公开(公告)号：US07919226B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12222645

申请日：2008-08-13

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  C07C309/06

CPC分类号： C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07D307/64 ,  C07D307/68 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Sulfonate salts have the formula:CF3—CH(OCOR)—CF2SO3−M+ wherein R is C1-C20 alkyl or C6-C14 aryl, and M+ is a lithium, sodium, potassium, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oximesulfonates and sulfonyloxyimides and other compounds derived from these sulfonate salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有式：CF 3 -CH（OCOR）-CF 2 SO 3 -M +，其中R是C 1 -C 20烷基或C 6 -C 14芳基，M +是锂，钠，钾，铵或四甲基铵离子。 鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺以及衍生自这些磺酸盐的其它化合物是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光致酸产生剂。

公开(公告)号：US07531290B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11588413

申请日：2006-10-27

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  C07C303/32

CPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/07 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Sulfonate salts have the formula: R1SO3—CH(Rf)—CF2SO3−M+ wherein R1 is alkyl or aryl, Rf is H or trifluoromethyl, and M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oximesulfonates and sulfonyloxyimides and other compounds derived from these sulfonate salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有下式：<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？> R1SO3-CH（Rf）-CF2SO3-M + <？in-line-formula description =“In- 其中R1是烷基或芳基，Rf是H或三氟甲基，M +是Li，Na，K，铵或四甲基铵离子。 鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺以及衍生自这些磺酸盐的其它化合物是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光致酸产生剂。

公开(公告)号：US20080318160A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12222645

申请日：2008-08-13

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07D307/64 ,  C07D307/68 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Sulfonate salts have the formula:CF3—CH(OCOR)—CF2SO3−M+ wherein R is C1-C20 alkyl or C6-C14 aryl, and M+ is a lithium, sodium, potassium, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oximesulfonates and sulfonyloxyimides and other compounds derived from these sulfonate salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有式：CF 3 -CH（OCOR）-CF 2 SO 3 -M +，其中R是C 1 -C 20烷基或C 6 -C 14芳基，M +是锂，钠，钾，铵或四甲基铵离子。 鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺以及衍生自这些磺酸盐的其它化合物是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光致酸产生剂。

公开(公告)号：US20070099113A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11588414

申请日：2006-10-27

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Masaki Ohashi

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/08 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115

摘要： Sulfonate salts have the formula: CF3—CH(OH)—CF2SO3−M+ wherein M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Because of inclusion within the molecule of a hydroxyl group which is a polar group, the sulfonic acids are effective for restraining the length of acid diffusion through hydrogen bond or the like. The photoacid generators that generate these sulfonic acids perform well during the device fabrication process including coating, pre-baking, exposure, post-exposure baking, and developing steps. The photoacid generators are little affected by water left on the wafer during the ArF immersion lithography.

摘要翻译： 磺酸盐具有下式：CF 3 -CH（OH）-CF 2 SO 3 SO 2 - > + +其中M + +是Li，Na，K，铵或四甲基铵离子。 由于在分子内包含作为极性基团的羟基，所以磺酸对于抑制通过氢键等的酸扩散的长度是有效的。 产生这些磺酸的光酸产生剂在器件制造过程中表现良好，包括涂层，预烘烤，曝光，曝光后烘烤和显影步骤。 在ArF浸没光刻期间，光致酸发生器几乎不受水晶体上剩余的水分的影响。

公开(公告)号：US20070099112A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11588413

申请日：2006-10-27

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/07 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Sulfonate salts have the formula: R1SO3—CH(Rf)-CF2SO3−M+ wherein R1 is alkyl or aryl, Rf is H or trifluoromethyl, and M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oximesulfonates and sulfonyloxyimides and other compounds derived from these sulfonate salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有下式：R 1 SO 3 -CH（R f）-CF 2 SO 3 SO 2 其中R 1是烷基或芳基，R f是H或三氟甲基，M +是H， Na，K，铵或四甲基铵离子。 鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺以及衍生自这些磺酸盐的其它化合物是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光致酸产生剂。

公开(公告)号：US20060228648A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11397526

申请日：2006-04-05

申请人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07D307/64 ,  C07D307/68 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Sulfonate salts have the formula: CF3—CH(OCOR)—CF2SO3−M+ wherein R is C1-C20 alkyl or C6-C14 aryl, and M+ is a lithium, sodium, potassium, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oximesulfonates and sulfonyloxyimides and other compounds derived from these sulfonate salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有下式：CF 3 -CH（OCOR）-CF 2 SO 3 SO 2 - 其中R是C 1 -C 20烷基或C 6 -C 14芳基 ，M + +是锂，钠，钾，铵或四甲基铵离子。 鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺以及衍生自这些磺酸盐的其它化合物是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光致酸产生剂。

公开(公告)号：US08030515B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US13043683

申请日：2011-03-09

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： C07C309/08

CPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/08 ,  C07C381/00 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041

摘要： Sulfonate salts have the formula: HOCH2CH2CF2CF2SO3−M+ wherein M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oxime sulfonates and sulfonyloxyimides derived from these salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有下式：HOCH2CH2CF2CF2SO3-M +，其中M +是Li，Na，K，铵或四甲基铵离子。 衍生自这些盐的鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光酸产生剂。

公开(公告)号：US07928262B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US11767783

申请日：2007-06-25

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： C07C309/08 ,  G03C1/00 ,  G03F7/00

CPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/08 ,  C07C381/00 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041

摘要： Sulfonate salts have the formula: HOCH2CH2CF2CF2SO3−M+ wherein M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oxime sulfonates and sulfonyloxyimides derived from these salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

公开(公告)号：US07569324B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11767821

申请日：2007-06-25

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/00 ,  C07C309/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07D207/48 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115

摘要： Sulfonate salts have the formula: R1COOCH2CH2CF2CF2SO3−M+ wherein R1 is alkyl, aryl or hetero-aryl, M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oxime sulfonates and sulfonyloxyimides derived from these salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

摘要翻译： 磺酸盐具有下式：R1COOCH2CH2CF2CF2SO3-M +，其中R1是烷基，芳基或杂芳基，M +是Li，Na，K，铵或四甲基铵离子。 衍生自这些盐的鎓盐，肟磺酸盐和磺酰氧基酰亚胺是化学放大抗蚀剂组合物中有效的光酸产生剂。

公开(公告)号：US07556909B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11588414

申请日：2006-10-27

申请人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Masaki Ohashi

发明人： Katsuhiro Kobayashi ,  Youichi Ohsawa ,  Takeshi Kinsho ,  Takeru Watanabe ,  Masaki Ohashi

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/08 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115

摘要： Sulfonate salts have the formula: CF3—CH(OH)—CF2SO3−M+ wherein M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Because of inclusion within the molecule of a hydroxyl group which is a polar group, the sulfonic acids are effective for restraining the length of acid diffusion through hydrogen bond or the like. The photoacid generators that generate these sulfonic acids perform well during the device fabrication process including coating, pre-baking, exposure, post-exposure baking, and developing steps. The photoacid generators are little affected by water left on the wafer during the ArF immersion lithography.

摘要翻译： 磺酸盐具有式：CF 3 -CH（OH）-CF 2 SO 3 -M +，其中M +是Li，Na，K，铵或四甲基铵离子。 由于在分子内包含作为极性基团的羟基，所以磺酸对于抑制通过氢键等的酸扩散的长度是有效的。 产生这些磺酸的光酸产生剂在器件制造过程中表现良好，包括涂层，预烘焙，曝光，曝光后烘烤和显影步骤。 在ArF浸没光刻期间，光致酸发生器几乎不受水晶体上剩余的水分的影响。