公开(公告)号：US20110104906A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12917307

申请日：2010-11-01

申请人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

发明人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporisable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporised, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在该方法中，将可蒸发的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供了一种用于生长控制含有SiO 2的薄膜的控制方法，反应时间足够短。

公开(公告)号：US07771534B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11615827

申请日：2006-12-22

申请人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

发明人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporizable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporized, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在此过程中，将可汽化的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供了一种用于生长控制含有SiO 2的薄膜的控制方法，反应时间足够短。

公开(公告)号：US07771533B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US10148525

申请日：2000-12-04

申请人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

发明人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporisable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporised, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2 with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在该方法中，将可蒸发的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供了一种控制方法，用于生长控制含有SiO 2的薄膜，反应时间足够短。

公开(公告)号：US20070163488A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11615827

申请日：2006-12-22

申请人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

发明人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporisable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporised, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在该方法中，将可蒸发的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供一种用于生长控制含有SiO 2的薄膜的控制方法，其反应时间足够短。

公开(公告)号：US09514956B2

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：US12917307

申请日：2010-11-01

申请人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

发明人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  C30B29/16

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporisable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporised, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在该方法中，将可蒸发的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供了一种用于生长控制含有SiO 2的薄膜的控制方法，反应时间足够短。

公开(公告)号：US07824492B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US10678766

申请日：2003-10-02

申请人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

发明人： Eva Tois ,  Suvi Haukka ,  Marko Tuominen

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0215 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： Process for producing silicon oxide containing thin films on a growth substrate by the ALCVD method. In the process, a vaporisable silicon compound is bonded to the growth substrate, and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide. The invention comprises using a silicon compound which contains at least one organic ligand and the bonded silicon compound is converted to silicon dioxide by contacting it with a vaporised, reactive oxygen source, in particular with ozone. The present invention provides a controlled process for growing controlling thin films containing SiO2, with sufficiently short reaction times.

摘要翻译： 通过ALCVD法在生长衬底上生产含氧化硅的薄膜的方法。 在该方法中，将可蒸发的硅化合物结合到生长衬底上，并将键合的硅化合物转化为二氧化硅。 本发明包括使用含有至少一种有机配体的硅化合物，并且通过使键合的硅化合物与气化的活性氧源（特别是与臭氧）接触将其转化为二氧化硅。 本发明提供了一种用于生长控制含有SiO 2的薄膜的控制方法，反应时间足够短。

公开(公告)号：US20070054048A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11221574

申请日：2005-09-07

申请人： Suvi Haukka ,  Eva Tois

发明人： Suvi Haukka ,  Eva Tois

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45534

摘要： A catalytic reactant with a low activation energy barrier for oxide formation can be used to facilitate atomic layer deposition type reactions at reduced temperatures, thus increasing the quality of the deposited films. An initial reaction with a catalytic reactant provides localized heat at the substrate surface in the vicinity of the reactant. This localized heat facilitates a second reaction and deposition of the desired thin film. The processes may be used to deposit arrays of nanodots.

摘要翻译： 可以使用具有用于氧化物形成的低活化能势垒的催化反应物以在降低的温度下促进原子层沉积型反应，从而提高沉积膜的质量。 与催化反应物的初始反应在反应物附近的基材表面提供局部热。 这种局部热促进了所需薄膜的第二反应和沉积。 该方法可用于沉积纳米点阵列。

公开(公告)号：US08871617B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13416921

申请日：2012-03-09

申请人： Viljami J. Pore ,  Eva Tois

发明人： Viljami J. Pore ,  Eva Tois

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/45 ,  C23C16/06 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： In one aspect, methods of forming mixed metal thin films comprising at least two different metals are provided. In some embodiments, a mixed metal oxide thin film is formed by atomic layer deposition and subsequently reduced to a mixed metal thin film. Reduction may take place, for example, in a hydrogen atmosphere. The presence of two or more metals in the mixed metal oxide allows for reduction at a lower reduction temperature than the reduction temperature of the individual oxides of the metals in the mixed metal oxide film.

摘要翻译： 一方面，提供了形成包含至少两种不同金属的混合金属薄膜的方法。 在一些实施例中，通过原子层沉积形成混合金属氧化物薄膜，随后还原成为混合金属薄膜。 还原可以在例如氢气氛中进行。 在复合金属氧化物中存在两种以上的金属，可以在比复合金属氧化物膜中金属的各种氧化物的还原温度低的还原温度下还原。

公开(公告)号：US20120302055A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13416921

申请日：2012-03-09

申请人： Viljami J. Pore ,  Eva Tois

发明人： Viljami J. Pore ,  Eva Tois

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/45 ,  C23C16/06 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： In one aspect, methods of forming mixed metal thin films comprising at least two different metals are provided. In some embodiments, a mixed metal oxide thin film is formed by atomic layer deposition and subsequently reduced to a mixed metal thin film. Reduction may take place, for example, in a hydrogen atmosphere. The presence of two or more metals in the mixed metal oxide allows for reduction at a lower reduction temperature than the reduction temperature of the individual oxides of the metals in the mixed metal oxide film.

摘要翻译： 一方面，提供了形成包含至少两种不同金属的混合金属薄膜的方法。 在一些实施例中，通过原子层沉积形成混合金属氧化物薄膜，随后还原成为混合金属薄膜。 还原可以在例如氢气氛中进行。 在复合金属氧化物中存在两种以上的金属，可以在比复合金属氧化物膜中金属的各种氧化物的还原温度低的还原温度下还原。

公开(公告)号：US20070148350A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11588837

申请日：2006-10-27

申请人： Antti Rahtu ,  Eva Tois ,  Kai-Erik Elers ,  Wei-Min Li

发明人： Antti Rahtu ,  Eva Tois ,  Kai-Erik Elers ,  Wei-Min Li

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/76843

摘要： Methods of producing metal-containing thin films with low impurity contents on a substrate by atomic layer deposition (ALD) are provided. The methods preferably comprise contacting a substrate with alternating and sequential pulses of a metal source chemical, a second source chemical and a deposition enhancing agent. The deposition enhancing agent is preferably selected from the group consisting of hydrocarbons, hydrogen, hydrogen plasma, hydrogen radicals, silanes, germanium compounds, nitrogen compounds, and boron compounds. In some embodiments, the deposition-enhancing agent reacts with halide contaminants in the growing thin film, improving film properties.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积（ALD）在基板上制造具有低杂质含量的含金属薄膜的方法。 所述方法优选包括使基板与金属源化学品，第二源化学品和沉积增强剂的交替和顺序脉冲接触。 沉积增强剂优选选自烃，氢，氢等离子体，氢原子，硅烷，锗化合物，氮化合物和硼化合物。 在一些实施方案中，沉积增强剂与生长的薄膜中的卤化物污染物反应，改善膜的性质。