公开(公告)号：US20080315347A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11767789

申请日：2007-06-25

申请人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Ronald A. DellaGuardia ,  Qinghuang Lin ,  Kelly Malone ,  Shom S. Ponoth ,  Chih-Chao Yang

发明人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Ronald A. DellaGuardia ,  Qinghuang Lin ,  Kelly Malone ,  Shom S. Ponoth ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Fabricating an integrated circuit using a cap layer that includes one or more gaps or voids. The gaps or voids are provided prior to performing deposition and cure for an inter-layer dielectric (ILD) layer adjoining the cap layer. The gaps or voids reduce and prevent tensile stress buildup by allowing for stress relaxation, hence preventing catastrophic failure of the integrated circuit.

摘要翻译： 使用包括一个或多个间隙或空隙的盖层来制造集成电路。 在对与盖层相邻的层间电介质（ILD）层进行沉积和固化之前，提供间隙或空隙。 间隙或空隙通过允许应力松弛减小并防止拉伸应力累积，从而防止集成电路的灾难性故障。

公开(公告)号：US20070284736A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11419077

申请日：2006-05-18

申请人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

发明人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an enhanced interconnect structure with improved reliability. The inventive interconnect structure has enhanced mechanical strength of via contacts provided by embedded metal liners. The embedded metal liners may be continuous or discontinuous. Discontinuous embedded metal liners are provided by a discontinuous interface at the bottom of the via located within the interlayer dielectric layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种改进的可靠性的互连结构。 本发明的互连结构具有增强的由嵌入式金属衬垫提供的通孔触点的机械强度。 嵌入的金属衬垫可以是连续的或不连续的。 不连续的嵌入式金属衬垫由位于层间介质层内的通孔底部的不连续界面提供。

公开(公告)号：US07671470B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US12179057

申请日：2008-07-24

申请人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

发明人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an enhanced interconnect structure with improved reliability. The inventive interconnect structure has enhanced mechanical strength of via contacts provided by embedded metal liners. The embedded metal liners may be continuous or discontinuous. Discontinuous embedded metal liners are provided by a discontinuous interface at the bottom of the via located within the interlayer dielectric layer.

公开(公告)号：US20080284030A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US12179057

申请日：2008-07-24

申请人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

发明人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an enhanced interconnect structure with improved reliability. The inventive interconnect structure has enhanced mechanical strength of via contacts provided by embedded metal liners. The embedded metal liners may be continuous or discontinuous. Discontinuous embedded metal liners are provided by a discontinuous interface at the bottom of the via located within the interlayer dielectric layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种改进的可靠性的互连结构。 本发明的互连结构具有增强的由嵌入式金属衬垫提供的通孔触点的机械强度。 嵌入的金属衬垫可以是连续的或不连续的。 不连续的嵌入式金属衬垫由位于层间介质层内的通孔底部的不连续界面提供。

公开(公告)号：US07670943B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US12179054

申请日：2008-07-24

申请人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

发明人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an enhanced interconnect structure with improved reliability. The inventive interconnect structure has enhanced mechanical strength of via contacts provided by embedded metal liners. The embedded metal liners may be continuous or discontinuous. Discontinuous embedded metal liners are provided by a discontinuous interface at the bottom of the via located within the interlayer dielectric layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种改进的可靠性的互连结构。 本发明的互连结构具有增强的由嵌入式金属衬垫提供的通孔触点的机械强度。 嵌入的金属衬垫可以是连续的或不连续的。 不连续的嵌入式金属衬垫由位于层间介质层内的通孔底部的不连续界面提供。

公开(公告)号：US07439624B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11419077

申请日：2006-05-18

申请人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

发明人： Chih-Chao Yang ,  Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Kelly Malone

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an enhanced interconnect structure with improved reliability. The inventive interconnect structure has enhanced mechanical strength of via contacts provided by embedded metal liners. The embedded metal liners may be continuous or discontinuous. Discontinuous embedded metal liners are provided by a discontinuous interface at the bottom of the via located within the interlayer dielectric layer.

摘要翻译： 本发明提供了一种改进的可靠性的互连结构。 本发明的互连结构具有增强的由嵌入式金属衬垫提供的通孔触点的机械强度。 嵌入的金属衬垫可以是连续的或不连续的。 不连续的嵌入式金属衬垫由位于层间介质层内的通孔底部的不连续界面提供。

公开(公告)号：US07816253B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11308422

申请日：2006-03-23

申请人： Shyng-Tsong Chen ,  Qinghuang Lin ,  Kelly Malone ,  Sanjay Mehta ,  Terry A. Spooner ,  Chih-Chao Yang

发明人： Shyng-Tsong Chen ,  Qinghuang Lin ,  Kelly Malone ,  Sanjay Mehta ,  Terry A. Spooner ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/425 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76825 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831

摘要： When an interconnect structure is built on porous ultra low k (ULK) material, the bottom of the trench and/or via is usually damaged by a following metallization process which may be suitable for dense higher dielectric materials. Embodiment of the present invention may provide a method of forming an interconnect structure on an inter-layer dielectric (ILD) material. The method includes steps of treating an exposed area of said ILD material to create a densified area, and metallizing said densified area.

摘要翻译： 当在多孔超低k（ULK）材料上构建互连结构时，沟槽和/或通孔的底部通常被以下金属化工艺损坏，这可能适合于较高的介电材料。 本发明的实施例可以提供在层间电介质（ILD）材料上形成互连结构的方法。 该方法包括处理所述ILD材料的暴露区域以产生致密化区域以及金属化所述致密化区域的步骤。

公开(公告)号：US20090053890A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11841114

申请日：2007-08-20

申请人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Matthew E. Colburn ,  Ronald DellaGuardia ,  Chih-Chao Yang

发明人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Matthew E. Colburn ,  Ronald DellaGuardia ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834

摘要： A method of creating metal caps on copper lines within an inter-line dielectric (ILD) deposits a thin (e.g., 5 nm) metal blanket film (e.g., Ta/TaN) on top the copper lines and dielectric, after the wafer has been planarized. Further a thin dielectric cap is formed over the metal blanket film. A photoresist coating is deposited over the thin dielectric cap and a lithographic exposure process is performed, but without a lithographic mask. A mask is not needed in this situation, because due to the reflectivity difference between copper and the ILD lying under the two thin layers, a mask pattern is automatically formed for etching away the Ta/TaN metal cap between copper lines. Thus, this mask pattern is self-aligned above the copper lines.

摘要翻译： 在线间电介质（ILD）中的铜线上形成金属帽的方法在晶片已经被覆盖之后在铜线和电介质的顶部沉积薄（例如，5nm）金属覆盖膜（例如，Ta / TaN） 平面化 此外，在金属覆盖膜上形成薄的电介质盖。 光致抗蚀剂涂层沉积在薄电介质盖上，并进行光刻曝光工艺，但没有光刻掩模。 在这种情况下不需要掩模，因为由于铜和位于两个薄层之下的ILD之间的反射率差异，自动形成掩模图案以在铜线之间蚀刻掉Ta / TaN金属帽。 因此，该掩模图案在铜线上方自对准。

公开(公告)号：US20080169565A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11622188

申请日：2007-01-11

申请人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Matthew E. Colburn ,  Chih-Chao Yang

发明人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Matthew E. Colburn ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The embodiments of the invention provide a metal capping process for a BEOL interconnect with air gaps. More specifically an apparatus is provided comprising metal lines within a first dielectric. Metal caps are over the metal lines, wherein the metal caps contact the metal lines. In addition, air gaps are between the metal lines, wherein the air gaps are between the metal caps. A second dielectric is also provided over the bottom portion of a first dielectric, wherein a top portion of the second dielectric is over the metal caps, and wherein top portions of the first dielectric and bottom portions of the second dielectric comprise sides of the air gap. The apparatus further includes dielectric caps over the metal lines, wherein the dielectric caps contact the metal caps.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于具有气隙的BEOL互连的金属封盖工艺。 更具体地，提供了一种包括在第一电介质内的金属线的装置。 金属盖在金属线上方，金属帽与金属线接触。 此外，气隙在金属线之间，其中气隙在金属盖之间。 第二电介质还设置在第一电介质的底部上方，其中第二电介质的顶部在金属帽之上，并且其中第二电介质的第一电介质和底部的顶部包括气隙的侧面 。 该装置还包括金属线上的电介质盖，其中介电帽与金属盖接触。

公开(公告)号：US07666753B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11622188

申请日：2007-01-11

申请人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Matthew E. Colburn ,  Chih-Chao Yang

发明人： Griselda Bonilla ,  Shyng-Tsong Chen ,  Matthew E. Colburn ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The embodiments of the invention provide a metal capping process for a BEOL interconnect with air gaps. More specifically an apparatus is provided comprising metal lines within a first dielectric. Metal caps are over the metal lines, wherein the metal caps contact the metal lines. In addition, air gaps are between the metal lines, wherein the air gaps are between the metal caps. A second dielectric is also provided over the bottom portion of a first dielectric, wherein a top portion of the second dielectric is over the metal caps, and wherein top portions of the first dielectric and bottom portions of the second dielectric comprise sides of the air gap. The apparatus further includes dielectric caps over the metal lines, wherein the dielectric caps contact the metal caps.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于具有气隙的BEOL互连的金属封盖工艺。 更具体地，提供了一种包括在第一电介质内的金属线的装置。 金属盖在金属线上方，金属帽与金属线接触。 此外，气隙在金属线之间，其中气隙在金属盖之间。 第二电介质还设置在第一电介质的底部上方，其中第二电介质的顶部在金属帽之上，并且其中第二电介质的第一电介质和底部的顶部包括气隙的侧面 。 该装置还包括金属线上的电介质盖，其中介电帽与金属盖接触。