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    Al-doped charge trap layer, non-volatile memory device and methods of fabricating the same
    1.
    发明授权
    Al-doped charge trap layer, non-volatile memory device and methods of fabricating the same 有权
    Al掺杂电荷陷阱层，非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07838422B2

    公开(公告)日：2010-11-23

    申请号：US11892849

    申请日：2007-08-28

    申请人： Eun-ha Lee ,  Hion-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    发明人： Eun-ha Lee ,  Hion-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/42332 ,  Y10T428/259

    摘要： Provided is an aluminum (Al) doped charge trap layer, a non-volatile memory device and methods of fabricating the same. The charge trap layer may include a plurality of silicon nano dots that trap charges and a silicon oxide layer that covers the silicon nano dots, wherein the charge trap layer is doped with aluminum (Al). The non-volatile memory device may include a substrate including a source and a drain on separate regions of the substrate, a tunneling film on the substrate contacting the source and the drain, the charge trap layer according to example embodiments, a blocking film on the charge trap layer, and a gate electrode on the blocking film.

    摘要翻译： 提供了铝（Al）掺杂的电荷阱层，非易失性存储器件及其制造方法。 电荷陷阱层可以包括捕获电荷的多个硅纳米点和覆盖硅纳米点的氧化硅层，其中电荷陷阱层掺杂有铝（Al）。 非挥发性存储器件可以包括衬底，该衬底包括在衬底的分离区域上的源极和漏极，在衬底上接触源极和漏极的隧道膜，根据示例性实施例的电荷陷阱层， 电荷陷阱层和阻挡膜上的栅电极。

    Al-doped charge trap layer, non-volatile memory device and methods of fabricating the same
    2.
    发明申请
    Al-doped charge trap layer, non-volatile memory device and methods of fabricating the same 有权
    Al掺杂电荷陷阱层，非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080150010A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US11892849

    申请日：2007-08-28

    申请人： Eun-ha Lee ,  Hion-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    发明人： Eun-ha Lee ,  Hion-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    IPC分类号： H01L29/792 ,  B32B5/16 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/42332 ,  Y10T428/259

    摘要： Provided is an aluminum (Al) doped charge trap layer, a non-volatile memory device and methods of fabricating the same. The charge trap layer may include a plurality of silicon nano dots that trap charges and a silicon oxide layer that covers the silicon nano dots, wherein the charge trap layer is doped with aluminum (Al). The non-volatile memory device may include a substrate including a source and a drain on separate regions of the substrate, a tunneling film on the substrate contacting the source and the drain, the charge trap layer according to example embodiments, a blocking film on the charge trap layer, and a gate electrode on the blocking film.

    摘要翻译： 提供了铝（Al）掺杂的电荷阱层，非易失性存储器件及其制造方法。 电荷陷阱层可以包括捕获电荷的多个硅纳米点和覆盖硅纳米点的氧化硅层，其中电荷陷阱层掺杂有铝（Al）。 非挥发性存储器件可以包括衬底，该衬底包括在衬底的分离区域上的源极和漏极，在衬底上接触源极和漏极的隧道膜，根据示例性实施例的电荷陷阱层， 电荷陷阱层和阻挡膜上的栅电极。

    Al-doped charge trap layer and non-volatile memory device including the same
    3.
    发明授权
    Al-doped charge trap layer and non-volatile memory device including the same 有权
    Al掺杂电荷陷阱层和包括其的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08053366B2

    公开(公告)日：2011-11-08

    申请号：US12923378

    申请日：2010-09-17

    申请人： Eun-ha Lee ,  Hlon-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    发明人： Eun-ha Lee ,  Hlon-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/42332 ,  Y10T428/259

    摘要： Provided is an aluminum (Al) doped charge trap layer, a non-volatile memory device and methods of fabricating the same. The charge trap layer may include a plurality of silicon nano dots that trap charges and a silicon oxide layer that covers the silicon nano dots, wherein the charge trap layer is doped with aluminum (Al). The non-volatile memory device may include a substrate including a source and a drain on separate regions of the substrate, a tunneling film on the substrate contacting the source and the drain, the charge trap layer according to example embodiments, a blocking film on the charge trap layer, and a gate electrode on the blocking film.

    摘要翻译： 提供了铝（Al）掺杂的电荷阱层，非易失性存储器件及其制造方法。 电荷陷阱层可以包括捕获电荷的多个硅纳米点和覆盖硅纳米点的氧化硅层，其中电荷陷阱层掺杂有铝（Al）。 非挥发性存储器件可以包括衬底，该衬底包括在衬底的分离区域上的源极和漏极，在衬底上接触源极和漏极的隧道膜，根据示例性实施例的电荷陷阱层， 电荷陷阱层和阻挡膜上的栅电极。

    Al-doped charge trap layer, non-volatile memory device and methods of fabricating the same
    4.
    发明申请
    Al-doped charge trap layer, non-volatile memory device and methods of fabricating the same 有权
    Al掺杂电荷陷阱层，非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110006358A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12923378

    申请日：2010-09-17

    申请人： Eun-ha Lee ,  Hlon-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    发明人： Eun-ha Lee ,  Hlon-suck Baik ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jong-bong Park ,  Min-ho Yang

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： H01L29/42332 ,  Y10T428/259

    摘要： Provided is an aluminum (Al) doped charge trap layer, a non-volatile memory device and methods of fabricating the same. The charge trap layer may include a plurality of silicon nano dots that trap charges and a silicon oxide layer that covers the silicon nano dots, wherein the charge trap layer is doped with aluminum (Al). The non-volatile memory device may include a substrate including a source and a drain on separate regions of the substrate, a tunneling film on the substrate contacting the source and the drain, the charge trap layer according to example embodiments, a blocking film on the charge trap layer, and a gate electrode on the blocking film.

    摘要翻译： 提供了铝（Al）掺杂的电荷阱层，非易失性存储器件及其制造方法。 电荷陷阱层可以包括捕获电荷的多个硅纳米点和覆盖硅纳米点的氧化硅层，其中电荷陷阱层掺杂有铝（Al）。 非挥发性存储器件可以包括衬底，该衬底包括在衬底的分离区域上的源极和漏极，在衬底上接触源极和漏极的隧道膜，根据示例性实施例的电荷陷阱层， 电荷陷阱层和阻挡膜上的栅电极。

    Charge trap memory device with blocking insulating layer having higher-dielectric constant and larger energy band-gap and method of manufacturing the same
    8.
    发明申请
    Charge trap memory device with blocking insulating layer having higher-dielectric constant and larger energy band-gap and method of manufacturing the same 审中-公开
    具有较高介电常数和较大能带隙的阻挡绝缘层的电荷陷阱存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US20080185633A1

    公开(公告)日：2008-08-07

    申请号：US12068060

    申请日：2008-02-01

    申请人： Sang-moo Choi ,  Hyo-sug Lee ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Eun-ha Lee

    发明人： Sang-moo Choi ,  Hyo-sug Lee ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Eun-ha Lee

    IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

    摘要： A charge trap memory device according to example embodiments may include a tunnel insulating layer provided on a substrate. A charge trap layer may be provided on the tunnel insulating layer. A blocking insulating layer may be provided on the charge trap layer, wherein the blocking insulating layer may include a lanthanide (e.g., lanthanum). The blocking insulating layer may further include aluminum and oxygen, wherein the ratio of lanthanide to aluminum may be greater than 1 (e.g., about 1.5 to about 2). The charge trap memory device may further include a buffer layer provided between the charge trap layer and the blocking insulating layer, and a gate electrode provided on the blocking insulating layer.

    摘要翻译： 根据示例性实施例的电荷陷阱存储器件可以包括设置在衬底上的隧道绝缘层。 电荷陷阱层可以设置在隧道绝缘层上。 阻挡绝缘层可以设置在电荷陷阱层上，其中阻挡绝缘层可以包括镧系元素（例如镧）。 阻挡绝缘层可以进一步包括铝和氧，其中镧系元素与铝的比可以大于1（例如约1.5至约2）。 电荷陷阱存储器件还可以包括设置在电荷陷阱层和阻挡绝缘层之间的缓冲层，以及设置在阻挡绝缘层上的栅电极。

    Method of programming nonvolatile memory device
    10.
    发明授权
    Method of programming nonvolatile memory device 有权
    非易失性存储器件编程方法

    公开(公告)号：US07760551B2

    公开(公告)日：2010-07-20

    申请号：US12232082

    申请日：2008-09-10

    申请人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol ,  Ki-hwan Choi ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

    发明人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol ,  Ki-hwan Choi ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3486

    摘要： A method of programming a nonvolatile memory device may include applying a program voltage to a memory cell. A supplementary pulse may be applied to the memory cell to facilitate thermalization of charges after the application of the program voltage. A recovery voltage may be applied to the memory cell after the application of the supplementary pulse. A program state of the memory cell may be verified using a verification voltage after the application of the recovery voltage.

    摘要翻译： 非易失性存储器件的编程方法可以包括将程序电压施加到存储单元。 补充脉冲可以施加到存储器单元，以便在施加编程电压之后促进电荷的热化。 在施加补充脉冲之后，可以将复原电压施加到存储单元。 可以在施加恢复电压之后使用验证电压来验证存储器单元的编程状态。