公开(公告)号：US08734660B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12194689

申请日：2008-08-20

申请人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  H01L21/461

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 第二蚀刻工艺可以相对于图案化层选择成像层。

公开(公告)号：US07460209B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11092993

申请日：2005-03-28

申请人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03F1/00

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 相对于图案化层，第二蚀刻工艺可以是成像层的选择性。

公开(公告)号：US20080308527A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12194689

申请日：2008-08-20

申请人： JIAN MA ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： JIAN MA ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 相对于图案化层，第二蚀刻工艺可以是成像层的选择性。

公开(公告)号：US20060215135A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11092993

申请日：2005-03-28

申请人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 相对于图案化层，第二蚀刻工艺可以是成像层的选择性。

公开(公告)号：US20070043257A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11205578

申请日：2005-08-16

申请人： Frederick Chen

发明人： Frederick Chen

IPC分类号： A61F2/00

CPC分类号： A61F2/2481

摘要： A cardiac restraint device includes a central cavity that receives the heart. A chamber surrounding the cavity presses against the surface of the heart when the chamber is filled with fluid. The inner wall defining the chamber is deformable, so that it tends to expand into the cavity and contact the heart. The outer wall of the chamber, or alternatively, a jacket surrounding the chamber, is nondeformable, so that expansive forces of the fluid in the chamber tend to be directed inward against the heart rather than outward.

摘要翻译： 心脏抑制装置包括容纳心脏的中心腔。 当腔室充满流体时，围绕腔体的腔室压靠心脏的表面。 限定腔室的内壁是可变形的，使得其倾向于扩张到空腔中并接触心脏。 腔室的外壁或者围绕腔室的护套是不可变形的，使得腔室中的流体的膨胀力倾向于向内指向内部而不是向外。

公开(公告)号：US06485869B2

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09411729

申请日：1999-10-01

申请人： Wilman Tsai ,  Marilyn Kamna ,  Frederick Chen ,  Jeff Farnsworth

发明人： Wilman Tsai ,  Marilyn Kamna ,  Frederick Chen ,  Jeff Farnsworth

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/38

摘要： An apparatus comprising a mask having an active device area and a moat. The moat substantially surrounds the mask active device area and has a width greater than a plasma specie diffusional length. A method comprising depositing a layer of resist on a mask substrate having transparent and opaque layers; and exposing the resist layer to radiation. The radiation is patterned to produce features within an active device area. The radiation is also patterned to produce a moat substantially surrounding the active device area having a width greater than a plasma specie diffusional length.

摘要翻译： 一种包括具有有源装置区域和护城河的掩模的装置。 护环基本上围绕掩模有源器件区域并且具有大于等离子体扩散长度的宽度。 一种方法，包括在具有透明和不透明层的掩模基板上沉积抗蚀剂层; 并将抗蚀剂层暴露于辐射。 图案化辐射以在有源器件区域内产生特征。 辐射也被图案化以产生基本上围绕具有大于等离子体扩散长度的宽度的有源器件区域的护环。

公开(公告)号：US06692878B2

公开(公告)日：2004-02-17

申请号：US10222655

申请日：2002-08-15

申请人： Wilman Tsai ,  Marilyn Kamna ,  Frederick Chen ,  Jeff Farnsworth

发明人： Wilman Tsai ,  Marilyn Kamna ,  Frederick Chen ,  Jeff Farnsworth

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/38

摘要： An apparatus comprising a mask having an active device area and a moat. The moat substantially surrounds the mask active device area and has a width greater than a plasma specie diffusional length. A method comprising depositing a layer of resist on a mask substrate having transparent and opaque layers; and exposing the resist layer to radiation. The radiation is patterned to produce features within an active device area. The radiation is also patterned to produce a moat substantially surrounding the active device area having a width greater than a plasma specie diffusional length.

摘要翻译： 一种包括具有有源装置区域和护城河的掩模的装置。 护环基本上围绕掩模有源器件区域并且具有大于等离子体扩散长度的宽度。 一种方法，包括在具有透明和不透明层的掩模基板上沉积抗蚀剂层; 并将抗蚀剂层暴露于辐射。 图案化辐射以在有源器件区域内产生特征。 辐射也被图案化以产生基本上围绕具有大于等离子体扩散长度的宽度的有源器件区域的护环。