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    Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
    4.
    发明授权
    Photomask blank, photomask and fabrication method thereof 有权
    光掩模坯料，光掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US07625676B2

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：US11255135

    申请日：2005-10-21

    申请人： Hiroki Yoshikawa ,  Yukio Inazuki ,  Yoshinori Kinase ,  Satoshi Okazaki ,  Takashi Haraguchi ,  Masahide Iwakata ,  Yuichi Fukushima

    发明人： Hiroki Yoshikawa ,  Yukio Inazuki ,  Yoshinori Kinase ,  Satoshi Okazaki ,  Takashi Haraguchi ,  Masahide Iwakata ,  Yuichi Fukushima

    IPC分类号： G03F1/00 ,  B32B17/00

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  Y10T428/31616

    摘要： A light-shieldable film is formed on one principal plane of an optically transparent substrate, and the light-shieldable film has a first light-shieldable film and a second light-shieldable film overlying the first light-shieldable film. The first light-shieldable film is a film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is primarily composed of chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride or the like. The second light-shieldable film is a film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal oxide, silicon/transition-metal nitride or silicon/transition-metal oxynitride.

    摘要翻译： 在光学透明基板的一个主平面上形成可遮光膜，并且可遮光膜具有覆盖在第一可遮光膜上的第一可遮光膜和第二可遮光膜。 第一可遮光膜是通过氟基（F系）干蚀刻基本上不被蚀刻的膜，主要由氧化铬，氮化铬，氮氧化铬等构成。 第二可遮光膜是主要由可以通过F-基干蚀刻蚀刻的含硅化合物组成的膜，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，硅/过渡金属氧化物，硅/ 过渡金属氮化物或硅/过渡金属氮氧化物。

    Half-tone stacked film, photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
    7.
    发明授权
    Half-tone stacked film, photomask-blank, photomask and fabrication method thereof 有权
    半色调叠层薄膜，光掩模空白，光掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US07625677B2

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：US11346224

    申请日：2006-02-03

    申请人： Hiroki Yoshikawa ,  Yukio Inazuki ,  Yoshinori Kinase ,  Satoshi Okazaki ,  Motohiko Morita ,  Tadashi Saga

    发明人： Hiroki Yoshikawa ,  Yukio Inazuki ,  Yoshinori Kinase ,  Satoshi Okazaki ,  Motohiko Morita ,  Tadashi Saga

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/32 ,  Y10T428/31616

    摘要： A half-tone stacked film is designed so as to have a stacked structure of a first half-tone film and a second half-tone film, and the film thickness d, the refractive index n to exposure light and the extinction coefficient k of these half-tone films are designed so that one of these half-tone films becomes a phase advancement film and the other becomes a phase retardation film. When the film thickness (nm), the refractive index, and the extinction coefficient of the phase advancement film are represented by d(+), n(+) and k(+), respectively; and the film thickness (nm), the refractive index, and the extinction coefficient of the phase retardation film are d(−), n(−), and k(−), respectively; the phase advancement film has the relationship of k(+)>a1·n(+)+b1, and the phase retardation film has the relationship of k(−)

    摘要翻译： 半色调叠层膜被设计为具有第一半色调膜和第二半色调膜的堆叠结构，并且膜厚度d，这些的曝光光的折射率n与曝光光和消光系数k 半色调膜被设计成使得这些半色调膜中的一个成为相位前进膜，而另一个成为相位延迟膜。 当相位推进膜的膜厚（nm），折射率和消光系数分别由d（+），n（+）和k（+）表示时， 相位延迟膜的膜厚（nm），折射率和消光系数分别为d（ - ），n（ - ）和k（ - ）; 相位推进膜具有k（+）> a1.n（+）+ b1的关系，相位延迟膜具有k（ - ）

    Half-tone stacked film, photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
    8.
    发明申请
    Half-tone stacked film, photomask-blank, photomask and fabrication method thereof 有权
    半色调叠层薄膜，光掩模空白，光掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US20060177746A1

    公开(公告)日：2006-08-10

    申请号：US11346224

    申请日：2006-02-03

    申请人： Hiroki Yoshikawa ,  Yukio Inazuki ,  Yoshinori Kinase ,  Satoshi Okazaki ,  Motohiko Morita ,  Tadashi Sage

    发明人： Hiroki Yoshikawa ,  Yukio Inazuki ,  Yoshinori Kinase ,  Satoshi Okazaki ,  Motohiko Morita ,  Tadashi Sage

    IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B17/06 ,  B32B17/10 ,  G03C5/00 ,  G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/32 ,  Y10T428/31616

    摘要： A half-tone stacked film is designed so as to have a stacked structure of a first half-tone film and a second half-tone film, and the film thickness d, the refractive index n to exposure light and the extinction coefficient k of these half-tone films are designed so that one of these half-tone films becomes a phase advancement film and the other becomes a phase retardation film. When the film thickness (nm), the refractive index, and the extinction coefficient of the phase advancement film are represented by d(+), n(+) and k(+), respectively; and the film thickness (nm), the refractive index, and the extinction coefficient of the phase retardation film are d(−), n(−), and k(−), respectively; the phase advancement film has the relationship of k(+)>a1·n(+)+b1, and the phase retardation film has the relationship of k(−)

    摘要翻译： 半色调叠层膜被设计为具有第一半色调膜和第二半色调膜的堆叠结构，并且膜厚度d，这些的曝光光的折射率n与曝光光和消光系数k 半色调膜被设计成使得这些半色调膜中的一个成为相位前进膜，而另一个成为相位延迟膜。 当相位推进膜的膜厚度（nm），折射率和消光系数由d（+），（+）， SUP>（+）; 相位延迟膜的膜厚（nm），折射率和消光系数为（ - ）， - （ - ） >（ - ）; 相位前进膜具有k +（+） a <1>的关系。（+）+ b 1 - >相<！ - SIPO - >相<！ - SIPO - 。

    Etching method and photomask blank processing method
    9.
    发明授权
    Etching method and photomask blank processing method 有权
    蚀刻方法和光掩模坯料加工方法

    公开(公告)号：US08920666B2

    公开(公告)日：2014-12-30

    申请号：US12779998

    申请日：2010-05-14

    申请人： Shinichi Igarashi ,  Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Hiroki Yoshikawa ,  Yoshinori Kinase

    发明人： Shinichi Igarashi ,  Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Hiroki Yoshikawa ,  Yoshinori Kinase

    IPC分类号： C23F3/00 ,  G03F1/26 ,  H01L21/311 ,  G03F1/00 ,  G03F1/80 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32

    CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/14 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

    摘要： Disclosed herein is a dry etching method for a work layer formed over a substrate, including the steps of forming a hard mask layer over the work layer formed over the substrate, forming a resist pattern over the hard mask layer, transferring the resist pattern to the hard mask layer by first dry etching conducted using the resist pattern, and patterning the work layer by second dry etching conducted using a hard mask pattern obtained upon the transfer to the hard mask layer, wherein after the hard mask layer is patterned by the first dry etching, the patterning of the work layer by the second dry etching is conducted through changing the concentration of an auxiliary ingredient of a dry etching gas, without changing a main ingredient of the dry etching gas, in an etching apparatus in which the first dry etching has been conducted.

    摘要翻译： 本文公开了一种用于在衬底上形成的工作层的干式蚀刻方法，包括以下步骤：在形成在衬底上的工作层上形成硬掩模层，在硬掩模层上形成抗蚀剂图案，将抗蚀剂图案转移到 硬掩模层，通过使用抗蚀剂图案进行的第一干蚀刻，以及通过使用在转印到硬掩模层上获得的硬掩模图案进行的第二干蚀刻来对工作层进行图案化，其中在硬掩模层通过第一干法 蚀刻时，通过在蚀刻装置中改变干蚀刻气体的辅助成分的浓度而不改变干蚀刻气体的主要成分，通过第二干蚀刻进行工作层的图案化，其中第一干蚀刻 已经进行。

    ETCHING METHOD AND PHOTOMASK BLANK PROCESSING METHOD
    10.
    发明申请
    ETCHING METHOD AND PHOTOMASK BLANK PROCESSING METHOD 有权
    蚀刻方法和光电子空白处理方法

    公开(公告)号：US20100291478A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：US12779998

    申请日：2010-05-14

    申请人： Shinichi IGARASHI ,  Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Hiroki Yoshikawa ,  Yoshinori Kinase

    发明人： Shinichi IGARASHI ,  Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Hiroki Yoshikawa ,  Yoshinori Kinase

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/14 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

    摘要： Disclosed herein is a dry etching method for a work layer formed over a substrate, including the steps of forming a hard mask layer over the work layer formed over the substrate, forming a resist pattern over the hard mask layer, transferring the resist pattern to the hard mask layer by first dry etching conducted using the resist pattern, and patterning the work layer by second dry etching conducted using a hard mask pattern obtained upon the transfer to the hard mask layer, wherein after the hard mask layer is patterned by the first dry etching, the patterning of the work layer by the second dry etching is conducted through changing the concentration of an auxiliary ingredient of a dry etching gas, without changing a main ingredient of the dry etching gas, in an etching apparatus in which the first dry etching has been conducted.

    摘要翻译： 本文公开了一种用于在衬底上形成的工作层的干式蚀刻方法，包括以下步骤：在形成在衬底上的工作层上形成硬掩模层，在硬掩模层上形成抗蚀剂图案，将抗蚀剂图案转移到 硬掩模层，通过使用抗蚀剂图案进行的第一干蚀刻，以及通过使用在转印到硬掩模层上获得的硬掩模图案进行的第二干蚀刻来对工作层进行图案化，其中在硬掩模层通过第一干法 蚀刻时，通过在蚀刻装置中改变干蚀刻气体的辅助成分的浓度而不改变干蚀刻气体的主要成分，通过第二干蚀刻进行工作层的图案化，其中第一干蚀刻 已经进行。