公开(公告)号：US06254675B1

公开(公告)日：2001-07-03

申请号：US09605327

申请日：2000-06-27

申请人： Fritz Aldinger ,  Fred Lange ,  Manfred Puchinger ,  Thomas Wagner ,  Joachim Bill ,  Dieter Rodewald

发明人： Fritz Aldinger ,  Fred Lange ,  Manfred Puchinger ,  Thomas Wagner ,  Joachim Bill ,  Dieter Rodewald

IPC分类号： C30B2502

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02628

摘要： The present invention relates to a process for the application of an epitactic GaN layer to a substrate by pyrolysis of precursor compounds.

摘要翻译： 本发明涉及通过前体化合物的热解将基片上覆GaN层应用于基底的方法。

公开(公告)号：US6117233A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US907130

申请日：1997-08-06

申请人： Joachim Bill ,  Frederick F. Lange ,  Thomas Wagner ,  Fritz Aldinger ,  Detlef Heimann

发明人： Joachim Bill ,  Frederick F. Lange ,  Thomas Wagner ,  Fritz Aldinger ,  Detlef Heimann

IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B1/023 ,  C30B29/36

摘要： Thin, single-crystal SiC films are obtained by means of a pyrolysis process, the substrate to be coated being covered with a carbonaceous polysilane, the adhering layer being pyrolyzed in an inert atmosphere and the amorphous layer of SiC obtained in this way being crystallized by maintaining it at a temperature of over 700.degree. C. Using a special variation of the process, it is easy to form doped SiC films. To this end the dopant is added in the form of a silane compound.

摘要翻译： 通过热解法获得薄的单晶SiC膜，待涂覆的基底被碳质聚硅烷覆盖，粘附层在惰性气氛中热解，以这种方式获得的非晶层由 将其保持在700℃以上的温度。使用该工艺的特殊变化，容易形成掺杂的SiC膜。 为此，掺杂剂以硅烷化合物的形式加入。