公开(公告)号：US07087324B2

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US10664066

申请日：2003-09-16

申请人： Jongill Hong ,  Hitoshi Kanai ,  Junichi Kane ,  Kenji Noma

发明人： Jongill Hong ,  Hitoshi Kanai ,  Junichi Kane ,  Kenji Noma

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F41/325 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1164 ,  Y10T428/1193

摘要： A magnetoresistive spin-valve sensor is constructed to include a magnetic layer, a specular layer made of a metal oxide, a back layer made of Au, Cu, AuCu, AgCu, AuAgCu or an alloy thereof and interposed between the magnetic layer and the specular layer, and a metal layer disposed adjacent to the specular layer, opposite to the back layer, and made of a metal which improves GMR performance of the magnetoresistive spin-valve sensor.

摘要翻译： 磁阻自旋阀传感器被构造为包括磁性层，由金属氧化物制成的镜面层，由Au，Cu，AuCu，AgCu，AuAgCu或其合金制成的背层，并且介于磁性层和镜面 并且与背层相对设置的与镜面层相邻的金属层，并且由改善磁阻自旋阀传感器的GMR性能的金属制成。

公开(公告)号：US20050276996A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10664066

申请日：2003-09-16

申请人： Jongill Hong ,  Hitoshi Kanai ,  Junichi Kane ,  Kenji Noma

发明人： Jongill Hong ,  Hitoshi Kanai ,  Junichi Kane ,  Kenji Noma

IPC分类号： B32B9/00 ,  G01R33/09 ,  G11B5/33 ,  G11B5/39 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F41/325 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1164 ,  Y10T428/1193

摘要： A magnetoresistive spin-valve sensor is constructed to include a magnetic layer, a specular layer made of a metal oxide, a back layer made of Au, Cu, AuCu, AgCu, AuAgCu or an alloy thereof and interposed between the magnetic layer and the specular layer, and a metal layer disposed adjacent to the specular layer, opposite to the back layer, and made of a metal which improves GMR performance of the magnetoresistive spin-valve sensor.

摘要翻译： 磁阻自旋阀传感器被构造为包括磁性层，由金属氧化物制成的镜面层，由Au，Cu，AuCu，AgCu，AuAgCu或其合金制成的背层，并且介于磁性层和镜面 并且与背层相对设置的与镜面层相邻的金属层，并且由改善磁阻自旋阀传感器的GMR性能的金属制成。

公开(公告)号：US20050052793A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10923599

申请日：2004-08-20

申请人： Jongill Hong ,  Hitoshi Kanai

发明人： Jongill Hong ,  Hitoshi Kanai

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/39 ,  H01F10/13 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetoresistive spin-valve sensor includes a first layer made of a magnetic material, a second layer made of a magnetic or nonmagnetic material and disposed on the first layer, and a third layer made of a magnetic material and disposed on the second layer, where the first, second and third layers form a free layer having a multi-layer structure.

摘要翻译： 磁阻自旋阀传感器包括由磁性材料制成的第一层，由磁性或非磁性材料制成并设置在第一层上的第二层和由磁性材料制成并设置在第二层上的第三层，其中 第一，第二和第三层形成具有多层结构的自由层。

公开(公告)号：US20100270710A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12809681

申请日：2008-12-22

申请人： Shinill Kang ,  Jongill Hong

发明人： Shinill Kang ,  Jongill Hong

IPC分类号： B29C59/16

CPC分类号： G11B5/855

摘要： The present invention relates to a method for fabricating a magnetic pattern and a method for manufacturing a patterned media through fabrication of the magnetic pattern. The method for fabricating the magnetic pattern according to an embodiment of the present invention comprises the steps of (a) coating a pattern forming layer for fabricating a magnetic pattern on a substrate; (b) forming a mask layer that has a designed opening pattern with a nano imprinting process using a stamp that has a nanostructure pattern on the pattern forming layer; and (c) converting an area of the pattern forming layer that corresponds to the predetermined opening pattern into a magnetic area by irradiating a predetermined hydrogen ion beam onto the mask layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造磁性图案的方法和通过制造磁图案来制造图案化介质的方法。 根据本发明的实施例的制造磁图案的方法包括以下步骤：（a）在基板上涂布用于制造磁图案的图案形成层; （b）使用在图案形成层上具有纳米结构图案的印模，以纳米压印工艺形成具有设计的开口图案的掩模层; 和（c）通过将预定的氢离子束照射到掩模层上将与预定开口图案相对应的图案形成层的区域转换成磁区。

公开(公告)号：US08504148B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13055670

申请日：2010-10-08

申请人： Donghyun Kim ,  Jongill Hong ,  Gunhee Han ,  Taewook Kim ,  Heonjin Choi ,  Seunghan Park ,  Seongyeol Pyo ,  Sooho Bae ,  Han Chung

发明人： Donghyun Kim ,  Jongill Hong ,  Gunhee Han ,  Taewook Kim ,  Heonjin Choi ,  Seunghan Park ,  Seongyeol Pyo ,  Sooho Bae ,  Han Chung

IPC分类号： A61N1/375

CPC分类号： A61N1/37205 ,  A61B5/04001 ,  A61B2562/0285 ,  A61N1/0551 ,  A61N1/3605 ,  B82Y5/00

摘要： Provided is a neural device including at least one nano-wire. The neural device includes a nano-wire formed on a base formed on a first surface of a substrate, and an electrode pad formed on a second surface different from the first surface of the substrate and configured to output an electrical signal gained from a neural fiber through the nano-wire or apply a signal for an electric stimulus to the nano-wire. Therefore, it is possible to prevent the nano-wire from becoming embedded in an encapsulation and maximize a contact between the nano-wire and a nerve.

摘要翻译： 提供了包括至少一个纳米线的神经元装置。 神经元装置包括形成在基板的第一表面上的基底上的纳米线，以及形成在与基板的第一表面不同的第二表面上的电极焊盘，其被配置为输出从神经纤维获得的电信号 通过纳米线或向纳米线施加电刺激信号。 因此，可以防止纳米线嵌入到封装中并使纳米线与神经之间的接触最大化。

公开(公告)号：US20120130459A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13055670

申请日：2010-10-08

申请人： Donghyun Kim ,  Jongill Hong ,  Gunhee Han ,  Taewook Kim ,  Heonjin Choi ,  Seunghan Park ,  Seongyeol Pyo ,  Sooho Bae ,  Han Chung

发明人： Donghyun Kim ,  Jongill Hong ,  Gunhee Han ,  Taewook Kim ,  Heonjin Choi ,  Seunghan Park ,  Seongyeol Pyo ,  Sooho Bae ,  Han Chung

IPC分类号： A61N1/05

CPC分类号： A61N1/37205 ,  A61B5/04001 ,  A61B2562/0285 ,  A61N1/0551 ,  A61N1/3605 ,  B82Y5/00

摘要： Provided is a neural device including at least one nano-wire. The neural device includes a nano-wire formed on a base formed on a first surface of a substrate, and an electrode pad formed on a second surface different from the first surface of the substrate and configured to output an electrical signal gained from a neural fiber through the nano-wire or apply a signal for an electric stimulus to the nano-wire. Therefore, it is possible to prevent the nano-wire from becoming embedded in an encapsulation and maximize a contact between the nano-wire and a nerve.

摘要翻译： 提供了包括至少一个纳米线的神经元装置。 神经元装置包括形成在基板的第一表面上的基底上的纳米线，以及形成在与基板的第一表面不同的第二表面上的电极焊盘，其被配置为输出从神经纤维获得的电信号 通过纳米线或向纳米线施加电刺激信号。 因此，可以防止纳米线嵌入到封装中并使纳米线与神经之间的接触最大化。

公开(公告)号：US20080231999A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11952278

申请日：2007-12-07

申请人： Eun-sik Kim ,  Kook-hyun Sunwoo ,  Jongill Hong ,  In-jun Hwang ,  Hyoung-joon Choi

发明人： Eun-sik Kim ,  Kook-hyun Sunwoo ,  Jongill Hong ,  In-jun Hwang ,  Hyoung-joon Choi

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/10

摘要： A tunneling magnetoresistive device and a magnetic head including the tunneling magnetoresistive device are provided. The tunneling magnetoresistive device includes a pinned layer and a free layer formed on either side of a tunneling barrier layer, wherein the tunneling barrier layer includes Te—O.

摘要翻译： 提供隧道磁阻器件和包括隧道磁阻器件的磁头。 隧道磁阻器件包括钉扎层和形成在隧道势垒层的任一侧上的自由层，其中隧道势垒层包括Te-O。