公开(公告)号：US20110230054A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12841217

申请日：2010-07-22

申请人： Hiroshi TOMITA ,  Hisashi Okuchi ,  Minato Inukai ,  Hidekazu Hayashi ,  Yasuhito Yoshimizu

发明人： Hiroshi TOMITA ,  Hisashi Okuchi ,  Minato Inukai ,  Hidekazu Hayashi ,  Yasuhito Yoshimizu

IPC分类号： H01L21/3205 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02057

摘要： In one embodiment, a semiconductor substrate cleaning method is disclosed. The method can clean a semiconductor substrate by using a chemical of 80° C. or above. The method can rinse the semiconductor substrate by using pure water of 40° C. or above after the cleaning of the semiconductor substrate. The method can then rinse the semiconductor substrate by using pure water of 30° C. or below. In addition, the method can dry the semiconductor substrate.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了半导体衬底清洗方法。 该方法可以使用80℃以上的化学物质来清洗半导体衬底。 该方法可以在清洁半导体衬底之后使用40℃以上的纯水冲洗半导体衬底。 然后，该方法可以通过使用30℃或更低的纯水冲洗半导体衬底。 此外，该方法可以干燥半导体衬底。