公开(公告)号：US20130181212A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13543235

申请日：2012-07-06

申请人： Gun Hee KIM ,  Jae Woo PARK ,  Jin Hyun PARK ,  Byung Du AHN ,  Je Hun LEE ,  Yeon Hong KIM ,  Jung Hwa KIM ,  Sei-Yong PARK ,  Jun Hyun PARK ,  Kyoung Won LEE ,  Ji Hun LIM

发明人： Gun Hee KIM ,  Jae Woo PARK ,  Jin Hyun PARK ,  Byung Du AHN ,  Je Hun LEE ,  Yeon Hong KIM ,  Jung Hwa KIM ,  Sei-Yong PARK ,  Jun Hyun PARK ,  Kyoung Won LEE ,  Ji Hun LIM

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554

摘要： A semiconductor device includes: a substrate, a semiconductor layer including an oxide semiconductor disposed on the substrate, a barrier layer disposed on the semiconductor layer and an insulating layer disposed on the barrier layer. The semiconductor layer includes an oxide semiconductor, and the barrier layer includes a material having a lower standard electrode potential than a semiconductor material of the oxide semiconductor, a lower electron affinity than the semiconductor material of the oxide semiconductor, or a larger band gap than the semiconductor material of the oxide semiconductor. The insulating layer includes at least one of a silicon-based oxide or a silicon-based nitride, and the insulating layer includes a portion which contacts with an upper surface of the barrier layer.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底，包括设置在衬底上的氧化物半导体的半导体层，设置在半导体层上的阻挡层和设置在阻挡层上的绝缘层。 半导体层包括氧化物半导体，并且阻挡层包括具有比氧化物半导体的半导体材料低的标准电极电位的材料，比氧化物半导体的半导体材料低的电子亲和力或比 氧化物半导体的半导体材料。 绝缘层包括硅基氧化物或硅基氮化物中的至少一种，并且绝缘层包括与阻挡层的上表面接触的部分。

公开(公告)号：US20130256653A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13555889

申请日：2012-07-23

申请人： Byung Du AHN ,  Ji Hun LIM ,  Gun Hee KIM ,  Kyoung Won LEE ,  Je Hun LEE

发明人： Byung Du AHN ,  Ji Hun LIM ,  Gun Hee KIM ,  Kyoung Won LEE ,  Je Hun LEE

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/15 ,  H01L21/363 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A plural semiconductive oxides TFT (sos-TFT) provides improved electrical functionality in terms of charge-carrier mobility and/or threshold voltage variability. The sos-TFT may be used to form a thin film transistor array panel for display devices. An example sos-TFT includes: an insulated gate electrode; a first semiconductive oxide layer having a composition including a first semiconductive oxide; and a second semiconductive oxide layer having a different composition that also includes a semiconductive oxide. The first and second semiconductive oxide layers have respective channel regions that are capacitively influenced by a control voltage applied to the gate electrode. In one embodiment, the second semiconductive oxide layer includes at least one additional element that is not included in the first semiconductive oxide layer where the additional element is one of gallium (Ga), silicon (Si), niobium (Nb), hafnium (Hf), and germanium (Ge).

摘要翻译： 多个半导体氧化物TFT（sos-TFT）在电荷载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供改进的电功能。 sos-TFT可以用于形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。 示例sos-TFT包括：绝缘栅电极; 具有包含第一半导体氧化物的组成的第一半导体氧化物层; 以及具有不同组成的第二半导体氧化物层，其还包括半导体氧化物。 第一和第二半导体氧化物层具有由施加到栅电极的控制电压的电容性影响的各个沟道区。 在一个实施例中，第二半导体氧化物层包括至少一个附加元件，其不包括在第一半导体氧化物层中，其中附加元素是镓（Ga），硅（Si），铌（Nb），铪（Hf ）和锗（Ge）。