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1.发明申请MASK AND MANUFACTURING METHOD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL USING THE MASK 有权半导体器件的掩模和制造方法和使用掩模的薄膜晶体管阵列面板公开(公告)号：US20100261102A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：US12823030
申请日：2010-06-24
申请人： Jong-An KIM , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
发明人： Jong-An KIM , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/14689 , H01L51/56
摘要： An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.
摘要翻译： 提供曝光掩模，其包括：阻挡入射光的遮光不透明区域; 半透明的区域; 以及通过大部分入射光的透明区域，其中半透明区域产生在-70°至约+ 70°范围内的相位差。
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2.发明申请Mask and manufacturing method of a semiconductor device and a thin film transistor array panel using the mask 有权使用该掩模的半导体器件和薄膜晶体管阵列面板的掩模和制造方法公开(公告)号：US20060128054A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：US11300761
申请日：2005-12-14
申请人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
发明人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/14689 , H01L51/56
摘要： An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.
摘要翻译： 提供曝光掩模，其包括：阻挡入射光的遮光不透明区域; 半透明的区域; 以及通过大部分入射光的透明区域，其中半透明区域产生在-70°至约+ 70°范围内的相位差。
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3.发明授权Mask and manufacturing method of a semiconductor device and a thin film transistor array panel using the mask 有权使用该掩模的半导体器件和薄膜晶体管阵列面板的掩模和制造方法公开(公告)号：US08153339B2
公开(公告)日：2012-04-10
申请号：US12823030
申请日：2010-06-24
申请人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
发明人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/14689 , H01L51/56
摘要： An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.
摘要翻译： 提供曝光掩模，其包括：阻挡入射光的遮光不透明区域; 半透明的区域; 以及通过大部分入射光的透明区域，其中半透明区域产生在-70°至约+ 70°范围内的相位差。
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4.发明授权Mask and manufacturing method of a semiconductor device and a thin film transistor array panel using the mask 有权使用该掩模的半导体器件和薄膜晶体管阵列面板的掩模和制造方法公开(公告)号：US07767506B2
公开(公告)日：2010-08-03
申请号：US12258228
申请日：2008-10-24
申请人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
发明人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/14689 , H01L51/56
摘要： An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.
摘要翻译： 提供曝光掩模，其包括：阻挡入射光的遮光不透明区域; 半透明的区域; 以及通过大部分入射光的透明区域，其中半透明区域产生在-70°至约+ 70°范围内的相位差。
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5.发明申请Mask and Manufacturing Method of a Semiconductor Device and a Thin Film Transistor Array Panel Using the Mask 有权使用掩模的半导体器件和薄膜晶体管阵列面板的掩模和制造方法公开(公告)号：US20090053863A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：US12258228
申请日：2008-10-24
申请人： Jong-An KIM , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
发明人： Jong-An KIM , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/14689 , H01L51/56
摘要： An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.
摘要翻译： 提供曝光掩模，其包括：阻挡入射光的遮光不透明区域; 半透明的区域; 以及通过大部分入射光的透明区域，其中半透明区域产生在-70°至约+ 70°范围内的相位差。
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6.发明授权Mask and manufacturing method of a semiconductor device and a thin film transistor array panel using the mask 有权使用该掩模的半导体器件和薄膜晶体管阵列面板的掩模和制造方法公开(公告)号：US07449352B2
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：US11300761
申请日：2005-12-14
申请人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
发明人： Jong-An Kim , Ji-Haeng Han , Young-Bae Jung , Bae-Hyoun Jung
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/14689 , H01L51/56
摘要： An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.
摘要翻译： 提供曝光掩模，其包括：阻挡入射光的遮光不透明区域; 半透明的区域; 以及通过大部分入射光的透明区域，其中半透明区域产生在-70°至约+ 70°范围内的相位差。
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