公开(公告)号：US08258064B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12909947

申请日：2010-10-22

申请人： Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Se-hoon Oh ,  Youn-soo Kim

发明人： Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Se-hoon Oh ,  Youn-soo Kim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

摘要： Methods of forming a metal silicate layer and methods of fabricating a semiconductor device including the metal silicate layer are provided, the methods of forming the metal silicate layer include forming the metal silicate using a plurality of silicon precursors. The silicon precursors are homoleptic silicon precursors in which ligands bound to silicon have the same molecular structure.

摘要翻译： 提供形成金属硅酸盐层的方法和制造包括金属硅酸盐层的半导体器件的方法，形成金属硅酸盐层的方法包括使用多个硅前体形成金属硅酸盐。 硅前体是其中与硅结合的配体具有相同分子结构的均质硅前体。

公开(公告)号：US08357593B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12688044

申请日：2010-01-15

申请人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

发明人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67034

摘要： Provided are methods of removing water adsorbed or bonded to a surface of a semiconductor substrate, and methods of depositing an atomic layer using the method of removing water described herein. The method of removing water includes applying a chemical solvent to the surface of a semiconductor substrate, and removing the chemical solvent from the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了除去吸附或结合到半导体衬底的表面的水的方法，以及使用本文所述除去水的方法沉积原子层的方法。 除去水的方法包括向半导体衬底的表面施加化学溶剂，并从半导体衬底的表面除去化学溶剂。

公开(公告)号：US20100190320A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12688044

申请日：2010-01-15

申请人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

发明人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L21/30 ,  B08B3/00

CPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67034

摘要： Provided are methods of removing water adsorbed or bonded to a surface of a semiconductor substrate, and methods of depositing an atomic layer using the method of removing water described herein. The method of removing water includes applying a chemical solvent to the surface of a semiconductor substrate, and removing the chemical solvent from the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了除去吸附或结合到半导体衬底的表面的水的方法，以及使用本文所述除去水的方法沉积原子层的方法。 除去水的方法包括向半导体衬底的表面施加化学溶剂，并从半导体衬底的表面除去化学溶剂。

公开(公告)号：US08723250B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13042871

申请日：2011-03-08

申请人： Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Chun-hyung Chung ,  Cha-young Yoo

发明人： Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Chun-hyung Chung ,  Cha-young Yoo

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/10808 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： An electronic device includes a lower layer, a complex dielectric layer on the lower layer, and an upper layer on the complex dielectric layer. The complex dielectric layer includes an amorphous metal silicate layer and a crystalline metal-based insulating layer thereon. Related fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 电子器件包括下层，下层上的复合电介质层和复合介电层上的上层。 复合电介质层包括无定形金属硅酸盐层和结晶金属基绝缘层。 还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：US08710564B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13418472

申请日：2012-03-13

申请人： Jong-cheol Lee ,  Jun-noh Lee ,  Ki-vin Im ,  Ki-yeon Park ,  Sung-hae Lee ,  Sang-yeol Kang

发明人： Jong-cheol Lee ,  Jun-noh Lee ,  Ki-vin Im ,  Ki-yeon Park ,  Sung-hae Lee ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L29/513

摘要： Provided is a semiconductor device including an insulating layer of a cubic system or a tetragonal system, having good electrical characteristics. The semiconductor device includes a semiconductor substrate including an active region, a transistor that is formed in the active region of the semiconductor substrate, an interlevel insulating layer that is formed on the semiconductor substrate and a contact plug that is formed in the interlevel insulating layer and that is electrically connected to the transistor. The semiconductor device may include a lower electrode that is formed on the interlevel insulating layer and that is electrically connected to the contact plug, an upper electrode that is formed on the lower electrode and an insulating layer of a cubic system or a tetragonal system including a metal silicate layer. The insulating layer may be formed between the lower electrode and the upper electrode.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件，其具有立方晶系或四方晶系的绝缘层，具有良好的电特性。 半导体器件包括：半导体衬底，包括有源区，形成在半导体衬底的有源区中的晶体管，形成在半导体衬底上的层间绝缘层和形成在层间绝缘层中的接触插塞;以及 其电连接到晶体管。 半导体器件可以包括形成在层间绝缘层上并且与电性连接的接触插塞的下电极，形成在下电极上的上电极和立方体系的绝缘层或包括 金属硅酸盐层。 绝缘层可以形成在下电极和上电极之间。

公开(公告)号：US07422943B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US11386660

申请日：2006-03-22

申请人： Jong-cheol Lee ,  Young-sun Kim ,  Jung-hee Chung ,  Jae-hyoung Choi ,  Se-hoon Oh ,  Hong-bum Park

发明人： Jong-cheol Lee ,  Young-sun Kim ,  Jung-hee Chung ,  Jae-hyoung Choi ,  Se-hoon Oh ,  Hong-bum Park

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

摘要： Capacitors having upper electrodes that include a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode that includes a conductive metal nitride layer and a doped polysilicon germanium layer are provided. At least part of the conductive metal nitride layer is oxidized and/or at least part of the dielectric layer is nitridized.

摘要翻译： 提供具有包括下电极，电介质层和包括导电金属氮化物层和掺杂多晶硅锗层的上电极的上电极的电容器。 导电金属氮化物层的至少一部分被氧化和/或至少部分介电层被氮化。

公开(公告)号：US07442604B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11376384

申请日：2006-03-15

申请人： Jae-Hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Se-hoon Oh ,  Jong-cheol Lee

发明人： Jae-Hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Se-hoon Oh ,  Jong-cheol Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56

摘要： Provided are methods of manufacturing dielectric films including forming a first dielectric film on a wafer using atomic layer deposition (ALD) in a first batch type apparatus, forming a second dielectric film on the first dielectric film using atomic layer deposition in a second batch type apparatus, wherein the second dielectric film has a higher crystallization temperature than the first dielectric film and forming a third dielectric film on the second dielectric film using atomic layer deposition in a third batch type apparatus. Methods of manufacturing metal-insulator-metal (MIM) capacitors using the methods of forming the dielectric films and batch type atomic layer deposition apparatus for forming the dielectric films are also provided.

摘要翻译： 提供了制造电介质膜的方法，包括在第一批式装置中使用原子层沉积（ALD）在晶片上形成第一电介质膜，在第二批式装置中使用原子层沉积在第一电介质膜上形成第二电介质膜 其中所述第二电介质膜具有比所述第一电介质膜更高的结晶温度，并且在第三批式装置中使用原子层沉积在所述第二电介质膜上形成第三电介质膜。 还提供了使用形成电介质膜的方法制造金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的方法和用于形成电介质膜的分批型原子层沉积装置。

公开(公告)号：US20070040203A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11386660

申请日：2006-03-22

申请人： Jong-cheol Lee ,  Young-sun Kim ,  Jung-hee Chung ,  Jae-hyoung Choi ,  Se-hoon Oh ,  Hong-bum Park

发明人： Jong-cheol Lee ,  Young-sun Kim ,  Jung-hee Chung ,  Jae-hyoung Choi ,  Se-hoon Oh ,  Hong-bum Park

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

摘要： Capacitors having upper electrodes that include a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode that includes a conductive metal nitride layer and a doped polysilicon germanium layer are provided. At least part of the conductive metal nitride layer is oxidized and/or at least part of the dielectric layer is nitridized.

摘要翻译： 提供具有包括下电极，电介质层和包括导电金属氮化物层和掺杂多晶硅锗层的上电极的上电极的电容器。 导电金属氮化物层的至少一部分被氧化和/或至少部分介电层被氮化。

公开(公告)号：US20090085160A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12238822

申请日：2008-09-26

申请人： Jong-cheol Lee ,  Jun-noh Lee ,  Ki-vin Im ,  Ki-yeon Park ,  Sung-hae Lee ,  Sang-yeol Kang

发明人： Jong-cheol Lee ,  Jun-noh Lee ,  Ki-vin Im ,  Ki-yeon Park ,  Sung-hae Lee ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L29/513

摘要： Provided is a semiconductor device including an insulating layer of a cubic system or a tetragonal system, having good electrical characteristics. The semiconductor device includes a semiconductor substrate including an active region, a transistor that is formed in the active region of the semiconductor substrate, an interlevel insulating layer that is formed on the semiconductor substrate and a contact plug that is formed in the interlevel insulating layer and that is electrically connected to the transistor. The semiconductor device may include a lower electrode that is formed on the interlevel insulating layer and that is electrically connected to the contact plug, an upper electrode that is formed on the lower electrode and an insulating layer of a cubic system or a tetragonal system including a metal silicate layer. The insulating layer may be formed between the lower electrode and the upper electrode.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件，其具有立方晶系或四方晶系的绝缘层，具有良好的电特性。 半导体器件包括：半导体衬底，包括有源区，形成在半导体衬底的有源区中的晶体管，形成在半导体衬底上的层间绝缘层和形成在层间绝缘层中的接触插塞;以及 其电连接到晶体管。 半导体器件可以包括形成在层间绝缘层上并且与电性连接的接触插塞的下电极，形成在下电极上的上电极和立方体系的绝缘层或包括 金属硅酸盐层。 绝缘层可以形成在下电极和上电极之间。

公开(公告)号：US20090309187A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12544500

申请日：2009-08-20

申请人： Jae-hyoung Choi ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Kyoung-ryul Yoon ,  Ki-vin Im ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh ,  Se-hwi Cho

发明人： Jae-hyoung Choi ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Kyoung-ryul Yoon ,  Ki-vin Im ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh ,  Se-hwi Cho

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01G4/06

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： Provided is a semiconductor device including a multi-layer dielectric structure and a method of fabricating the semiconductor device. According to one example embodiment, the semiconductor device includes a capacitor comprising: first and second electrodes facing each other; at least one first dielectric layer that is disposed between the first and second electrodes, the at least one first dielectric layer comprising a first high-k dielectric layer doped with silicon; and at least one second dielectric layer that is disposed between the at least one first dielectric layer and any of the first and second electrodes, the at least one second dielectric layer having a higher crystallization temperature than that of the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了包括多层电介质结构的半导体器件和制造该半导体器件的方法。 根据一个示例性实施例，半导体器件包括电容器，包括：彼此面对的第一和第二电极; 设置在所述第一和第二电极之间的至少一个第一介电层，所述至少一个第一介电层包括掺杂有硅的第一高k电介质层; 以及设置在所述至少一个第一介电层和所述第一和第二电极中的任一个之间的至少一个第二电介质层，所述至少一个第二电介质层具有比所述第一介电层的结晶温度更高的结晶温度。