器单元的阈值电压变化的距离，从所述多个子分布中将所述第二存储器单元分配给所选择的子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储器的目标分布 细胞。