公开(公告)号：US20130089986A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13608403

申请日：2012-09-10

申请人： Jeong-ju PARK ,  Kyoung-mi KIM ,  Min-jung KIM ,  Dong-jun LEE ,  Boo-deuk KIM

发明人： Jeong-ju PARK ,  Kyoung-mi KIM ,  Min-jung KIM ,  Dong-jun LEE ,  Boo-deuk KIM

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/32

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/203 ,  H01L21/0274

摘要： A method of forming patterns of a semiconductor device may include forming a photoresist layer that includes a photo acid generator (PAG) and a photo base generator (PBG), generating an acid from the PAG in a first exposed portion of the photoresist layer by first-exposing the photoresist layer, and generating a base from the PBG in a second exposed portion of the photoresist layer by second-exposing a part of the first exposed portion and neutralizing the acid. The method may also include baking the photoresist layer after the first and second-exposing and deblocking the photoresist layer of the first exposed portion in which the acid is generated to form a deblocked photoresist layer, and forming a photoresist pattern by removing the deblocked photoresist layer by using a developer.

摘要翻译： 形成半导体器件的图案的方法可以包括形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括光酸产生剂（PAG）和光产生剂（PBG），首先在光致抗蚀剂层的第一暴露部分中从PAG产生酸 并且在所述光致抗蚀剂层的第二暴露部分中通过将所述第一暴露部分的一部分暴露并中和所述酸而从所述PBG生成碱。 该方法还可以包括在第一和第二次曝光和去除其中产生酸的第一暴露部分的光致抗蚀剂层以形成解封的光致抗蚀剂层之后烘烤光致抗蚀剂层，以及通过去除去封闭的光刻胶层形成光致抗蚀剂图案 通过使用开发人员。

公开(公告)号：US20160172187A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US14958072

申请日：2015-12-03

申请人： Jeong-ju PARK ,  Seung-chul KWON ,  Eun-sung KIM ,  Jae-woo NAM ,  Shi-yong YI ,  Hyun-woo KIM

发明人： Jeong-ju PARK ,  Seung-chul KWON ,  Eun-sung KIM ,  Jae-woo NAM ,  Shi-yong YI ,  Hyun-woo KIM

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08L53/00 ,  G03F7/002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10855

摘要： A method of forming a fine pattern includes forming pillar-shaped guides regularly arranged on a feature layer, forming a block copolymer layer on the feature layer around the pillar-shaped guides, phase separating the block copolymer layer, forming first domains regularly arranged on the feature layer with the pillar-shaped guides, forming a second domain on the feature layer surrounding the pillar-shaped guides and the first domains, removing the first domains, and forming holes corresponding with the first domains in the feature layer by etching the feature layer using the pillar-shaped guides and the second domain as etch masks. The block copolymer layer includes a polymer blend having first and second polymer blocks having first and second repeat units, respectively, a first homopolymer and a second homopolymer. The first domains include the first polymer block and the first homopolymer, and the second domain includes the second polymer block and the second homopolymer.

摘要翻译： 形成精细图案的方法包括：形成规则排列在特征层上的柱状引导件，在柱状引导件周围的特征层上形成嵌段共聚物层，相分离嵌段共聚物层，形成规则排列在第 具有柱状引导件的特征层，在围绕柱状引导件和第一域的特征层上形成第二结构域，通过蚀刻特征层来去除第一区域并形成与特征层中的第一区域相对应的孔 使用柱形引导件和第二域作为蚀刻掩模。 嵌段共聚物层包括聚合物共混物，其具有分别具有第一和第二重复单元的第一和第二聚合物嵌段，第一均聚物和第二均聚物。 第一结构域包括第一聚合物嵌段和第一均聚物，第二结构域包括第二聚合物嵌段和第二均聚物。