公开(公告)号：US08487331B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12969935

申请日：2010-12-16

申请人： Eun-Joo Jang ,  Young-Hwan Kim ,  Shin-Ae Jun ,  Hyo-Sook Jang ,  Seok-Hwan Hong ,  Soo-Kyung Kwon

发明人： Eun-Joo Jang ,  Young-Hwan Kim ,  Shin-Ae Jun ,  Hyo-Sook Jang ,  Seok-Hwan Hong ,  Soo-Kyung Kwon

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/504 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  G02F1/133603 ,  G02F2001/133614 ,  H01L33/505 ,  Y02B20/181

摘要： A white light emitting diode and a liquid crystal display device that realizes images using the white light are provided. The white light emitting diode includes a blue light emitting diode (“LED”) light source, and a light conversion layer which converts incident light from the LED light source into white light. The light conversion layer includes green light emitting semiconductor nanocrystal and red light emitting semiconductor nanocrystal. A light emitting peak wavelength of the green light emitting semiconductor nanocrystal is about 520 nanometer (nm) or more, a light emitting peak wavelength of the red semiconductor nanocrystal is about 610 nanometer (nm) or more, and full width at half maximums (FWHMs) of light emitting peaks of the green and red light emitting semiconductor nanocrystals are about 45 nanometer (nm) or less.

摘要翻译： 提供了使用白光实现图像的白色发光二极管和液晶显示装置。 白色发光二极管包括蓝色发光二极管（“LED”）光源，以及将来自LED光源的入射光转换成白光的光转换层。 光转换层包括绿色发光半导体纳米晶体和红色发光半导体纳米晶体。 绿色发光半导体纳米晶体的发光峰值波长为约520nm（nm）以上，红色半导体纳米晶体的发光峰值波长为约610nm（nm）以上，全宽为半峰（FWHMs ）绿色和红色发光半导体纳米晶体的发光峰值约为45纳米（nm）以下。

公开(公告)号：US09196682B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US12901061

申请日：2010-10-08

申请人： Hyo-Sook Jang ,  Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Seok-Hwan Hong ,  Soo-Kyung Kwon

发明人： Hyo-Sook Jang ,  Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Seok-Hwan Hong ,  Soo-Kyung Kwon

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L29/66 ,  C08G79/00 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  H05B33/14 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

摘要： A nanoparticle complex, including a semiconductor nanocrystal; and a metal complex ligand on the surface of the semiconductor nanocrystal. The nanoparticle complex may further include a polymer shell contacting the metal complex ligand.

摘要翻译： 纳米颗粒复合物，包括半导体纳米晶体; 和在半导体纳米晶体的表面上的金属络合物配体。 纳米颗粒复合物还可以包括与金属络合物配体接触的聚合物壳。

公开(公告)号：US08445064B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12705337

申请日：2010-02-12

申请人： Won-Suk Chang ,  Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Hyo-Sook Jang ,  Seok-Hwan Hong

发明人： Won-Suk Chang ,  Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Hyo-Sook Jang ,  Seok-Hwan Hong

IPC分类号： B01J13/02 ,  B01J13/14

CPC分类号： H05B33/10 ,  H01L51/5253

摘要： A composition for a light emitting body-polymer composite, the composition including a light emitting body; and a cross-linkable composition including a monomer represented by Chemical Formula 1. A light emitting body-polymer composite prepared by cross-linking the composition and a light emitting device including the light emitting body-polymer composite are also provided.

摘要翻译： 用于发光体 - 聚合物复合材料的组合物，所述组合物包括发光体; 还提供了包括由化学式1表示的单体的可交联组合物。还提供了通过交联组合物制备的发光体 - 聚合物复合物和包含发光体 - 聚合物复合材料的发光器件。

公开(公告)号：US09570549B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US12831816

申请日：2010-07-07

申请人： Eun-Joo Jang ,  Seok-Hwan Hong ,  Shin-Ae Jun ,  Hyo-Sook Jang

发明人： Eun-Joo Jang ,  Seok-Hwan Hong ,  Shin-Ae Jun ,  Hyo-Sook Jang

IPC分类号： C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  H01L29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L33/50 ,  H01L51/50

CPC分类号： C09K11/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/703 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L33/502 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

摘要： A semiconductor nanocrystal and a preparation method thereof, where the semiconductor nanocrystal include a bare semiconductor nanocrystal and a water molecule directly bound to the bare semiconductor nanocrystal.

摘要翻译： 一种半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。

公开(公告)号：US08920685B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US12979773

申请日：2010-12-28

申请人： Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Seok-Hwan Hong ,  Jin-Young Bae

发明人： Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Seok-Hwan Hong ,  Jin-Young Bae

IPC分类号： H01B1/04 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01B1/22 ,  B82Y30/00

摘要： A nanoparticle-resin composition includes a nanoparticle, a silicone resin having a reactive functional group at its terminal end, and a compound selected from a silane group-containing compound, a silazane compound, or a combination including at least one of the foregoing. In addition, a nanoparticle-resin composite includes a silicone resin matrix including the cure product of a silicone resin having a reactive functional group at its terminal end, a plurality of nanoparticle clusters dispersed in the silicone resin matrix, and a buffer layer encapsulating the nanoparticle cluster. The buffer layer includes a compound selected from a silane group-containing compound, a silazane compound, or a combination including at least one of the foregoing compounds.

摘要翻译： 纳米颗粒 - 树脂组合物包括纳米颗粒，在其末端具有反应性官能团的硅氧烷树脂和选自含硅烷基化合物，硅氮烷化合物或包含至少一种前述物质的组合的化合物。 此外，纳米粒子 - 树脂复合体包括：硅酮树脂基体，其包含其末端具有反应性官能团的有机硅树脂的固化产物，分散在有机硅树脂基质中的多个纳米颗粒簇，以及封装纳米颗粒的缓冲层 簇。 缓冲层包括选自含硅烷基化合物，硅氮烷化合物或包含至少一种前述化合物的组合的化合物。

公开(公告)号：US08963119B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13041157

申请日：2011-03-04

申请人： Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Sang-Wook Kim ,  Sung-Woo Kim

发明人： Eun-Joo Jang ,  Shin-Ae Jun ,  Sang-Wook Kim ,  Sung-Woo Kim

IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G9/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L21/02601 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G9/006 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  H01L21/024 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/322 ,  H01L33/502 ,  H01L51/502 ,  H05B33/14

摘要： A semiconductor nanocrystal including a core including ZnSe, ZnTe, ZnS, ZnO, or a combination comprising at least one of the foregoing, wherein the core has a diameter of about 2 nanometers to about 5 nanometers and an emitted light wavelength of about 405 nanometers to about 530 nanometers; and a first layer disposed on the core, the first layer including a Group III-V semiconductor, wherein the semiconductor nanocrystal has a full width at half maximum of an emitted light wavelength of less than or equal to about 60 nanometers.

摘要翻译： 包括包含ZnSe，ZnTe，ZnS，ZnO的核心的半导体纳米晶体或包含前述的至少一种的组合，其中芯具有约2纳米至约5纳米的直径和约405纳米的发射光波长至 约530纳米; 以及设置在所述芯上的第一层，所述第一层包括III-V族半导体，其中所述半导体纳米晶体具有小于或等于约60纳米的发射光波长的半峰全宽。