公开(公告)号：US07989794B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12820996

申请日：2010-06-22

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A resistance change memory device including a substrate, first and second wiring lines formed above the substrate to be insulated from each other, and memory cells disposed between the first and second wiring lines, wherein the memory cell includes: a variable resistance element for storing as information a resistance value; and a Schottky diode connected in series to the variable resistance element. The variable resistance element has: a recording layer formed of a composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion; and electrodes formed on the opposite sides of the recording layer, one of which serves as a cation source in a write or erase mode for supplying a cation to the recording layer to be housed in the cavity site therein.

摘要翻译： 一种电阻变化存储装置，包括基板，形成在基板上方彼此绝缘的第一和第二布线，以及设置在第一和第二布线之间的存储单元，其中存储单元包括：可变电阻元件，用于存储为 信息电阻值; 和与可变电阻元件串联连接的肖特基二极管。 可变电阻元件具有：由包含至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的复合化合物形成的记录层; 以及形成在记录层的相对侧上的电极，其中一个用作写入或擦除模式的阳离子源，用于将阳离子供应到要容纳在其中的腔室位置的记录层。

公开(公告)号：US07706167B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11761808

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A resistance change memory device including: a substrate; cell arrays stacked thereabove, each including a matrix layout of memory cells; a write circuit configured to write a pair cell constituted by two neighboring memory cells; and a read circuit configured to read complementary resistance value states of the pair cell as one bit of data, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value. The variable resistance element has: a recording layer formed of a composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion; and electrodes formed on the opposite sides of the recording layer, one of the electrodes serving as a cation source in a write or erase mode for supplying a cation to the recording layer to be housed in the cavity site therein.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：衬底; 单元阵列堆叠在其上，每个包括存储单元的矩阵布局; 写入电路，被配置为写入由两个相邻存储器单元构成的对单元; 以及读取电路，被配置为读取所述对单元的互补电阻值状态作为数据的一位，其中所述存储单元包括用于存储作为信息电阻值的可变电阻元件。 可变电阻元件具有：由包含至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的复合化合物形成的记录层; 以及形成在记录层的相对侧上的电极，其中一个电极用作写入或擦除模式中的阳离子源，用于将阳离子供应到要容纳在其中的腔室位置的记录层。

公开(公告)号：US07692951B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US12140818

申请日：2008-06-17

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; at least one cell array formed above the semiconductor substrate, each memory cell having a stack structure of a variable resistance element and an access element, the access element having such an off-state resistance value in a certain voltage range that is ten times or more as high as that in a select state; and a read/write circuit formed on the semiconductor substrate as underlying the cell array, wherein the variable resistance element comprises a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的至少一个单元阵列，每个存储单元具有可变电阻元件和存取元件的堆叠结构，所述存取元件具有在十倍或更多的一定电压范围内的截止电阻值 与选择状态一样高; 以及形成在半导体基板上的读/写电路，其形成在单元阵列的下方，其中可变电阻元件包括由由AxMyOz表示的第一复合化合物形成的记录层（其中“A”和“M”是每个不同的阳离子元素 另一个“O”氧;和0.5和nlE; x和nlE; 1.5,0.5＆amp; nlE; y＆nlE; 2.5和1.5＆amp; nlE; z＆nlE; 4.5）和含有至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的第二复合化合物。

公开(公告)号：US07459715B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11761318

申请日：2007-06-11

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： H01L29/02 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C7/18 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  Y10S439/936

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; cell arrays stacked above the substrate, bit lines and word lines; a read/write circuit formed on the semiconductor substrate; first and second vertical wirings connecting bit lines to the read/write circuit; and third vertical wirings connecting word lines to the read/write circuit, wherein the memory cell includes a variable resistance element. The variable resistance element has: a recording layer formed of a composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion; and electrodes formed on the opposite sides of the recording layer, one of the electrodes serving as a cation source in a write or erase mode for supplying a cation to the recording layer to be housed in the cavity site therein.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 堆叠在衬底上的单元阵列，位线和字线; 形成在半导体衬底上的读/写电路; 将位线连接到读/写电路的第一和第二垂直布线; 以及将字线连接到读/写电路的第三垂直布线，其中所述存储单元包括可变电阻元件。 可变电阻元件具有：由包含至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的复合化合物形成的记录层; 以及形成在记录层的相对侧上的电极，其中一个电极用作写入或擦除模式中的阳离子源，用于将阳离子供应到要容纳在其中的空腔位置的记录层。

公开(公告)号：US20070285970A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11761772

申请日：2007-06-12

申请人： HARUKI TODA ,  Koichi Kubo

发明人： HARUKI TODA ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A resistance change memory device including: a substrate; cell arrays stacked thereabove, each including a matrix layout of memory cells; a write circuit configured to write a pair cell constituted by two neighboring memory cells; and a read circuit configured to read complementary resistance value states of the pair cell as one bit of data, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value, which has a recording layer composed of a composite compound containing at least two types of cation elements, at least one type of the cation element being a transition element having “d”-orbit, in which electrons are incompletely filled, the shortest distance between adjacent cation elements being 0.32 nm or less.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：衬底; 单元阵列堆叠在其上，每个包括存储单元的矩阵布局; 写入电路，被配置为写入由两个相邻存储器单元构成的对单元; 以及读取电路，被配置为将所述成对单元的互补电阻值状态读取为一位数据，其中所述存储单元包括用于存储作为信息的电阻值的可变电阻元件，所述电阻值具有由复合化合物组成的记录层， 至少两种阳离子元素，至少一种阳离子元素是具有“d” - 轨道的过渡元素，其中电子未完全填充，相邻阳离子元素之间的最短距离为0.32nm以下。

公开(公告)号：US20070285967A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11761397

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; at least one cell array formed above the semiconductor substrate, each memory cell having a stack structure of a variable resistance element and an access element, the access element having such an off-state resistance value in a certain voltage range that is ten times or more as high as that in a select state; and a read/write circuit formed on the semiconductor substrate as underlying the cell array, wherein the variable resistance element comprises a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的至少一个单元阵列，每个存储单元具有可变电阻元件和存取元件的堆叠结构，所述存取元件具有在十倍或更多的一定电压范围内的截止电阻值 与选择状态一样高; 以及形成在半导体衬底上的单元阵列下面的读/写电路，其中，所述可变电阻元件包括由A x M y Y y表示的第一复合化合物形成的记录层， 其中“A”和“M”是彼此不同的阳离子元素;“O”氧; 0.5 <= x <= 1.5,0.5 <= y <= 2.5和 1.5 <= z <= 4.5）和包含至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的第二复合化合物。

公开(公告)号：US07767993B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11761758

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A resistance change memory device including a substrate, first and second wiring lines formed above the substrate to be insulated from each other, and memory cells disposed between the first and second wiring lines, wherein the memory cell includes: a variable resistance element for storing as information a resistance value; and a Schottky diode connected in series to the variable resistance element. The variable resistance element has: a recording layer formed of a composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion; and electrodes formed on the opposite sides of the recording layer, one of which serves as a cation source in a write or erase mode for supplying a cation to the recording layer to be housed in the cavity site therein.

摘要翻译： 一种电阻变化存储装置，包括基板，形成在基板上方彼此绝缘的第一和第二布线，以及设置在第一和第二布线之间的存储单元，其中存储单元包括：可变电阻元件，用于存储为 信息电阻值; 和与可变电阻元件串联连接的肖特基二极管。 可变电阻元件具有：由包含至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的复合化合物形成的记录层; 以及形成在记录层的相对侧上的电极，其中一个用作写入或擦除模式的阳离子源，用于将阳离子供应到要容纳在其中的腔室位置的记录层。

公开(公告)号：US07719875B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11761738

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A resistance change memory device including: a substrate; cell arrays stacked thereabove, each including a matrix layout of memory cells; a write circuit configured to write a pair cell constituted by two neighboring memory cells; and a read circuit configured to read complementary resistance value states of the pair cell as one bit of data, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value, and wherein the variable resistance element has a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：衬底; 单元阵列堆叠在其上，每个包括存储单元的矩阵布局; 写入电路，被配置为写入由两个相邻存储器单元构成的对单元; 以及读取电路，被配置为读取所述对单元的互补电阻值状态作为数据的一位，其中所述存储单元包括用于存储作为信息的电阻值的可变电阻元件，并且其中所述可变电阻元件具有由 由AxMyOz表示的第一复合化合物（其中“A”和“M”是彼此不同的阳离子元素;“O”氧;和0.5和nlE; x和nlE; 1.5,0.5和nlE; y和nlE; 2.5和1.5＆ ）和含有至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的第二复合化合物。

公开(公告)号：US07623370B2

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：US11761823

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2211/5622 ,  G11C2211/5631 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147

摘要： A resistance change memory device including a substrate, first and second wiring lines formed above the substrate to be insulated from each other, and memory cells disposed between the first and second wiring lines wherein the memory cell includes, a variable resistance element for storing as information a resistance value and a Schottky diode connected in series to the variable resistance element. The variable resistance element has a recording layer composed of a composite compound containing at least two types of cation elements, at least one type of the cation element being a transition element having “d”-orbit, in which electrons are incompletely filled, the shortest distance between adjacent cation elements being 0.32 nm or less.

摘要翻译： 一种电阻变化存储装置，包括：基板，形成在所述基板上方彼此绝缘的第一和第二布线;以及设置在所述第一和第二布线之间的存储单元，其中所述存储单元包括：可变电阻元件，用于存储为信息 电阻值和与可变电阻元件串联连接的肖特基二极管。 可变电阻元件具有由包含至少两种阳离子元素的复合化合物构成的记录层，至少一种阳离子元素是具有“d” - 轨道的过渡元素，其中电子未完全填充，最短 相邻阳离子元素之间的距离为0.32nm以下。

公开(公告)号：US07394680B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11761391

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; at least one cell array formed above the semiconductor substrate to have a stack structure of a variable resistance element and an access element, the variable resistance element storing a high resistance state or a low resistance state in a non-volatile manner, the access element having such an off-state resistance value in a certain voltage range that is ten times or more as high as that in a select state; and a read/write circuit formed on the semiconductor substrate, wherein the variable resistance element includes: a recording layer formed of a composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion; and electrodes formed on the opposite sides of the recording layer, one of the electrodes serving as a cation source in a write or erase mode for supplying a cation to the recording layer to be housed in the cavity site.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 至少一个单元阵列形成在所述半导体衬底上方以具有可变电阻元件和存取元件的堆叠结构，所述可变电阻元件以非易失性方式存储高电阻状态或低电阻状态，所述存取元件具有 在选择状态下为十倍以上的一定电压范围内的截止电阻值; 以及形成在所述半导体基板上的读/写电路，其中所述可变电阻元件包括：由包含至少一个过渡元件的复合化合物和用于容纳阳离子离子的空腔位置形成的记录层; 以及形成在记录层的相对侧上的电极，其中一个电极用作写入或擦除模式中的阳离子源，用于将阳离子供应到要容纳在腔部位中的记录层。