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    MEMRISTORS HAVING MIXED OXIDE PHASES
    1.
    发明申请
    MEMRISTORS HAVING MIXED OXIDE PHASES 有权
    具有混合氧化物相的晶体管

    公开(公告)号：US20140167042A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：US14232521

    申请日：2011-07-14

    申请人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Feng Miao

    发明人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Feng Miao

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1608 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： A memristor includes a first electrode; a second electrode; and a switching layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the switching layer includes an electrically semiconducting or nominally insulating and weak ionic switching mixed metal oxide phase for forming at least one switching channel in the switching layer. A method of forming the memristor is also provided.

    摘要翻译： 忆阻器包括第一电极; 第二电极; 以及介于所述第一电极和所述第二电极之间的开关层，其中所述开关层包括用于在所述开关层中形成至少一个开关沟道的电半导体或标称绝缘和弱离子开关混合金属氧化物相。 还提供了形成忆阻器的方法。

    Memristors having mixed oxide phases
    2.
    发明授权
    Memristors having mixed oxide phases 有权
    具有混合氧化物相的忆阻器

    公开(公告)号：US09257645B2

    公开(公告)日：2016-02-09

    申请号：US14232521

    申请日：2011-07-14

    申请人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Feng Miao

    发明人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Feng Miao

    IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C13/00

    CPC分类号： H01L45/1608 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： A memristor includes a first electrode; a second electrode; and a switching layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the switching layer includes an electrically semiconducting or nominally insulating and weak ionic switching mixed metal oxide phase for forming at least one switching channel in the switching layer. A method of forming the memristor is also provided.

    摘要翻译： 忆阻器包括第一电极; 第二电极; 以及介于所述第一电极和所述第二电极之间的开关层，其中所述开关层包括用于在所述开关层中形成至少一个开关沟道的电半导体或标称绝缘和弱离子开关复合金属氧化物相。 还提供了形成忆阻器的方法。

    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR
    7.
    发明申请
    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR 有权
    高可靠性高速电容器

    公开(公告)号：US20140112059A1

    公开(公告)日：2014-04-24

    申请号：US14127873

    申请日：2011-06-24

    申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149

    摘要： A memristor has a first electrode, a second electrode parallel to the first electrode, and a switching layer disposing between the first and second electrodes. The switching layer contains a conduction channel and a reservoir zone. The conduction channel has a Fermi glass material with a variable concentration of mobile ions. The reservoir zone is laterally disposed relative to the conduction channel, and functions as a source/sink of mobile ions for the conduction channel In the switching operation, under the cooperative driving force of both electric field and thermal effects, the mobile ions are moved into or out of the laterally disposed reservoir zone to vary the concentration of the mobile ions in the conduction channel to change the conductivity of the Fermi glass material.

    摘要翻译： 忆阻器具有第一电极，平行于第一电极的第二电极和设置在第一和第二电极之间的开关层。 开关层包含导电通道和储存区。 导电通道具有可变浓度的移动离子的费米玻璃材料。 储存区域相对于导电通道横向设置，并且用作导电通道的移动离子的源/汇。在开关操作中，在电场和热效应的协同驱动力下，将移动离子移入 或离开横向设置的储存区，以改变导电通道中的可移动离子的浓度，以改变费米玻璃材料的导电性。

    Changing a memristor state
    10.
    发明授权
    Changing a memristor state 有权
    改变忆阻器状态

    公开(公告)号：US08331131B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US13018040

    申请日：2011-01-31

    申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00 ,  H01L21/20

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/55

    摘要： A method of changing a state of a memristor having a first intermediate layer, a second intermediate layer, and a third intermediate layer positioned between a first electrode and a second electrode includes applying a first pulse having a first bias voltage across the memristor, wherein the first pulse causes mobile species to flow in a first direction within the memristor and collect in the first intermediate layer thereby causing the memristor to enter into an intermediate state and applying a second pulse having a second bias voltage across the memristor, in which the second pulse causes the mobile species from the first intermediate layer to flow in a second direction within the memristor and collect in the third intermediate layer, wherein the flow of the mobile species in the second direction causes the memristor to enter into a fully changed state.

    摘要翻译： 一种改变具有位于第一电极和第二电极之间的第一中间层，第二中间层和第三中间层的忆阻器的状态的方法包括：将具有第一偏置电压的第一脉冲施加在该忆阻器两端，其中， 第一脉冲导致移动物质在忆阻器内沿第一方向流动并收集在第一中间层中，从而使忆阻器进入中间状态，并施加具有第二偏置电压的第二脉冲跨过忆阻器，其中第二脉冲 使得来自第一中间层的移动物质在忆阻器内沿第二方向流动并收集在第三中间层中，其中移动物种在第二方向上的流动使得忆阻器进入完全改变的状态。