公开(公告)号：US07514315B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11733970

申请日：2007-04-11

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Jin-Il Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Jin-Il Lee

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/75 ,  H01L28/90

摘要： A multilayer electrode structure has a conductive layer including aluminum, an oxide layer formed on the conductive layer, and an oxygen diffusion barrier layer. The oxide layer includes zirconium oxide and/or titanium oxide. The oxygen diffusion barrier layer is formed at an interface between the conductive layer and the oxide layer by re-oxidizing the oxide layer. The oxygen diffusion barrier layer includes aluminum oxide.

摘要翻译： 多层电极结构具有包括铝的导电层，形成在导电层上的氧化物层和氧扩散阻挡层。 氧化物层包括氧化锆和/或氧化钛。 通过再氧化氧化层，在导电层和氧化物层之间的界面处形成氧扩散阻挡层。 氧扩散阻挡层包括氧化铝。

公开(公告)号：US20090195962A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12392360

申请日：2009-02-25

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Jin-Il Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Jin-Il Lee

IPC分类号： H01G4/008

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/75 ,  H01L28/90

摘要： A multilayer electrode structure has a conductive layer including aluminum, an oxide layer formed on the conductive layer, and an oxygen diffusion barrier layer. The oxide layer includes zirconium oxide and/or titanium oxide. The oxygen diffusion barrier layer is formed at an interface between the conductive layer and the oxide layer by re-oxidizing the oxide layer. The oxygen diffusion barrier layer includes aluminum oxide.

摘要翻译： 多层电极结构具有包括铝的导电层，形成在导电层上的氧化物层和氧扩散阻挡层。 氧化物层包括氧化锆和/或氧化钛。 通过再氧化氧化层，在导电层和氧化物层之间的界面处形成氧扩散阻挡层。 氧扩散阻挡层包括氧化铝。

公开(公告)号：US20070257370A1

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：US11733970

申请日：2007-04-11

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Jin-Il Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Jin-Il Lee

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/75 ,  H01L28/90

摘要： A multilayer electrode structure has a conductive layer including aluminum, an oxide layer formed on the conductive layer, and an oxygen diffusion barrier layer. The oxide layer includes zirconium oxide and/or titanium oxide. The oxygen diffusion barrier layer is formed at an interface between the conductive layer and the oxide layer by re-oxidizing the oxide layer. The oxygen diffusion barrier layer includes aluminum oxide.

摘要翻译： 多层电极结构具有包括铝的导电层，形成在导电层上的氧化物层和氧扩散阻挡层。 氧化物层包括氧化锆和/或氧化钛。 通过再氧化氧化层，在导电层和氧化物层之间的界面处形成氧扩散阻挡层。 氧扩散阻挡层包括氧化铝。

公开(公告)号：US20070032013A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11462405

申请日：2006-08-04

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Young-Geun Park ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Young-Sun Kim

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Young-Geun Park ,  Ki-Vin Im ,  Jae-Hyun Yeo ,  Eun-Ae Chung ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/02189 ,  C23C16/405 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides methods of forming a metal oxide layer and methods of forming a capacitor including the same. The methods of forming the metal oxide include forming a thin layer including a metal oxide, such as zirconium oxide, on a substrate and performing a post-treatment on the thin layer at a temperature at which oxygen present in the metal oxide is hindered from being diffused in the thin layer. Consequently, reduced amounts of byproducts are present on the boundary surface of the thin layer and the substrate thereby improving electrical characteristics of the thin layer.

摘要翻译： 本发明提供了形成金属氧化物层的方法和形成包括该金属氧化物层的电容器的方法。 形成金属氧化物的方法包括在衬底上形成包含氧化锆等金属氧化物的薄层，并在金属氧化物中存在的氧被阻碍的温度下在薄层上进行后处理 扩散在薄层。 因此，在薄层和基板的边界表面上存在减少量的副产物，从而改善薄层的电特性。

公开(公告)号：US20090258470A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12423249

申请日：2009-04-14

申请人： Jae-Hyoung Choi ,  Jin-Hyuk Choi ,  Cha-Young Yoo ,  Kyu-Ho Cho ,  Wan-Don Kim ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yong-Suk Tak

发明人： Jae-Hyoung Choi ,  Jin-Hyuk Choi ,  Cha-Young Yoo ,  Kyu-Ho Cho ,  Wan-Don Kim ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yong-Suk Tak

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28202 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/318 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/517

摘要： Methods of manufacturing a semiconductor device include forming an absorption layer on a surface of a substrate by exposing the surface of the substrate to a first reaction gas at a first temperature. A metal oxide layer is then formed on the surface of the substrate by exposing the absorption layer to a second reaction gas at a second temperature. The first reaction gas may include a precursor containing zirconium (e.g., tetrakis(ethylmethylamino)zirconium) and the second reaction gas may include an oxidizing agent.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括通过在第一温度下将衬底的表面暴露于第一反应气体来在衬底的表面上形成吸收层。 然后通过在第二温度下将吸收层暴露于第二反应气体，在衬底的表面上形成金属氧化物层。 第一反应气体可以包括含锆的前体（例如四（乙基甲基氨基）锆）），第二反应气体可以包括氧化剂。

公开(公告)号：US08481398B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12659548

申请日：2010-03-12

申请人： Seung-Sik Chung ,  Jung-Hee Chung ,  Young-Jin Kim ,  Seok-Woo Nam ,  Han-Jin Lim ,  Kyoung-Ryul Yoon

发明人： Seung-Sik Chung ,  Jung-Hee Chung ,  Young-Jin Kim ,  Seok-Woo Nam ,  Han-Jin Lim ,  Kyoung-Ryul Yoon

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a lower electrode layer on a substrate, forming a surface oxide layer on the lower electrode layer, partially removing the lower electrode layer to form a lower electrode, removing the surface oxide layer to expose the lower electrode, forming a capacitor dielectric layer on the lower electrode, and forming an upper electrode on the capacitor dielectric layer.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在衬底上形成下电极层，在下电极层上形成表面氧化层，部分地去除下电极层以形成下电极，去除表面氧化层以暴露下电极 在下电极上形成电容器电介质层，并在电容器介电层上形成上电极。

公开(公告)号：US20100240191A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12659548

申请日：2010-03-12

申请人： Seung-Sik Chung ,  Jung-Hee Chung ,  Young-Jin Kim ,  Seok-Woo Nam ,  Han-Jin Lim ,  Kyoung-Ryul Yoon

发明人： Seung-Sik Chung ,  Jung-Hee Chung ,  Young-Jin Kim ,  Seok-Woo Nam ,  Han-Jin Lim ,  Kyoung-Ryul Yoon

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a lower electrode layer on a substrate, forming a surface oxide layer on the lower electrode layer, partially removing the lower electrode layer to form a lower electrode, removing the surface oxide layer to expose the lower electrode, forming a capacitor dielectric layer on the lower electrode, and forming an upper electrode on the capacitor dielectric layer.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在衬底上形成下电极层，在下电极层上形成表面氧化层，部分地去除下电极层以形成下电极，去除表面氧化层以暴露下电极 在下电极上形成电容器电介质层，并在电容器介电层上形成上电极。

公开(公告)号：US20050170601A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US20090250741A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12457364

申请日：2009-06-09

申请人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A semiconductor device and/or gate structure having a composite dielectric layer and methods of manufacturing the same is provided. In the semiconductor device, gate structure, and methods provided, a first conductive layer may be formed on a substrate. A native oxide layer formed on the first conductive layer may be removed. A surface of the first conductive layer may be nitrided so that the surface may be altered into a nitride layer. A composite dielectric layer including the first and/or second dielectric layers may be formed on the nitride layer. A second conductive layer may be formed on the composite dielectric layer. The first dielectric layer may include a material having a higher dielectric constant. The second dielectric layer may be capable of suppressing crystallization of the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了具有复合电介质层的半导体器件和/或栅极结构及其制造方法。 在半导体器件中，提供栅极结构和方法，可以在衬底上形成第一导电层。 可以除去形成在第一导电层上的自然氧化物层。 第一导电层的表面可以被氮化，使得表面可以改变为氮化物层。 可以在氮化物层上形成包括第一和/或第二电介质层的复合电介质层。 可以在复合介电层上形成第二导电层。 第一电介质层可以包括具有较高介电常数的材料。 第二电介质层可以抑制第一电介质层的结晶化。

公开(公告)号：US20060220106A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11375762

申请日：2006-03-15

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/513

摘要： In a gate structure of a non-volatile memory device is formed, a tunnel insulating layer and a charge trapping layer are formed on a substrate. A composite dielectric layer is formed on the charge trapping layer and has a laminate structure in which first material layers including aluminum oxide and second material layers including hafnium oxide or zirconium oxide are alternately stacked. A conductive layer is formed on the composite dielectric layer and then a gate structure is formed by patterning the conductive layer, the composite dielectric layer, the charge trapping layer, and the tunnel insulating layer.

摘要翻译： 在形成非易失性存储器件的栅极结构中，在衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层。 在电荷捕获层上形成复合电介质层，并且具有层叠结构，其中包括氧化铝的第一材料层和包括氧化铪或氧化锆的第二材料层交替堆叠。 在复合电介质层上形成导电层，然后通过图案化导电层，复合介电层，电荷俘获层和隧道绝缘层形成栅极结构。