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    Hierarchical on-chip memory
    1.
    发明授权
    Hierarchical on-chip memory 有权
    分层片上存储器

    公开(公告)号：US08885422B2

    公开(公告)日：2014-11-11

    申请号：US13256242

    申请日：2009-06-12

    申请人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C5/06 ,  G11C5/02

    CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/063 ,  G11C2213/71

    摘要： A hierarchical on-chip memory (400) includes an area distributed CMOS layer (310) comprising input/output functionality and volatile memory and via array (325, 330), the area distributed CMOS layer (310) configured to selectively address the via array (325, 330). A crossbar memory (305) overlies the area distributed CMOS layer (310) and includes programmable crosspoint devices (315) which are uniquely accessed through the via array (325, 330). A method for utilizing hierarchical on-chip memory (400) includes storing frequently rewritten data in a volatile memory and storing data which is not frequently rewritten in a non-volatile memory (305), where the volatile memory is contained within an area distributed CMOS layer (310) and the non-volatile memory (305) is formed over and accessed through the area distributed CMOS layer (310).

    摘要翻译： 分层片上存储器（400）包括包括输入/​​输出功能的区域分布式CMOS层（310）和易失性存储器和通孔阵列（325,330），所述区域分布式CMOS层（310）被配置为选择性地寻址通孔阵列 （325,330）。 交叉开关存储器（305）覆盖区域分布式CMOS层（310），并且包括通过通孔阵列（325,330）唯一访问的可编程交叉点设备（315）。 一种用于利用分层片上存储器（400）的方法包括：将经常重写的数据存储在易失性存储器中，并将非频繁重写的数据存储在非易失性存储器（305）中，其中易失性存储器包含在区域分布式CMOS 层（310）和非易失性存储器（305）形成在区域分布式CMOS层（310）上并通过区域分布式CMOS层（310）访问。

    METAL-INSULATOR TRANSITION LATCH
    3.
    发明申请
    METAL-INSULATOR TRANSITION LATCH 有权
    金属绝缘子过渡锁

    公开(公告)号：US20130106480A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13362538

    申请日：2012-01-31

    申请人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams

    发明人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H03K3/335

    CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2211/5614 ,  G11C2213/15 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H03K3/357

    摘要： A metal-insulator transition (MIT) latch includes a first electrode spaced apart from a second electrode and an MIT material disposed between said first and second electrodes. The MIT material comprises a negative differential resistance (NDR) characteristic that exhibits a discontinuous resistance change at a threshold voltage or threshold current. Either the first or second electrode is electrically connected to an electrical bias source regulated to set a resistance phase of the MIT material.

    摘要翻译： 金属 - 绝缘体转变（MIT）锁存器包括与第二电极间隔开的第一电极和设置在所述第一和第二电极之间的MIT材料。 MIT材料包括在阈值电压或阈值电流下呈现不连续电阻变化的负差分电阻（NDR）特性。 第一或第二电极电连接到被调节以设定MIT材料的电阻相位的电偏压源。

    CHAOTIC OSCILLATOR-BASED RANDOM NUMBER GENERATION
    4.
    发明申请
    CHAOTIC OSCILLATOR-BASED RANDOM NUMBER GENERATION 有权
    基于混沌振荡器的随机数生成

    公开(公告)号：US20130099872A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：US13280808

    申请日：2011-10-25

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H03B29/00

    CPC分类号： G06F7/588

    摘要： Chaotic oscillator-based random number generation is described. In an example, a circuit includes a negative differential resistance (NDR) device to receive an alternating current (AC) bias. The circuit further includes a capacitance in parallel with the NDR device, the capacitance having a value such that, in response to a direct current (DC) bias applied to the NDR device and the capacitance, a voltage across the capacitance oscillates with a chaotic period. The circuit further includes a random number generator to generate random numbers using samples of the voltage across the capacitance.

    摘要翻译： 描述了基于混沌振荡器的随机数生成。 在一个示例中，电路包括用于接收交流（AC）偏压的负差分电阻（NDR）装置。 电路还包括与NDR器件并联的电容，该电容具有这样的值，使得响应于施加到NDR器件的直流（DC）偏压和电容，电容两端的电压以混沌周期 。 电路还包括随机数发生器，以使用电容两端的电压样本来产生随机数。

    Field-programmable analog array with memristors
    5.
    发明申请
    Field-programmable analog array with memristors 有权
    带忆阻器的现场可编程模拟阵列

    公开(公告)号：US20130106462A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13281438

    申请日：2011-10-26

    申请人： Jianhua Yang ,  Muhammad Shakeel Qureshi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Jianhua Yang ,  Muhammad Shakeel Qureshi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H03K19/177

    CPC分类号： H03K19/177

    摘要： A field-programmable analog array (FPAA) includes a digital signal routing network, an analog signal routing network, switch elements to interconnect the digital signal routing network with the analog signal routing network, and a configurable analog block (CAB) connected to the analog signal routing network and having a programmable resistor array. The switch elements are implemented via digital memristors, the programmable resistor array is implemented via analog memristors, and/or antifuses within one or more of the digital signal routing network and the analog signal routing network are implemented via digital memristors.

    摘要翻译： 现场可编程模拟阵列（FPAA）包括数字信号路由网络，模拟信号路由网络，将数字信号路由网络与模拟信号路由网络互连的开关元件，以及连接到模拟信号的可配置模拟块（CAB） 信号路由网络并具有可编程电阻器阵列。 开关元件通过数字忆阻器实现，可编程电阻器阵列通过模拟忆阻器实现，并且/或数字信号路由网络和模拟信号路由网络内的反熔丝通过数字忆阻器来实现。

    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR
    8.
    发明申请
    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR 有权
    高可靠性高速电容器

    公开(公告)号：US20140112059A1

    公开(公告)日：2014-04-24

    申请号：US14127873

    申请日：2011-06-24

    申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149

    摘要： A memristor has a first electrode, a second electrode parallel to the first electrode, and a switching layer disposing between the first and second electrodes. The switching layer contains a conduction channel and a reservoir zone. The conduction channel has a Fermi glass material with a variable concentration of mobile ions. The reservoir zone is laterally disposed relative to the conduction channel, and functions as a source/sink of mobile ions for the conduction channel In the switching operation, under the cooperative driving force of both electric field and thermal effects, the mobile ions are moved into or out of the laterally disposed reservoir zone to vary the concentration of the mobile ions in the conduction channel to change the conductivity of the Fermi glass material.

    摘要翻译： 忆阻器具有第一电极，平行于第一电极的第二电极和设置在第一和第二电极之间的开关层。 开关层包含导电通道和储存区。 导电通道具有可变浓度的移动离子的费米玻璃材料。 储存区域相对于导电通道横向设置，并且用作导电通道的移动离子的源/汇。在开关操作中，在电场和热效应的协同驱动力下，将移动离子移入 或离开横向设置的储存区，以改变导电通道中的可移动离子的浓度，以改变费米玻璃材料的导电性。