公开(公告)号：US20050070098A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10674645

申请日：2003-09-30

申请人： John Bruley ,  Cyril Cabral ,  Christian Lavoie ,  Tina Wagner ,  Yun Wang ,  Horatl Wlldman ,  Wong Hon

发明人： John Bruley ,  Cyril Cabral ,  Christian Lavoie ,  Tina Wagner ,  Yun Wang ,  Horatl Wlldman ,  Wong Hon

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/665

摘要： The present invention provides a method for forming an interconnect to a cobalt or nickel silicide having a TiN diffusion barrier. The inventive method comprises providing an initial structure having vias to exposed silicide regions positioned on a substrate; annealing the initial structure in a nitrogen-containing ambient, wherein a nitrogen passivation layer is formed atop the exposed silicide region; depositing Ti atop the nitrogen passivation layer; annealing the Ti in a nitrogen-containing ambient to form a TiN diffusion barrier and an amorphous Ti cobalt silicide between the TiN diffusion layer and the cobalt or nickel silicide and depositing an interconnect metal within the vias and atop the TiN diffusion barrier. The nitrogen passivation layer substantially restricts diffusion between the Ti and silicide layers minimizing the amorphous Ti cobalt silicide layer that forms. Therefore, the amorphous Ti cobalt or Ti nickel silicide is restricted to a thickness of less than about 3.0 nm.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成具有TiN扩散阻挡层的钴或镍硅化物的互连的方法。 本发明的方法包括提供具有通孔的初始结构，以暴露出位于基板上的硅化物区域; 在含氮环境中退火初始结构，其中在暴露的硅化物区域上形成氮钝化层; 在氮钝化层顶上沉积Ti; 在含氮环境中退火Ti以在TiN扩散层和钴或镍硅化物之间形成TiN扩散阻挡层和非晶Ti钴硅化物，并在通孔内和TiN扩散势垒顶上沉积互连金属。 氮钝化层基本上限制了Ti和硅化物层之间的扩散，使形成的无定形Ti钴硅化物层最小化。 因此，非晶Ti钴或Ti镍硅化物被限制在小于约3.0nm的厚度。