公开(公告)号：US07768042B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12058399

申请日：2008-03-28

申请人： Jae-Woo Park ,  Seunghyup Yoo

发明人： Jae-Woo Park ,  Seunghyup Yoo

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Disclosed herein is a method of manufacturing a thin film transistor including titanium oxides as an active layer and the structure of the thin film transistor film manufactured using the method. The thin film transistor includes: a substrate; an active layer formed on the substrate using polycrystalline or amorphous titanium oxides; and an insulating layer formed on the active layer. Further, the method of manufacturing the thin film transistor includes: forming a substrate; forming an active layer on the substrate using polycrystalline or amorphous titanium oxides; and forming an insulating layer on the active layer. The present invention is advantageous in that the performance of the thin film transistor can be improved, the thin film transistor can be manufactured at low cost, harmful environmental problems can be solved, and the thin film transistor can be widely applied to various electronic apparatuses including, but not limited to, integrated drivers in active-matrix displays and transparent electronic devices.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管包括钛氧化物作为有源层，以及使用该方法制造的薄膜晶体管膜的结构。 薄膜晶体管包括：基板; 使用多晶或无定形钛氧化物在所述衬底上形成的有源层; 以及形成在有源层上的绝缘层。 此外，制造薄膜晶体管的方法包括：形成衬底; 使用多晶或无定形钛氧化物在衬底上形成有源层; 以及在所述有源层上形成绝缘层。 本发明的优点在于，可以提高薄膜晶体管的性能，可以以低成本制造薄膜晶体管，可以解决有害的环境问题，并且薄膜晶体管可以广泛地应用于各种电子设备，包括 但不限于有源矩阵显示器和透明电子设备中的集成驱动器。

公开(公告)号：US20080237595A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12058399

申请日：2008-03-28

申请人： Jae-Woo Park ,  Seunghyup Yoo

发明人： Jae-Woo Park ,  Seunghyup Yoo

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Disclosed herein is a method of manufacturing a thin film transistor including titanium oxides as an active layer and the structure of the thin film transistor film manufactured using the method. The thin film transistor includes: a substrate; an active layer formed on the substrate using polycrystalline or amorphous titanium oxides; and an insulating layer formed on the active layer. Further, the method of manufacturing the thin film transistor includes: forming a substrate; forming an active layer on the substrate using polycrystalline or amorphous titanium oxides; and forming an insulating layer on the active layer. The present invention is advantageous in that the performance of the thin film transistor can be improved, the thin film transistor can be manufactured at low cost, harmful environmental problems can be solved, and the thin film transistor can be widely applied to various electronic apparatuses including, but not limited to, integrated drivers in active-matrix displays and transparent electronic devices.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管包括钛氧化物作为有源层，以及使用该方法制造的薄膜晶体管膜的结构。 薄膜晶体管包括：基板; 使用多晶或无定形钛氧化物在所述衬底上形成的有源层; 以及形成在有源层上的绝缘层。 此外，制造薄膜晶体管的方法包括：形成衬底; 使用多晶或无定形钛氧化物在衬底上形成有源层; 以及在所述有源层上形成绝缘层。 本发明的优点在于，可以提高薄膜晶体管的性能，可以以低成本制造薄膜晶体管，可以解决有害的环境问题，并且薄膜晶体管可以广泛地应用于各种电子设备，包括 但不限于有源矩阵显示器和透明电子设备中的集成驱动器。

公开(公告)号：US20120268338A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US11861076

申请日：2007-09-25

申请人： Seunghyup Yoo ,  Gregory D. Durgin ,  Bernard Kippelen ,  Warren N. Herman

发明人： Seunghyup Yoo ,  Gregory D. Durgin ,  Bernard Kippelen ,  Warren N. Herman

IPC分类号： H01Q1/38 ,  B05D5/12 ,  H01Q9/26

CPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q9/26

摘要： An apparatus for receiving and transmitting electromagnetic signals. In one aspect, the apparatus is an antenna. The antenna comprises a dielectric substrate and a non-metallic conducting layer substantially overlying the substrate. In one aspect, the non-metallic conducting layer is an intrinsic conducting polymer (“ICP”). In one exemplary method of manufacturing the antenna, the desired outline of the antenna may be first printed out on a substantially flexible substrate. In one example, a substrate made from polyethylene terephthalate may be used.

摘要翻译： 一种用于接收和发送电磁信号的装置。 在一个方面，该装置是天线。 天线包括电介质基底和基本上覆盖基底的非金属导电层。 一方面，非金属导电层是本征导电聚合物（ICP）。 在制造天线的一个示例性方法中，天线的期望轮廓可以首先在基本柔性的基板上打印出来。 在一个实例中，可以使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的基材。

公开(公告)号：US20060249202A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11232188

申请日：2005-09-20

申请人： Seunghyup Yoo ,  Benoit Domercq ,  Bernard Kippelen

发明人： Seunghyup Yoo ,  Benoit Domercq ,  Bernard Kippelen

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L51/4246 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/424 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

摘要： The novel light conversion system includes photosensitive optoelectronic devices, or photovoltaic cells, that convert electromagnetic radiation into electrical currents without applying an external voltage. Power conversion efficiency is a primary criterion for evaluating the performance of photovoltaic cells. Photovoltaic cells with high power-conversion efficiencies are more cost effective and more suitable replacements for conventional energy sources. This novel light conversion system uses a polycrystalline organic material with unique material properties for achieving high, power-conversion efficiencies.

摘要翻译： 新颖的光转换系统包括光敏光电器件或光伏电池，其将电磁辐射转换成电流而不施加外部电压。 功率转换效率是评估光伏电池性能的主要标准。 具有高功率转换效率的光伏电池对于常规能源来说更具成本效益和更适合的替代品。 这种新颖的光转换系统使用具有独特材料特性的多晶有机材料来实现高的功率转换效率。