公开(公告)号：US5315207A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：US505308

申请日：1990-04-04

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Nicolaas Lambert ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Nicolaas Lambert ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J3/02 ,  H01J3/18 ,  H01J29/48 ,  H01J29/62 ,  H01J31/12 ,  H01J29/04

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J29/485 ,  H01J3/027

摘要： A planar electron-optical lens is obtained on a semiconductor cathode surface by providing an extra electrode (16) around the gate electrode (14). Dependent on the applied voltage, this configuration operates, for example, as a positive lens which supplies parallel beams without dispersion, suitable for thin, flat display devices. A large positioning tolerance is obtained due to the inherent magnification of the beam diameter in the semiconductor device, while a grid can be dispensed with.

摘要翻译： 通过在栅电极（14）周围设置多余的电极（16），在半导体阴极表面上获得平面电子 - 光学透镜。 取决于所施加的电压，该配置例如作为提供平行光束而不分散的正透镜，适用于薄的平面显示装置。 由于半导体器件中的光束直径的固有放大，可以获得大的定位公差，而可以省略格栅。

公开(公告)号：US4801994A

公开(公告)日：1989-01-31

申请号：US21937

申请日：1987-03-05

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J31/38 ,  H01J37/073 ,  H01L21/027 ,  H01L33/00 ,  H01L29/12 ,  H01L29/34

CPC分类号： H01J1/308

摘要： By providing an intrinsic semiconductor region in a reverse biased junction cathode between an n-type surface region and a p-type zone, a maximum field is present over the intrinsic region in the operating condition. The efficiency of the cathode is increased because avalanche multiplication can now occur over a greater distance, while in addition electrons to be emitted at a sufficient energy are generated by means of tunneling.

公开(公告)号：US4516146A

公开(公告)日：1985-05-07

申请号：US439144

申请日：1982-11-04

申请人： John M. Shannon ,  Arthur M. E. Hoeberechts ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： John M. Shannon ,  Arthur M. E. Hoeberechts ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04 ,  H01J37/305 ,  H01L49/00 ,  H01L29/34

CPC分类号： H01J1/308

摘要： An electron source having a rapid response time comprises at least one n-p-n structure (and possibly an array of said n-p-n structure) formed in a silicon or other semiconductor body (10) by a p-type first region (1) between n-type second and third regions (2 and 3). Electrons (24) are generated in the n-p-n structure (2,1,3) for emission into free space (20) from a surface area (4) of the body (10) after flowing from the second region (2) through the first and third regions (1 and 3). The n-p-n structure (2,1,3) has electrode connections (12 and 13) only to the n-type second and third regions (2 and 3). The first region (1) provides a barrier region restricting the flow of electrons from the second region (2) to the third region (3) until a potential difference (V) is applied between the electrode connections (12 and 13) to bias the third region (3) positive with respect to the second region (2) and to establish a supply of hot electrons (24) injected into the third region (3) with sufficient energy to overcome the potential barrier present between the surface area (4) and free space (20). The barrier region (1) forms depletion layers with both the n-type second and third regions (2 and b 3) and is depleted of holes by the merging together of these depletion layers at least when the potential difference (V) is applied to establish said supply of hot electrons (24). The n-p-n structure can be provided in a mesa portion (9) of the body (10) at a window in an insulating layer (11) so as to form a compact arrangement having very low associated capacitances. The electron sources may be used in cathode-ray tubes, display devices and even electron lithography equipment.

摘要翻译： 具有快速响应时间的电子源包括通过p型第一区域（1）在n型第二区域（1）中形成于硅或其它半导体本体（10）中的至少一个npn结构（以及可能的所述npn结构的阵列） 和第三区域（2和3）。 在npn结构（2,1,3）中产生电子（24），用于在从第二区域（2）流过第一区域（2）之后从主体（10）的表面区域（4）发射到自由空间（20） 和第三区域（1和3）。 n-p-n结构（2,1,3）仅具有到n型第二和第三区域（2和3）的电极连接（12和13）。 第一区域（1）提供限制从第二区域（2）到第三区域（3）的电子流动的势垒区域，直到在电极连接件（12和13）之间施加电位差（V） 第三区域（3）相对于第二区域（2）是正的，并以足够的能量建立注入到第三区域（3）中的热电子（24）的供应，以克服存在于表面区域（4） 和自由空间（20）。 阻挡区域（1）形成具有n型第二和第三区域（2和b 3）的耗尽层，并且通过将这些耗尽层合并在一起，至少当电位差（V）被施加到 建立热电子供应（24）。 n-p-n结构可以在绝缘层（11）中的窗口处设置在主体（10）的台面部分（9）中，以形成具有非常低的相关电容的紧凑布置。 电子源可以用于阴极射线管，显示装置甚至电子光刻设备中。

公开(公告)号：US4871911A

公开(公告)日：1989-10-03

申请号：US77060

申请日：1987-07-17

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts ,  Karel D. Van Der Mast ,  Harm Tolner

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts ,  Karel D. Van Der Mast ,  Harm Tolner

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J37/073

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J37/073

摘要： An electron beam apparatus comprising a semiconductor electron emitter whose emissive surface dimensions are determined by dimensions of a p-n junction provided in the semiconductor element. By optimizing the dimensions of the emissive surface in relation to the electron-optical properties of the apparatus, an emitter is realized which combines optimum beam formation or imaging with a sufficiently large beam current and a high beam current density as required by the apparatus.

摘要翻译： 一种电子束装置，包括半导体电子发射器，其发射表面尺寸由设置在半导体元件中的p-n结的尺寸确定。 通过相对于装置的电子 - 光学性质优化发射表面的尺寸，实现了发射器，其结合最佳波束形成或成像与装置所要求的足够大的束流和高束电流密度。

公开(公告)号：US4709185A

公开(公告)日：1987-11-24

申请号：US743221

申请日：1985-06-10

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Henricus A. M. Van Hal ,  Harm Tolner ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Henricus A. M. Van Hal ,  Harm Tolner ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/13 ,  H01J1/308 ,  H01J1/32 ,  H01J1/34 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J9/12 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J1/32 ,  H01J1/13 ,  H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01J2201/3423

摘要： An electron-emitting surface is provided with a material reducing the electron work function, which is obtained from a suitable reaction. The reaction mixture or the product to be decomposed, for example CsN.sub.3, is present in a surface depression of a semiconductor body, while one or more pn junctions act as a heating diode. Upon heating, cesium is released and deposited on the electron-emitting surface.

摘要翻译： 电子发射表面设置有从合适的反应获得的降低电子功函数的材料。 反应混合物或待分解的产物（例如CsN 3）存在于半导体本体的表面凹陷中，而一个或多个pn结用作加热二极管。 加热时，铯释放并沉积在电子发射表面上。

公开(公告)号：US5243197A

公开(公告)日：1993-09-07

申请号：US970437

申请日：1992-11-02

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Aart A. Van Gorkum ,  Gerjan F. A. Van De Walle ,  Petrus A. M. Van Der Heide ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Aart A. Van Gorkum ,  Gerjan F. A. Van De Walle ,  Petrus A. M. Van Der Heide ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： H01J1/308

CPC分类号： H01J1/308

摘要： The efficiency of semiconductor cathodes based on avalanche breakdown is enhanced by using ".delta.-doping" structures. The quantization effects introduced thereby decrease the effective work function. A typical cathode structure has an n-type semiconductor region and a first p-type semiconductor region, with the n-type region having a thickness of at most 4 nanometers.

摘要翻译： 通过使用“Δ掺杂”结构增强了基于雪崩击穿的半导体阴极的效率。 由此引入的量化效应降低了有效的工作功能。 典型的阴极结构具有n型半导体区域和第一p型半导体区域，其中n型区域具有至多4纳米的厚度。

公开(公告)号：US4853585A

公开(公告)日：1989-08-01

申请号：US156491

申请日：1988-02-16

申请人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： Arthur M. E. Hoeberechts ,  Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J29/32 ,  H01J29/74 ,  H01J29/81 ,  H01J29/86 ,  H01J29/89 ,  H01J29/90 ,  H01J29/96 ,  H01J31/12 ,  H01J31/24

CPC分类号： H01J31/124

摘要： A flat thin display device is obtained by means of cold cathodes (10) in which each cathode provides the electron emission (14) for a (part of a) column of pixels. The emissive surface is preferably chosen to be parallel to the front and rear walls (3, 4) of the display device so that the cathodes cannot degrade due to an ion bombardment.

公开(公告)号：US4303930A

公开(公告)日：1981-12-01

申请号：US84041

申请日：1979-10-12

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Arthur M. E. Hoeberechts

IPC分类号： B01J23/86 ,  C07B61/00 ,  C07C1/00 ,  C07C1/04 ,  C07C67/00 ,  H01J1/308 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J31/38 ,  H01L29/90

CPC分类号： H01J9/022 ,  H01J1/308

摘要： The invention relates to a semiconductor, cathode and a camera tube and a display tube, respectively, having such a cathode, based on avalanche breakdown in a p-n junction extending parallel to the surface of the semiconductor body. The released electrons obtain extra energy by means of an accelerating electrode provided on the device. The resulting efficiency increase makes the manufacture of such cathodes in planar silicon technology practical. Since the depletion zone of the p-n junction upon avalanche breakdown does not extend to the surface, the released electrons show a sharp, narrow energy distribution. This makes such cathodes particularly suitable for camera tubes. In addition they find application, for example, in display tubes and flat displays.

摘要翻译： 本发明涉及分别具有这样的阴极的半导体，阴极和相机管和显示管，其基于平行于半导体本体的表面延伸的p-n结中的雪崩击穿。 释放的电子通过设置在器件上的加速电极获得额外的能量。 所产生的效率提高使得平面硅技术中的这种阴极的制造成为可能。 由于在雪崩击穿时p-n结的耗尽区不延伸到表面，所释放的电子显示出尖锐的能量分布。 这使得这种阴极特别适用于照相机管。 此外，他们还可以应用于显示管和平板显示器。

公开(公告)号：US06908217B2

公开(公告)日：2005-06-21

申请号：US10347569

申请日：2003-01-17

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom

IPC分类号： F21V8/00 ,  G02B26/02 ,  G09F9/37 ,  F21K27/00 ,  H01K1/26

CPC分类号： G02B26/02 ,  G02B6/0011 ,  G02B6/0036 ,  G02B6/0068

摘要： A display device includes an ultraviolet light (UV light) source, a light guide; a movable element; phosphor elements, including phosphor particles in an embedding material, that emit visible light at different colors when excited by UV light; and electrodes arranged so that electric voltage applied to the electrodes can generate an electric field to move the movable element into contact with the light guide to couple light out of the light guide.

摘要翻译： 显示装置包括紫外光（UV光）源，光导; 可移动元件; 磷光体元素，包括在嵌入材料中的荧光体颗粒，当由UV光激发时发射不同颜色的可见光; 以及设置成使得施加到电极的电压可以产生电场以使可移动元件移动与光导接触以将光耦合到光导中的电极。

公开(公告)号：US5903094A

公开(公告)日：1999-05-11

申请号：US816304

申请日：1997-03-13

申请人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Petrus H. F. Trompenaars ,  Gerardus A. H. M. Vrijssen ,  Siebe T. De Zwart ,  Bernardus H. W. Hendriks ,  Nicolaas Lambert

发明人： Gerardus G. P. Van Gorkom ,  Petrus H. F. Trompenaars ,  Gerardus A. H. M. Vrijssen ,  Siebe T. De Zwart ,  Bernardus H. W. Hendriks ,  Nicolaas Lambert

IPC分类号： H01J31/12 ,  H04N5/70 ,  H01J29/82

CPC分类号： H01J31/124 ,  H04N5/70

摘要： Flat-panel type picture display device having a luminescent screen and a large number of electron propagation ducts operating by means of electron wall interaction. Electrons are withdrawn from the ducts by means of an addressing system, whereafter these electrons are directed towards desired locations on the luminescent screen. An apertured spacer plate of electrically insulating material for passing electrons is arranged between the addressing system and the screen. To enable large voltage differences to be applied across the dimension of thickness of the spacer plate, the spacer plate is provided with a high-ohmic layer, or with a pattern of a low-ohmic material, or with an equalization layer at one side and with a low-ohmic layer at the other side, and at least the walls of the apertures are preferably coated with a material having a low secondary emission.

摘要翻译： 具有通过电子壁相互作用操作的荧光屏和大量电子传播导管的平板型图像显示装置。 电子通过寻址系统从管道中取出，之后这些电子被引导到荧光屏上的期望位置。 在寻址系统和屏幕之间布置有用于通过电子的电绝缘材料的有孔隔离板。 为了使跨越隔离板的厚度的尺寸施加大的电压差，间隔板设置有高欧姆层，或者具有低欧姆材料的图案，或者在一侧具有均衡层， 在另一侧具有低欧姆层，并且至少孔的壁优选地涂覆有具有低二次发射的材料。