公开(公告)号：US20120282751A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13463342

申请日：2012-05-03

申请人： Gyu-hwan OH ,  Doo-hwan Park ,  Dong-hyun Im ,  Kyung-min Chung

发明人： Gyu-hwan OH ,  Doo-hwan Park ,  Dong-hyun Im ,  Kyung-min Chung

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

摘要： A method of fabricating an integrated circuit device includes forming first and second patterns extending in first and second directions, respectively, on a target layer. The first patterns comprise a metal oxide and/or metal silicate material having an etch selectivity with respect to that of the target layer. The second patterns comprise a material having an etch selectivity with respect to those of the first patterns and the target layer. The target layer is selectively etched using the first patterns and the second patterns as an etch mask to define holes respectively extending through the target layer to expose a layer therebelow. At least one of the first and second patterns is formed using respective mask patterns formed by a photolithographic process, and the at least one of the first and second patterns have a finer pitch than that of the respective mask patterns.

摘要翻译： 一种制造集成电路器件的方法包括分别在目标层上形成在第一和第二方向上延伸的第一和第二图案。 第一图案包括具有相对于目标层的蚀刻选择性的金属氧化物和/或金属硅酸盐材料。 第二图案包括相对于第一图案和目标层具有蚀刻选择性的材料。 使用第一图案和第二图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻目标层，以限定分别延伸穿过目标层的孔以暴露其下面的层。 使用通过光刻工艺形成的各个掩模图案形成第一和第二图案中的至少一个，并且第一和第二图案中的至少一个具有比各个掩模图案更细的间距。