公开(公告)号：US20060014384A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11140552

申请日：2005-05-27

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a first reactant is provided onto the substrate. The first reactant is partially chemisorbed on the substrate. A second reactant is introduced into the chamber to form a preliminary layer on the substrate by chemically reacting the second reactant with the chemisorbed first reactant. Impurities in the preliminary layer and unreacted reactants are simultaneously removed using a plasma for removing impurities to thereby form the layer on the substrate. The impurities in the layer may be effectively removed so that the layer may have reduced leakage current.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装入腔室之后，在衬底上提供第一反应物。 第一反应物被部分化学吸附在基材上。 将第二反应物引入室中以通过使第二反应物与化学吸附的第一反应物发生化学反应在衬底上形成预备层。 使用用于除去杂质的等离子体同时除去预备层中的杂质和未反应的反应物，从而在基板上形成层。 可以有效地去除层中的杂质，使得该层可能具有减小的漏电流。

公开(公告)号：US20060063346A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11149708

申请日：2005-06-10

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装载到室中之后，将反应物提供到衬底上以形成预备层。 使用由诸如氩气，氙气或氪气等惰性气体形成的等离子体或氧气，氮气或一氧化二氮等惰性气体，从预备层中部分除去原料中的原子 气体形成所需层。 可以简化用于形成所需层的工艺。 可以经济地制造具有提高的可靠性的高度集成的半导体器件，从而可以减少制造半导体器件所需的时间和成本。

公开(公告)号：US07648874B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11339416

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/586 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a first dielectric layer is formed on a substrate by using a metal oxide doped with silicon, the substrate is placed on a susceptor of a chamber. By treating the first dielectric layer with a plasma in controlling a voltage difference between the susceptor and a ground, a second dielectric layer is formed on the first dielectric layer. The second dielectric layer including a metal oxynitride doped with silicon having enough content of nitrogen is formed on the first dielectric layer. Therefore, dielectric properties of the dielectric structure comprising the first and the second dielectric layers can be improved and a leakage current can be greatly decreased. By adapting the dielectric structure to a gate insulation layer and/or to a dielectric layer of a capacitor or of a non-volatile semiconductor memory device, capacitances and electrical properties can be improved.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在通过使用掺杂有硅的金属氧化物在基板上形成第一介电层之后，将基板放置在室的基座上。 通过在控制基座和接地之间的电压差的同时用等离子体处理第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层。 在第一电介质层上形成包括掺杂有足够的氮含量的硅的金属氮氧化物的第二电介质层。 因此，可以提高包括第一和第二电介质层的电介质结构的介电性能，并且可以大大降低泄漏电流。 通过使电介质结构适应于栅极绝缘层和/或电容器或非易失性半导体存储器件的电介质层，可以提高电容和电性能。

公开(公告)号：US20060166476A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11339416

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/586 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a first dielectric layer is formed on a substrate by using a metal oxide doped with silicon, the substrate is placed on a susceptor of a chamber. By treating the first dielectric layer with a plasma in controlling a voltage difference between the susceptor and a ground, a second dielectric layer is formed on the first dielectric layer. The second dielectric layer including a metal oxynitride doped with silicon having enough content of nitrogen is formed on the first dielectric layer. Therefore, dielectric properties of the dielectric structure comprising the first and the second dielectric layers can be improved and a leakage current can be greatly decreased. By adapting the dielectric structure to a gate insulation layer and/or to a dielectric layer of a capacitor or of a non-volatile semiconductor memory device, capacitances and electrical properties can be improved.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在通过使用掺杂有硅的金属氧化物在基板上形成第一介电层之后，将基板放置在室的基座上。 通过在控制基座和接地之间的电压差的同时用等离子体处理第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层。 在第一电介质层上形成包括掺杂有足够的氮含量的硅的金属氮氧化物的第二电介质层。 因此，可以提高包括第一和第二电介质层的电介质结构的介电性能，并且可以大大降低泄漏电流。 通过使电介质结构适应于栅极绝缘层和/或电容器或非易失性半导体存储器件的电介质层，可以提高电容和电性能。

公开(公告)号：US07482677B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11339086

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a tunnel oxide layer pattern is formed on a substrate, a floating gate is formed on the tunnel oxide layer. After a first dielectric layer pattern including a metal silicon oxide and a second dielectric layer pattern including a metal silicon oxynitride are formed, a control gate is formed on the dielectric structure. Since the dielectric structure includes at least one metal silicon oxide layer and at least one metal silicon oxynitride layer, the dielectric structure may have a high dielectric constant and a good thermal resistance. A non-volatile semiconductor memory device including the dielectric structure may have good electrical characteristics such as a large capacitance and a low leakage current.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在衬底上形成隧道氧化物层图案之后，在隧道氧化物层上形成浮栅。 在形成包括金属氧化硅和包括金属氮氧化硅的第二电介质层图案的第一电介质层图案之后，在电介质结构上形成控制栅极。 由于介电结构包括至少一个金属氧化硅层和至少一个金属氮氧化硅层，所以介电结构可以具有高介电常数和良好的耐热性。 包括电介质结构的非易失性半导体存储器件可能具有良好的电特性，例如大电容和低漏电流。

公开(公告)号：US20060244147A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11339086

申请日：2006-01-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo ,  Ha-Jin Lim ,  Yun-Seok Kim

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521

摘要： In a method of manufacturing a dielectric structure, after a tunnel oxide layer pattern is formed on a substrate, a floating gate is formed on the tunnel oxide layer. After a first dielectric layer pattern including a metal silicon oxide and a second dielectric layer pattern including a metal silicon oxynitride are formed, a control gate is formed on the dielectric structure. Since the dielectric structure includes at least one metal silicon oxide layer and at least one metal silicon oxynitride layer, the dielectric structure may have a high dielectric constant and a good thermal resistance. A non-volatile semiconductor memory device including the dielectric structure may have good electrical characteristics such as a large capacitance and a low leakage current.

摘要翻译： 在制造电介质结构的方法中，在衬底上形成隧道氧化物层图案之后，在隧道氧化物层上形成浮栅。 在形成包括金属氧化硅和包括金属氮氧化硅的第二电介质层图案的第一电介质层图案之后，在电介质结构上形成控制栅极。 由于介电结构包括至少一个金属氧化硅层和至少一个金属氮氧化硅层，所以介电结构可以具有高介电常数和良好的耐热性。 包括电介质结构的非易失性半导体存储器件可能具有良好的电特性，例如大电容和低漏电流。

公开(公告)号：US20050081787A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10951937

申请日：2004-09-28

申请人： Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  In-Sung Park ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  In-Sung Park ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544

摘要： Methods of supplying a source to a reactor include charging a gaseous source into a charging volume by selectively activating a source charger coupled between the charging volume and a source reservoir. The gaseous source is then supplied from the charging volume into a deposition process reactor by selectively activating a source supplier coupled between the charging volume and the reactor after the gaseous source in the charging volume attains a desired internal pressure. Apparatus for supplying a source and methods and apparatus for depositing an atomic layer are also provided.

摘要翻译： 向反应器供应源的方法包括通过选择性地启动耦合在充电容积和源储存器之间的源极充电器将气态源充电到充电容积中。 然后，在充电容积中的气体源达到期望的内部压力之后，通过选择性地启动耦合在充电容积和反应器之间的源供应器，将气态源从充电容积供应到沉积工艺反应器中。 还提供了用于提供源的装置和用于沉积原子层的方法和装置。

公开(公告)号：US07442981B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11316487

申请日：2005-12-21

申请人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

发明人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： Provided is a capacitor of a semiconductor device and a method of fabricating the same. In one embodiment, the capacitor includes a lower electrode formed on a semiconductor substrate; a dielectric layer formed on the lower electrode; and an upper electrode that is formed on the dielectric layer. The upper electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer stacked sequentially. The first conductive layer comprises a metal layer, a conductive metal oxide layer, a conductive metal nitride layer, or a conductive metal oxynitride layer. The second conductive layer comprises a doped polysilicon germanium layer. The third conductive layer comprises a material having a lower resistance than that of the second conductive layer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的电容器及其制造方法。 在一个实施例中，电容器包括形成在半导体衬底上的下电极; 形成在下电极上的电介质层; 以及形成在电介质层上的上电极。 上电极包括依次堆叠的第一导电层，第二导电层和第三导电层。 第一导电层包括金属层，导电金属氧化物层，导电金属氮化物层或导电金属氮氧化物层。 第二导电层包括掺杂多晶硅锗层。 第三导电层包括具有比第二导电层的电阻低的电阻的材料。

公开(公告)号：US20060186452A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11316487

申请日：2005-12-21

申请人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

发明人： Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Jong-Cheol Lee ,  Jin-Tae Noh ,  Jae-Young Ahn ,  Young-Geun Park ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Hyun Yeo

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： Provided is a capacitor of a semiconductor device and a method of fabricating the same. In one embodiment, the capacitor includes a lower electrode formed on a semiconductor substrate; a dielectric layer formed on the lower electrode; and an upper electrode that is formed on the dielectric layer. The upper electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer stacked sequentially. The first conductive layer comprises a metal layer, a conductive metal oxide layer, a conductive metal nitride layer, or a conductive metal oxynitride layer. The second conductive layer comprises a doped polysilicon germanium layer. The third conductive layer comprises a material having a lower resistance than that of the second conductive layer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的电容器及其制造方法。 在一个实施例中，电容器包括形成在半导体衬底上的下电极; 形成在下电极上的电介质层; 以及形成在电介质层上的上电极。 上电极包括依次堆叠的第一导电层，第二导电层和第三导电层。 第一导电层包括金属层，导电金属氧化物层，导电金属氮化物层或导电金属氮氧化物层。 第二导电层包括掺杂多晶硅锗层。 第三导电层包括具有比第二导电层的电阻低的电阻的材料。

公开(公告)号：US20060138523A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11311143

申请日：2005-12-20

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： Example embodiments of the present invention disclose a non-volatile semiconductor memory device, which may include a dielectric layer having an enhanced dielectric constant. A tunnel oxide layer pattern and a floating gate may be sequentially formed on a substrate. A dielectric layer pattern including metal oxide doped with Group III transition metals may be formed on the floating gate using a pulsed laser deposition process. The dielectric layer pattern having an increased dielectric constant may be formed of metal oxide doped with a transition metal such as scandium, yttrium, or lanthanum.

摘要翻译： 本发明的示例实施例公开了一种非易失性半导体存储器件，其可以包括具有增强介电常数的介电层。 可以在衬底上依次形成隧道氧化物层图案和浮栅。 可以使用脉冲激光沉积工艺在浮栅上形成包括掺杂有III族过渡金属的金属氧化物的电介质层图案。 具有增加的介电常数的电介质层图案可以由掺杂有过渡金属如钪，钇或镧的金属氧化物形成。