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    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
    5.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE 审中-公开
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20090250682A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：US12406344

    申请日：2009-03-18

    申请人： Doo-Hwan Park ,  Yong-Ho Ha ,  Myung-Jin Kang ,  Jeong-Hee Park ,  Hyun-Suk Kwon

    发明人： Doo-Hwan Park ,  Yong-Ho Ha ,  Myung-Jin Kang ,  Jeong-Hee Park ,  Hyun-Suk Kwon

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/143 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided is a phase change memory device. The phase change memory device includes a first electrode and a second electrode. A phase change material pattern is interposed between the first and second electrodes. A phase change auxiliary pattern is in contact with at least one side of the phase change material pattern. The phase change auxiliary pattern includes a compound having a chemical formula expressed as DaMb[GxTy]c(0≦a/(a+b+c)≦0.2, 0≦b/(a+b+c)≦0.1, 0.3≦x/(x+y)≦0.7), where D comprises: at least one of C, N, and O; M comprises at least one of a transition metal, Al, Ga, and In; G comprises Ge; and T comprises Te.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件。 相变存储器件包括第一电极和第二电极。 相变材料图案插入在第一和第二电极之间。 相变辅助图案与相变材料图案的至少一侧接触。 相变辅助图案包括化学式表示为DaMb [GxTy] c（0 <= a /（a + b + c）<= 0.2,0 <= b /（a + b + c） 0.1，0.3 <= x /（x + y）≤= 0.7），其中D包括：C，N和O中的至少一个; M包括过渡金属Al，Ga和In中的至少一种; G包括Ge; T包括Te。

    Phase Change Memory Cell Employing a GeBiTe Layer as a Phase Change Material Layer, Phase Change Memory Device Including the Same, Electronic System Including the Same and Method of Fabricating the Same
    8.
    发明申请
    Phase Change Memory Cell Employing a GeBiTe Layer as a Phase Change Material Layer, Phase Change Memory Device Including the Same, Electronic System Including the Same and Method of Fabricating the Same 有权
    使用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元，包括其的相变存储器件，包括其的电子系统及其制造方法

    公开(公告)号：US20070267721A1

    公开(公告)日：2007-11-22

    申请号：US11747395

    申请日：2007-05-11

    申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Jeong-Hee Park ,  Han-Bong Ko

    发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Jeong-Hee Park ,  Han-Bong Ko

    IPC分类号： H01L31/117 ,  H01L29/12

    CPC分类号： H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1625

    摘要： A phase change memory cell includes an interlayer insulating layer formed on a semiconductor substrate, and a first electrode and a second electrode disposed in the interlayer insulating layer. A phase change material layer is disposed between the first and second electrodes. The phase change material layer may be an undoped GeBiTe layer, a doped GeBiTe layer containing an impurity or a doped GeTe layer containing an impurity. The undoped GeBiTe layer has a composition ratio within a range surrounded by four points (A1(Ge21.43, Bi16.67, Te61.9), A2(Ge44.51, Bi0.35, Te55.14), A3(Ge59.33, Bi0.5, Te40.17) and A4(Ge38.71, Bi16.13, Te45.16)) represented by coordinates on a triangular composition diagram having vertices of germanium (Ge), bismuth (Bi) and tellurium (Te). The doped GeBiTe layer contains an impurity and has a composition ratio within a range surrounded by four points (D1(Ge10, Bi20, Te70), D2(Ge30, Bi0, Te70), D3(Ge70, Bi0, Te30) and D4(Ge50, Bi20, Te30)) represented by coordinates on the triangular composition diagram.

    摘要翻译： 相变存储单元包括形成在半导体衬底上的层间绝缘层和设置在层间绝缘层中的第一电极和第二电极。 相变材料层设置在第一和第二电极之间。 相变材料层可以是未掺杂的GeBiTe层，包含杂质的掺杂GeBiTe层或含有杂质的掺杂GeTe层。 未掺杂的GeBiTe层的组成比在四个点（A 1（Ge 21.43，Bi 16.67，Te 61.9）， A 2（Ge 44.51，Bi 0.35，Te 55.14），A 3（Ge 59.33，Bi 40 ，Te <40.17 和A 4（Ge 38.71，Bi 16.13，Te 45.16） ））由具有锗（Ge），铋（Bi）和碲（Te）的顶点的三角形组成图上的坐标表示。 掺杂的GeBiTe层含有杂质，其组成比在四个点（D 1（Ge 10 O 12，Bi 20 O，Te 70） （3），D 2（Ge 30 30，Bi 0，Te 70），D 3（Ge 70） ，Bi 2 O 3，Te 30 N）和D 4（Ge 50，Bi 20，Te 30 ））由三角形组成图上的坐标表示。

    Phase change memory cell employing a GeBiTe layer as a phase change material layer, phase change memory device including the same, electronic system including the same and method of fabricating the same
    9.
    发明授权
    Phase change memory cell employing a GeBiTe layer as a phase change material layer, phase change memory device including the same, electronic system including the same and method of fabricating the same 有权
    使用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元，包括该相变材料层的相变存储器件，包括该GeBiTe层的相变材料层的电子系统及其制造方法

    公开(公告)号：US07817464B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11747395

    申请日：2007-05-11

    申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Jeong-Hee Park ,  Han-Bong Ko

    发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Jeong-Hee Park ,  Han-Bong Ko

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1625

    摘要： A phase change memory cell includes an interlayer insulating layer formed on a semiconductor substrate, and a first electrode and a second electrode disposed in the interlayer insulating layer. A phase change material layer is disposed between the first and second electrodes. The phase change material layer may be an undoped GeBiTe layer, a doped GeBiTe layer containing an impurity or a doped GeTe layer containing an impurity. The undoped GeBiTe layer has a composition ratio within a range surrounded by four points (A1(Ge21.43, Bi16.67, Te61.9), A2(Ge44.51, Bi0.35, Te55.14), A3(Ge59.33, Bi0.5, Te40.17) and A4(Ge38.71, Bi16.13, Te45.16)) represented by coordinates on a triangular composition diagram having vertices of germanium (Ge), bismuth (Bi) and tellurium (Te). The doped GeBiTe layer contains an impurity and has a composition ratio within a range surrounded by four points (D1(Ge10, Bi20, Te70), D2(Ge30, Bi0, Te70), D3(Ge70, Bi0, Te30) and D4(Ge50, Bi20, Te30)) represented by coordinates on the triangular composition diagram.

    摘要翻译： 相变存储单元包括形成在半导体衬底上的层间绝缘层和设置在层间绝缘层中的第一电极和第二电极。 相变材料层设置在第一和第二电极之间。 相变材料层可以是未掺杂的GeBiTe层，包含杂质的掺杂GeBiTe层或含有杂质的掺杂GeTe层。 未掺杂的GeBiTe层的组成比在四个点（A1（Ge21.43，Bi16.67，Te61.9），A2（Ge44.51，Bi0.35，Te55.14），A3（Ge59）， 33，Bi0.5，Te40.17）和A4（Ge38.71，Bi16.13，Te45.16）），由具有锗（Ge），铋（Bi）和碲（Te ）。 掺杂的GeBiTe层包含杂质，其组成比在四个点（D1（Ge10，Bi20，Te70），D2（Ge30，Bi0，Te70），D3（Ge70，Bi0，Te30）和D4（Ge50 ，Bi20，Te30））。